La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

1 FONTI RINNOVABILI ENERGIA SOLARE TERMICA ENERGIA SOLARE FOTOVOLTAICA ENERGIA GEOTERMICA ENERGIA EOLICA Reggio Emilia, 26/01/2008.

Presentazioni simili


Presentazione sul tema: "1 FONTI RINNOVABILI ENERGIA SOLARE TERMICA ENERGIA SOLARE FOTOVOLTAICA ENERGIA GEOTERMICA ENERGIA EOLICA Reggio Emilia, 26/01/2008."— Transcript della presentazione:

1 1 FONTI RINNOVABILI ENERGIA SOLARE TERMICA ENERGIA SOLARE FOTOVOLTAICA ENERGIA GEOTERMICA ENERGIA EOLICA Reggio Emilia, 26/01/2008

2 2 IMPIANTI SOLARI FOTOVOLTAICI TECNOLOGIA ED APPLICAZIONI

3 3 Tecnologia fotovoltaica - sostenibilità Energia grigia E la quantità di energia necessaria al ciclo completo di fabbricazione di un modulo (estrazione materie prime, trasporto, lavorazione). Energia grigia E la quantità di energia necessaria al ciclo completo di fabbricazione di un modulo (estrazione materie prime, trasporto, lavorazione). Tempo di recupero energetico E il tempo necessario al modulo per produrre una quantità di energia uguale alla propria energia grigia. Tempo di recupero energetico E il tempo necessario al modulo per produrre una quantità di energia uguale alla propria energia grigia. Fattore di rimborso energetico E il rapporto tra la durata di vita di un modulo e il suo tempo di recupero energetico (oppure tra E tot ed E grigia ). Fattore di rimborso energetico E il rapporto tra la durata di vita di un modulo e il suo tempo di recupero energetico (oppure tra E tot ed E grigia ).

4 4 Tecnologia fotovoltaica - sostenibilità Nella sua vita, un modulo fotovoltaico produce da 4 a 10 volte più energia di quella che è stata necessaria per fabbricarlo. Nella sua vita, un modulo fotovoltaico produce da 4 a 10 volte più energia di quella che è stata necessaria per fabbricarlo. Solo i sistemi energetici che utilizzano le fonti rinnovabili hanno un fattore di rimborso energetico superiore a 1. Solo i sistemi energetici che utilizzano le fonti rinnovabili hanno un fattore di rimborso energetico superiore a 1.

5 5 Materiali semiconduttori I semiconduttori sono materiali le cui proprietà elettriche si trovano a metà strada tra quelle dei materiali conduttori e quelle degli isolanti. I semiconduttori sono materiali le cui proprietà elettriche si trovano a metà strada tra quelle dei materiali conduttori e quelle degli isolanti. Le particolari proprietà dei semiconduttori sono dovute alla loro struttura cristallina; Le particolari proprietà dei semiconduttori sono dovute alla loro struttura cristallina; A differenza dei metalli, I semiconduttori hanno portatori di carica sia negativa (elettroni) sia positiva (lacune), la cui densità può essere controllata introducendo altri elementi (drogaggio) nella fase di crescita del cristallo. A differenza dei metalli, I semiconduttori hanno portatori di carica sia negativa (elettroni) sia positiva (lacune), la cui densità può essere controllata introducendo altri elementi (drogaggio) nella fase di crescita del cristallo.

6 6 Materiali semiconduttori (1) Il silicio puro ha quattro elettroni nel guscio esterno e cristallizza in forma romboidale: ogni atomo giace al centro di un tetraedro regolare con quattro atomi adiacenti negli spigoli uniti da un legame covalente. Il silicio puro ha quattro elettroni nel guscio esterno e cristallizza in forma romboidale: ogni atomo giace al centro di un tetraedro regolare con quattro atomi adiacenti negli spigoli uniti da un legame covalente.

7 7 Materiali semiconduttori (2) Nel silicio puro tutti gli elettroni sono interessati da legami ed il materiale si dovrebbe comportare come un isolante, in realtà è sufficiente una piccola quantità di energia per rompere un legame e rendere libero un elettrone. Nel silicio puro tutti gli elettroni sono interessati da legami ed il materiale si dovrebbe comportare come un isolante, in realtà è sufficiente una piccola quantità di energia per rompere un legame e rendere libero un elettrone.

