La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

Pertanto il Consorzio è impegnato nel: sostenere la competitività dei partner industrialisostenere la competitività dei partner industriali su tematiche.

Presentazioni simili


Presentazione sul tema: "Pertanto il Consorzio è impegnato nel: sostenere la competitività dei partner industrialisostenere la competitività dei partner industriali su tematiche."— Transcript della presentazione:

1

2 Pertanto il Consorzio è impegnato nel: sostenere la competitività dei partner industrialisostenere la competitività dei partner industriali su tematiche relative al loro core business tecnologie industrialifornire supporto allo sviluppo di tecnologie industriali nuove ed altamente innovative nuovi prodottisviluppare nuovi prodotti derivanti dalle tecnologie risultanti dalle attività di ricerca sviluppo delle tecnologie Il Consorzio ha per oggetto lo sviluppo delle tecnologie per lopto, la microelettronica ed i microsistemi finalizzate allapplicazione nei settori industriali interessati, quali – ad esempio ma non esclusivamente – le telecomunicazioni, la multimedialità, le applicazioni ambientali, i trasporti, il biomedicale, laeronautico, laerospaziale. sviluppare nuovi prodotti Il Consorzio si propone, inoltre, di sviluppare nuovi prodotti derivanti dalle tecnologie di cui sopra.

3

4 Camera pulita classe 100 Area deposizioni film sottili Area plasmi chimici Area deposizioni film spessi 50 sqm clean room (class 100) 200 sqm clean room (class 10000) 600 sqm laboratories 500 sqm offices

5 Tecnologie InP per lOptoelettronica SiC Micromachining a hole a plated hole Via-hole Processo di Backside brevettato (Brevetto n ;06/07/2009) Metodo per realizzare scavi in substrato di carburo di silicio di un dispositivo a semiconduttore PIN diodes array and package Microstrip passive components (resistors, MIM capacitors, trasmission lines) SiC Micromachining bulk and GaN–HEMT back side

6 RF MEMS Domanda di Brevetto n. BO2010A presentata il 15 dicembre 2010 Metodo per realizzare un dispositivo microelettromeccanico a membrana metallica sospesa 1. Progettazione 2. Realizzazione 3. Testing e Misura 4. Packaging

7 Costo complessivo: Finanziamento: I Numeri del Progetto Le Attività del Progetto Progetto Tecnologie Abilitanti per Sistemi di nuova generazione di trasmissione e ricezione a Microonde Ex art.6 DM 593/2000 Sviluppo di tecnologie finalizzate alla realizzazione di un veicolo di prova di un modulo Trasmetti/Ricevi digitale compatto per applicazione in sistemi radar avanzati. OR1- Tecnologie per trasmettitori/ricevitori digitali compatti modulari OR2 - Studio di materiali a funzionalità innovative e per il packaging OR3 - Sviluppo di tecnologie di backside per dispositivi GaN–HEMT ad alta potenza e frequenza OR4 - Sviluppo di tecnologie innovative per la realizzazione di MEMS best practice Finmeccanica ha ritenuto Optel una best practice nella sinergia tra aziende del Gruppo ai fini dello sviluppo di attività di R&D allavanguardia.

8 Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876). Sviluppo di tecnologie per la realizzazione di componenti microelettronici e microelettromeccanici e dei relativi packaging sistemi radar multifunzione di nuova concezione (MPAR = Multifunction Phased Array Radar). 1. Back side Salto Tecnologico TASMTASMA AlGaN GaN Cap 1 nm Wafer GaN/SiC 4 " Dispositivo Via-Hole SourceGateDrain 6 W/mm ² SiC 100 μm SiC AlGaN GaN Cap 1 nm 70 μ m Wafer GaN/SiC 3 " Dispositivo Via-Hole SourceGateDrain 4 W/mm ²

9 Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876). Multistrati ceramici HTCC 2. Packaging 3. MEMS Package AlN Bulk Switch MEMS Phase Shifter Salto Tecnologico TASMTASMA

