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SUMMARY JFET transistor RIEPILOGO Transistor JFET RIEPILOGO Transistor JFET.

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Presentazione sul tema: "SUMMARY JFET transistor RIEPILOGO Transistor JFET RIEPILOGO Transistor JFET."— Transcript della presentazione:

1 SUMMARY JFET transistor RIEPILOGO Transistor JFET RIEPILOGO Transistor JFET

2 »Il transistor ad effetto di campo, abbreviato con FET, è un dispositivo a semiconduttore che, come il BJT, può essere usato come amplificatore o come interruttore. »The field effect transistors, abbreviated with FET, is a semiconductor device which, as the BJT, can be used as an amplifier or as a switch. Dispositivo a semiconduttore

3 »In base alla tecnologia costruttiva del gate, i FET sono suddivisi in due categorie principali: JFET = transistor a giunzione ad effetto di campo MOSFET = FET a semiconduttore di ossido di metallo. »According to the construction technology of the gate, FETs are divided into two main categories: JFET = junction field effect transistor MOSFET = metal oxide semiconductor FET. FET

4 »I JFET sono ulteriormente suddivisi in due tipi: a canale n oppure a canale p, a seconda del tipo di portatori di cariche che sono presenti nel canale che unisce il drain con il source. »The JFET are further divided into two types: n-channel or p-channel, depending on the type of charge carriers that are present in the channel that connects the drain to the source. JFET

5 »I MOSFET sono ulteriormente classificati in due tipi: a svuotamento oppure a riempimento, a seconda dello svuotamento o riempimento di portatori nel canale tra drain e source. »The MOSFETs are further classified into two types: depletion or enhancement, depending on the emptying or filling of carriers in the channel between drain and source. MOSFET

6 »Il funzionamento del FET si basa sulla modulazione della resistenza incontrata dalla corrente di drain I D nel percorrere il canale tra source e drain. »The operation of the FET is based on the modulation of the resistance encountered by the drain current I D in tread the channel between source and drain. Corrente di drain

7 »Tra le varie caratteristiche grafiche fornite dalle case costruttrici, di solito quelle più importanti sono quelle di drain e quelle mutue, riguardanti il JFET montato a source comune. »Among the various graphical features provided by the manufacturers, usually the most important ones are those of the drain and those mutuals, that concern the JFET common-source mounted. Caratteristiche di drain e mutue

8 »La tensione U DS alla quale la corrente I D raggiunge il suo valore costante di saturazione è chiamata tensione di pinch-off U P. È questa la regione attiva di funzionamento o regione di saturazione. »The voltage U DS to which the current I D reaches its saturation constant value is called the pinch- off voltage U P. And this is the active region of operation or saturation region. Tensione di pinch-off U P

9 »I parametri principali dei JFET sono: la conduttanza mutua o transconduttanza g m ; la resistenza d’ingresso e le capacità parassite; la resistenza tra drain e source r d ; il coefficiente di amplificazione μ. »The main parameters of the JFET are: the mutual conductance or transconductance g m ; the input resistance and the parasitic capacitances; the resistance between drain and source r d ; the amplification coefficient μ. Parametri principali dei JFET

10 »Il coefficiente di amplificazione, denotato dal simbolo μ, è definito dal rapporto tra le variazioni della tensione U DS e della tensione U GS per una corrente di drain costante: »The amplification coefficient, denoted by the symbol μ, is defined by the ratio between the changes of the voltage U DS and voltage U GS for a drain current constant: Coefficiente di amplificazione

11 »La resistenza di drain r d è la resistenza differenziale (in a.c.) che esiste tra i terminali di drain e source quando il JFET lavora nella zona di saturazione. Il suo valore è dato da: »The drain resistance r d is the differential resistance (in ac) that exists between the drain and source terminals when the JFET works in the saturation zone. Its value is given by: Resistenza di drain

12 »La conduttanza mutua g m indica la variazione della corrente di drain per una data variazione della tensione tra gate e source, mantenendo costante la tensione tra drain e source: »The mutual conductance g m indicates the variation of the drain current for a given variation of the voltage between gate and source, maintaining a constant voltage between drain and source: Conduttanza mutua

13 »Anche per i JFET possiamo usare il metodo del circuito equivalente per semplificare il circuito dell’amplificatore. Elementi fondamentali del circuito equivalente sono i parametri g m ed r d. »Also for the JFET we can use the equivalent circuit to simplify the amplifier circuit. Fundamental elements of the equivalent circuit are the parameters g m and r d. Circuito equivalente

14 »L’amplificazione, a centro banda, di un amplificatore a JFET è data dal prodotto della conduttanza mutua per la resistenza totale esistente tra drain e source. »The amplification, at center band, of a JFET amplifier is given by the product of the mutual conductance for the total resistance between drain and source. Amplificazione a centro banda

15 »Nella realizzazione di un amplificatore a JFET la prima cosa che dobbiamo considerare è l’appropriata polarizzazione del transistor per fare in modo che il punto di lavoro si trovi nella zona attiva delle caratteristiche di uscita. »In the implementation of a JFET amplifier to the first thing that must be considered is the appropriate biasing of the transistor to make sure that the working point is in the active zone of the output characteristics. Punto di lavoro

16 »In un JFET la giunzione gate-source deve essere sempre polarizzata inversamente. »In a JFET the junction gate-source must always be reverse biased. Giunzione polarizzata inversamente


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