8 8 Materiali semiconduttori (3) Per creare una differenza di potenziale necessaria alla produzione di energia elettrica è necessario raccogliere e separare le cariche di segno opposto; ciò è possibile introducendo nel materiale semiconduttore delle impurità, dette droganti, in grado di modificare le proprietà elettriche del materiale. Per creare una differenza di potenziale necessaria alla produzione di energia elettrica è necessario raccogliere e separare le cariche di segno opposto; ciò è possibile introducendo nel materiale semiconduttore delle impurità, dette droganti, in grado di modificare le proprietà elettriche del materiale.

9 9 Materiali semiconduttori (4) Le impurità pentavalenti producono un aumento di elettroni di conduzione ed il silicio così drogato è detto di tipo n. Le impurità pentavalenti producono un aumento di elettroni di conduzione ed il silicio così drogato è detto di tipo n. Se si introducono nel cristallo delle sostanze pentavalenti (fosforo, antimonio o arsenico), gli atomi delle impurità andranno a sostituire un uguale numero di atomi del semiconduttore nel reticolo cristallino; quattro dei cinque elettroni di valenza occupano legami covalenti con gli elettroni di quattro atomi tetravalenti adiacenti, il quinto elettrone che non partecipa a nessun legame covalente, a causa della sua bassa energia di legame a temperature ordinarie è libero di muoversi allinterno del cristallo accrescendone così la conducibilità. Se si introducono nel cristallo delle sostanze pentavalenti (fosforo, antimonio o arsenico), gli atomi delle impurità andranno a sostituire un uguale numero di atomi del semiconduttore nel reticolo cristallino; quattro dei cinque elettroni di valenza occupano legami covalenti con gli elettroni di quattro atomi tetravalenti adiacenti, il quinto elettrone che non partecipa a nessun legame covalente, a causa della sua bassa energia di legame a temperature ordinarie è libero di muoversi allinterno del cristallo accrescendone così la conducibilità.

10 10 Materiali semiconduttori (5) Lintroduzione di sostanze trivalenti (indio, boro o gallio) porta ad un aumento della densità di lacune ed il silicio così drogato è detto di tipo p. Lintroduzione di sostanze trivalenti (indio, boro o gallio) porta ad un aumento della densità di lacune ed il silicio così drogato è detto di tipo p. In cristallo di tipo n i portatori di maggioranza sono gli elettroni e i portatori di minoranza sono e lacune, viceversa in un cristallo di tipo p. In cristallo di tipo n i portatori di maggioranza sono gli elettroni e i portatori di minoranza sono e lacune, viceversa in un cristallo di tipo p.

11 11 Giunzione p-n Due strati sottili di silicio p e silicio n vengono messi a contatto in quella che è comunemente chiamata giunzione p-n nella zona di contatto fra il silicio di tipo p e quello di tipo n si crea una differenza di potenziale, detta zona di carica spaziale, in cui ioni accettatori e donatori sono neutralizzati dalle rispettive lacune ed elettroni Due strati sottili di silicio p e silicio n vengono messi a contatto in quella che è comunemente chiamata giunzione p-n nella zona di contatto fra il silicio di tipo p e quello di tipo n si crea una differenza di potenziale, detta zona di carica spaziale, in cui ioni accettatori e donatori sono neutralizzati dalle rispettive lacune ed elettroni

12 12 Effetto fotovoltaico La cella è una sottile fetta di materiale semiconduttore in grado di trasformare la radiazione solare incidente in energia elettrica tramite leffetto fotovoltaico. La cella è una sottile fetta di materiale semiconduttore in grado di trasformare la radiazione solare incidente in energia elettrica tramite leffetto fotovoltaico.

