La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

I FET (Field-effect Transistor) Corso di recupero di Fondamenti di Elettronica – Università di Palermo A.A. 2014-2015.

Presentazioni simili


Presentazione sul tema: "I FET (Field-effect Transistor) Corso di recupero di Fondamenti di Elettronica – Università di Palermo A.A. 2014-2015."— Transcript della presentazione:

1 I FET (Field-effect Transistor) Corso di recupero di Fondamenti di Elettronica – Università di Palermo A.A

2 Modello intuitivo FET I (flusso di corrente) V (tensione di comando) + I V 3 1 2

3 Tipi di FET MMMMOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) JJJJFET (junction FET) MMMMESFET (metal-semiconductor FET)

4 Caratteristiche dei FET 1.il loro funzionamento dipende dal flusso dei soli portatori maggioritari e pertanto sono dei dispositivi unipolari 2.sono più semplici da realizzare rispetto ai transistori bipolari a giunzione (BJT) e nella forma integrata occupano meno spazio 3.presentano una elevata impedenza di ingresso (M) 4. sono affetti da un “rumore” inferiore a quello presentato dai BJT 5. possono funzionare molto bene come interruttori

5 MOSFET ad arricchimento (enhancement MOSFET)

6 MOSFET ad arricchimento: formazione del canale n+n+ n+n+ p tensione di soglia V t canale n canale p

7 Caratteristiche I-V Se la tensione v GS aumenta (per v DS < 0,1 – 0,2 V) proporzionalmente aumenta la conduttanza del canale

8 Caratteristiche I-V: strozzamento del canale 5 V 7 V v DS = v GS - V t canale in pinch-off

9 Caratteristiche I-V d’uscita verso convenzionale

10 Modulazione della lunghezza del canale v DS > v GS - V t

11 MOSFET a svuotamento (depletion MOSFET) canale già esistente n n n p S G D + _

12 MOSFET a svuotamento (depletion MOSFET) n n p S G D + _ n se v GS < V t (negativa) se v GS > 0 cut-off MOSFET ad arricchimento!

13 MOSFET a svuotamento canale n canale p

14 MOSFET: limiti di utilizzo e precauzioni per l’uso se v GS > 50 V (circa) v GS rottura dell’ossido per accumulo di carica elettrostatica

15 JFET canale n canale p

16 Dispositivi in GaAs VANTAGGI SVANTAGGI  e più grande v più elevata I più elevate carica e scarica di C più rapida tecnologia non ancora matura per quanto riguarda affidabilità e produzione enormi investimenti spesi dalle industrie per consolidare la tecnologia del silicio mobilità delle lacune molto bassa no FET a canale p (… e no CMOS)

17 Dispositivi in GaAs: il MESFET MESFET a svuotamento (…come un n-JFET)


Scaricare ppt "I FET (Field-effect Transistor) Corso di recupero di Fondamenti di Elettronica – Università di Palermo A.A. 2014-2015."

Presentazioni simili


Annunci Google