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Tecniche di deposizione Deposizione chimica da fase vapore (Chemical Vapor Deposition, CVD) - epitassia (Si su Si) - deposizione di materiali dielettrici.

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Presentazione sul tema: "Tecniche di deposizione Deposizione chimica da fase vapore (Chemical Vapor Deposition, CVD) - epitassia (Si su Si) - deposizione di materiali dielettrici."— Transcript della presentazione:

1 Tecniche di deposizione Deposizione chimica da fase vapore (Chemical Vapor Deposition, CVD) - epitassia (Si su Si) - deposizione di materiali dielettrici (SiO 2, Si 3 N 4,...) - deposizione di silicio policristallino (drogato = pista conduttiva)

2 Chemical vapor deposition struttura del film depositato - substrato (amorfo o cristallino) - temperatura dellambiente e del substrato] - velocita di deposizione - pressione del gas - presenza di campi elettromagnetici (plasma a radiofrequenza)

3 Epitassia pirolisi del silano: SiH 4 Si (s) + 2H 2 (gas) reazione del tetracloruro di silicio con idrogeno: SiCl 4 (gas) + 2 H 2 (gas) Si (s) + 4HCl (gas) crescita epitassiale: substrato a 900ºC- 1250ºC gas droganti: arsina (AsH 3, fosfina PH 3, diborano B 2 H 6 )

4 Silicio policristallino (gate dei transistor MOS) - substrato a 600ºC ºC Silicio amorfo (celle solari, dispositivi particolari) - substrato a < 600ºC

5 Deposizione di isolanti biossido di silicio, SiO 2 : isolante tra diversi livelli di metallizzazione, passivazione contro la contaminazione esterna sulla superficie del chip finito SiH 4 (gas) + O 2 (gas) SiO 2 (s) + 2H 2 (gas) nitruro di silicio, Si 3 N 4 : maschera lossidazione, essendo impermeabile alle specie ossidanti; utilizzato per lisolamento tramite ossidazione locale e come passivazione

6 Local Oxidation Of Silicon (LOCOS)

7 zona isolata tramite ossido di campo zona attiva con ossido sottile substrato di silicio

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9 Deposizione a fase vapore assistita da plasma (Plasma enhanced CVD, PE-CVD)


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