13 13 Effetto fotovoltaico (1) La trasformazione fotovoltaica è possibile allorquando un fotone incidente possiede sufficiente energia per eccitare un elettrone dalla sua banda di valenza a quella di conduzione e creare quindi una coppia di cariche elettriche di segno opposto (elettrone-lacuna). La trasformazione fotovoltaica è possibile allorquando un fotone incidente possiede sufficiente energia per eccitare un elettrone dalla sua banda di valenza a quella di conduzione e creare quindi una coppia di cariche elettriche di segno opposto (elettrone-lacuna).

14 14 Effetto fotovoltaico (2) Energia associata ad un fotone c velocità della luce nel vuoto [m/s] lunghezza donda [m] lunghezza donda [m] frequenza [1/s] frequenza [1/s] h costante di Planck (6.6262· Js)

15 15 Effetto fotovoltaico (3) Lenergia necessaria ad eccitare un elettrone, alla temperatura ambiente, dipende dalla struttura del materiale semiconduttore. Lenergia necessaria ad eccitare un elettrone, alla temperatura ambiente, dipende dalla struttura del materiale semiconduttore. Solo i fotoni con lunghezza donda Solo i fotoni con lunghezza donda sono in grado di creare coppie elettrone-lacuna –Silicio (Si) E g = 1.1 eV –Arseniuro di Gallio (GaAs) E g = 1.4 eV

16 16 Effetto fotovoltaico (4)

17 17 Effetto fotovoltaico (5) La lacuna di una coppia lacuna-elettrone fotogenerata sul lato p rimane sul lato p a causa della repulsione del campo elettrico, mentre lelettrone corrispondente è spinto verso il lato n della giunzione. La lacuna di una coppia lacuna-elettrone fotogenerata sul lato p rimane sul lato p a causa della repulsione del campo elettrico, mentre lelettrone corrispondente è spinto verso il lato n della giunzione. Una situazione speculare accade per una coppia lacuna- elettrone fotogenerata sul lato n. Una situazione speculare accade per una coppia lacuna- elettrone fotogenerata sul lato n. Le coppie di cariche elettrone-lacuna generate dal bombardamento di fotoni vengono quindi separate dal campo elettrico in prossimità della giunzione e danno luogo ad una corrente quando il dispositivo viene collegato ad un carico. Le coppie di cariche elettrone-lacuna generate dal bombardamento di fotoni vengono quindi separate dal campo elettrico in prossimità della giunzione e danno luogo ad una corrente quando il dispositivo viene collegato ad un carico.

18 18 La cella fotovoltaica xjxj LpLp LpLp xmxm = n p La cella fotovoltaica non è altro che una giunzione p-n realizzata su una grande superficie. La cella fotovoltaica non è altro che una giunzione p-n realizzata su una grande superficie.

19 19 Le dimensioni vanno da 1 cm a circa 10 cm Produce una potenza tra 1 e 2 W Non adeguata per la gran parte delle applicazioni La cella fotovoltaica

20 20 Caratteristica I-V della cella

21 21 In una cella ideale non sono presenti perdite resistive collegate al processo fotovoltaico; al contrario in una cella reale sono presenti: In una cella ideale non sono presenti perdite resistive collegate al processo fotovoltaico; al contrario in una cella reale sono presenti: –Resistenza di serie (R s ), causata dal contatto tra semiconduttore e metallo –Resistenza di shunt (R sh ), dovuta alla resistenza di Ohm nel semiconduttore; la resistenza di shunt è dovuta alla presenza di correnti di dispersione presso il bordo della cella. Caratteristica I-V della cella (1)

22 22

23 23 Caratteristica I-V della cella (2) Se la resistenza del carico è nulla la corrente è pari a I sc (corrente di corto circuito) Se la resistenza del carico è nulla la corrente è pari a I sc (corrente di corto circuito) In assenza di corrente ai due poli terminali della cella si ha una tensione pari a V oc (tensione a circuito aperto). In assenza di corrente ai due poli terminali della cella si ha una tensione pari a V oc (tensione a circuito aperto). La potenza P generata dalla cella, pari al prodotto I·V, raggiunge un massimo P MPP in corrispondenza del ginocchio della curva; tale punto viene indicato con MPP (Maximum Power Point) ed è caratterizzato da un valore di corrente (I MPP ) e di tensione (V MPP ). La potenza P generata dalla cella, pari al prodotto I·V, raggiunge un massimo P MPP in corrispondenza del ginocchio della curva; tale punto viene indicato con MPP (Maximum Power Point) ed è caratterizzato da un valore di corrente (I MPP ) e di tensione (V MPP ).

