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Realizzazione di impedenze 1)Impedenze distribuite 2)Impedenze concentrate.

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Presentazione sul tema: "Realizzazione di impedenze 1)Impedenze distribuite 2)Impedenze concentrate."— Transcript della presentazione:

1 Realizzazione di impedenze 1)Impedenze distribuite 2)Impedenze concentrate

2 Impedenze distribuite

3 Parametri primari e secondari di una linea di trasmissione

4 Linea chiusa su carico Se Z L = 0 Z(-l) = jZ 0 tan l Se Z L = Y(-l) = jY 0 tan l Z(-l) = -jZ 0 cotan l Se Z L = Z 0 Z(-l) = Z 0

5 Induttanza Se l << /10 il circuito è assimilabile ad uninduttanza Z(-l) = jZ 0 tan l jZ 0 l = jZ 0 ( / c) l = j L eq L eq = Z 0 l / = Z 0 l / c = L'l

6 Capacità Se l << /10 il circuito è assimilabile ad una capacità Y(-l) = jY 0 tan l jY 0 l = jY 0 ( / c) l = j C eq C eq = Y 0 l / = Y 0 l / c = C'l

7 Induttanza + carico Se l > mod( Z L ) il circuito è assimilabile ad uninduttanza in serie al carico

8 Induttanza + carico (segue) Z(-l) Z L + jZ 0 l = Z L + jZ 0 ( / c) l = Z L + j L eq L eq = Z 0 l / c = L'l Se l > mod( Z L )

9 Capacità + carico Se l << /10 e Z 0 << mod( Z L ) il circuito è assimilabile ad una capacità in parallelo al carico C EQ = Y 0 l / c = C ' l

10 Realizzazione su microstriscia di impedenze distribuite Induttanza serie e parallelo Capacità parallelo e serie Circuito risonante serie Circuito risonante parallelo

11 Induttanza serie e parallelo L < 2-3 nH Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

12 Capacità parallelo e serie C < 0.2 pF Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

13 Circuiti risonanti e antirisonanti in parallelo alla linea

14 Impedenze concentrate

15 Con questa dizione si intendono componenti le cui dimensioni sono piccole rispetto alle lunghezze donda in gioco. Grazie alluso di tecniche fotolitografiche è oggi possibile realizzare elementi concentrati a frequenze fino a 60 GHz Vantaggi sono le ridotte dimensioni e un comportamento abbastanza costante su ampie bande Svantaggi sono i Q più bassi rispetto a quelli ottenibili con elementi distribuiti

16 Linea corta Per linee corte l < /10 ( = l)

17 Rete a pi-greco

18 Analogia Affinché le due matrici si riferiscano allo stesso componente deve essere: operando su B operando su A

19 Conclusioni Un tratto di linea breve può essere rappresentato tramite una rete a pi greco in cui L 2 e C 1 sono legati ai parametri primari del tratto di linea

20 Induttanza a loop L TOT < 1 nH

21 Induttanza a spirale Rispetto al caso precedente si evidenzia la non simmetria del circuito C p1 C p2 e la presenza di una capacità di shunt legata al ponte in aria. Lunghezza totale < /20 L TOT < 20 nH

22 Capacità interdigitata C < 1 pF

23 Capacità MIM C < 25 pF

24 Circuito antirisonante e risonante

25 Resistenza a film metallico R = l/S = l/lt = / t non dipende dal lato del quadrato Si misura in · t l l Tipicamente si usano Nichel Cromo o Tantalio

26 Resistenza a film semiconduttore Si realizza una piazzola di semiconduttore su di un substrato semi-isolante


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