10 I numeri del progetto TASMA Costo complessivo: Finanziamento: Durata: 36 mesi

11 Messa a punto delle tecniche di Incollaggio dei wafer di SiC Messa a punto delle tecniche di Lappatura e lucidatura dei wafer di SiC Sviluppo di processi fotolitografici per lo scavo di via hole in SiC di profondità di circa 100 micron Progettazione di switch RF MEMS orientata al power handling In corso la messa a punto degli step tecnologici per la realizzazione di switch RF MEMS Completamento analisi termiche per ponti termici in substrati di AlN da utilizzare come PCB Messa a punto dei processi di via filling Progettazione di un package LCP a basso costo per lintegrazione di componenti RF passivi I risultati ad oggi conseguiti sul progetto sono in linea con gli obiettivi di Capitolato.

12 Circuiti Integrati Monolitici a MicroondeCircuiti Integrati Monolitici a Microonde (MMIC) con funzione di Amplificatori di potenza (HPA, ciascuno di 50 W di potenza) basati su GaN HEMT su substrato SiC packagingCapacità di packaging: ceramico in AlN (bulk) ceramico in AlN (bulk) per moduli di trasmissione in grado di dissipare laltissima densità di potenza derivante dai circuiti di cui sopra LCP LCP a bassissimo costo, basato su materiali innovativi come Liquid Crystal Polimer, per i moduli con bassa richiesta di dissipazione di potenza e per i dispositivi passivi e digitali MEMSDispositivi MEMS per la gestione dei segnali a RF (Switch e Phase Shifter basati su MEMS) End User aziende del gruppo Finmeccanica Ogni tecnologia sviluppata nel progetto ha come primo End User le aziende del gruppo Finmeccanica sulle quali sono state tarate le specifiche tecniche dei dimostratori. Distretto Tecnologico Aerospaziale Inoltre tali tecnologie avranno ricadute nel mercato interno al Distretto Tecnologico Aerospaziale ed in settori più vasti.

13 stato dellarte internazionale Le tecnologie sviluppate sul progetto sono allo stato dellarte internazionale: Gli HEMT di potenza ad alto guadagno lineare per la realizzazione del MMIC HPA (dispositivi di altissima densità di potenza - 6 W/mm - non comparabili con i dispositivi oggi realizzati in GaAs -0,7 W/mm) Il substrato ceramico AlN a bassissima resistenza termica Il Phase Shifter per il controllo della fase del segnale RF

14 Linea di Back side per wafer 4: Investimenti: ,00 MMIC GaN a hole a plated hole Via-hole lindustrializzazione Optel ha presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi come strumento per lindustrializzazione di uno dei risultati del progetto

15 4 GaN/SiC wafer produzione di wafer di GaN/SiC epitassiale 4 " Realizzazione di una Foundry Italiana per la produzione di wafer di GaN/SiC epitassiale 4 ", materiale di base necessario alla produzione di componentistica ad alta potenza di nuova generazione. technology non dependence Strategico per garantire allindustria nazionale del settore la technology non dependence dagli USA e da altri fornitori extra-europei. completamento della filiera relativa alla tecnologia GaN Optel ha altresì presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi finalizzati al completamento della filiera relativa alla tecnologia GaN

16 creazione di valore progetti di ricerca industrializzazioneproducendo e commercializzando Il Consorzio Optel persegue la creazione di valore seguendo il processo tecnologico a partire da progetti di ricerca altamente focalizzati sul core-business dei propri consorziati industriali, procedendo allindustrializzazione dei risultati ed infine producendo e commercializzando tali prodotti innovativi per il mercato di riferimento ed in prospettiva per un mercato più vasto.

17


Scaricare ppt "Pertanto il Consorzio è impegnato nel: sostenere la competitività dei partner industrialisostenere la competitività dei partner industriali su tematiche."

Presentazioni simili


Annunci Google