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Impiantazione ionica R p projected range R p standard deviation N implanted dose [cm -2 ]

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Presentazione sul tema: "Impiantazione ionica R p projected range R p standard deviation N implanted dose [cm -2 ]"— Transcript della presentazione:

1

2 Impiantazione ionica

3 R p projected range R p standard deviation N implanted dose [cm -2 ]

4 Implant dose monitor

5 Projected standard deviation vs energy

6 Projected range vs. energy

7

8 Profilo dopo impiantazione: profilo dopo redistribuzione:

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10 Profilo di drogaggio impiantato (teorico)

11 Profili delle impurezze impiantate (teorici e reali) vs. energia

12 Dispositivo: resistore diffuso o impiantato dG(x) =q p (x)p(x)W/Ldx

13 R = L/W 1/(qN p p ) R = n. quadrati X resistenza per quadro Resistore diffuso o impiantato

14 Diffusione laterale

15 Tecniche di crescita epitassiale Crescita di materiale sopra (epi-) la superficie del semiconduttore, con lo stesso ordine (taxis) cristallografico del materiale sottostante servono per crescere materiale meno drogato del substrato, o materiale con drogaggio assolutamente uniforme omoepitassia e eteroepitassia

16 Tecniche di epitassia VPE LPE - crescita lenta, strati sottili 0.2 um MBE - controllo a livello atomico, crescita lenta um/min um/min MOCVD - deposizione chimica in fase vapore da composti metallo-organici (es trimetilgallio Ga(CH 3 ) 3 ; basse temperature di crescita, ottimo controllo degli strati cresciuti, rapida velocità di crescita)

17 Epitassia da fase liquida (LPE)

18 Epitassia da fascio molecolare (MBE)

19 Epitassia da fase vapore (VPE)

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