24 24 Caratteristica I-V della cella (3) Lequazione caratteristica della cella può essere derivata dalle leggi di Kirchhoff Lequazione caratteristica della cella può essere derivata dalle leggi di Kirchhoff dove I 0 è la corrente inversa di saturazione data da:

25 25 I ph Corrente fotogenerata (A) I 0 Corrente inversa di saturazione (A) kCostante di Boltzmann (1.38· J/K) q Carica dellelettrone (1.69· C) nfattore di idealità (1÷2 in funzione del tipo di cella solare) R s Resistenza interna di serie (W) R sh Resistenza di shunt (W) TTemperatura assoluta (K) C 0 Coefficiente di temperatura della corrente di saturazione E g Energy gap (eV) ICorrente di output (A) VTensione di output (V)

26 26 La resistenza corrispondente al punto di massima potenza è detta Resistenza caratteristica (R c ) La resistenza corrispondente al punto di massima potenza è detta Resistenza caratteristica (R c ) Il rapporto tra la potenza massima generata e il prodotto di corrente di corto circuito e tensione a circuito aperto è detto Fattore di riempimento o Fill Factor (FF) Il rapporto tra la potenza massima generata e il prodotto di corrente di corto circuito e tensione a circuito aperto è detto Fattore di riempimento o Fill Factor (FF) Caratteristica I-V della cella (4)

27 27 Lefficienza della cella è definita come il rapporto tra la potenza massima generata e la potenza incidente della radiazione solare (P light ): Lefficienza della cella è definita come il rapporto tra la potenza massima generata e la potenza incidente della radiazione solare (P light ): Efficienza della cella

28 28 Efficienza della cella (1) Energia solare Energia elettrica 20÷5% Calore 80÷94% Cella fotovoltaica Energia riflessa 0÷1%

29 29 Efficienza della cella (2)

30 30 Efficienza della cella (3) Lenergia che una cella può assorbire dipende dalle caratteristiche del materiale, in particolare per celle in silicio lefficienza raggiunge i seguenti valori medi: Lenergia che una cella può assorbire dipende dalle caratteristiche del materiale, in particolare per celle in silicio lefficienza raggiunge i seguenti valori medi: 1. Silicio monocristallino 15÷17 % 2. Silicio policristallino 12÷14 % 3. Silicio amorfo 6÷7 %

31 31 TypeTypical module efficiency [%] Maximum recorded module efficiency [%] Maximum recorded laboratory efficiency [%] Silicio Monocristallino ,724,7 Silicio policristallino ,319,8 Silicio amorfo ,7 Cadmium telluride -10,516.0 CIGS 5-612,118,2 Efficienza della cella (4)

32 32 Caratteristica I-V della cella Caratteristiche I-V a differenti intensità di irraggiamento Caratteristiche I-V a differenti temperature della cella

33 33 Effetto della temperatura La temperatura influisce sulle prestazioni di una cella solare, in particolare su: La temperatura influisce sulle prestazioni di una cella solare, in particolare su: –Corrente di corto circuito –Tensione a circuito aperto Un aumento di temperatura comporta una perdita di efficienza di trasformazione. Un aumento di temperatura comporta una perdita di efficienza di trasformazione.

34 34 Effetto della temperatura (1) In un semiconduttore puro il numero di elettroni liberi è sempre uguale al numero di lacune; la conducibilità elettrica che ne deriva è detta intrinseca per distinguerla dalla conducibilità dovuta alle impurità. In un semiconduttore puro il numero di elettroni liberi è sempre uguale al numero di lacune; la conducibilità elettrica che ne deriva è detta intrinseca per distinguerla dalla conducibilità dovuta alle impurità. Nel silicio puro il numero di elettroni nella banda di conduzione è uguale al numero di lacune nella banda di valenza poiché le coppie elettrone- lacuna sono create o dallassorbimento di un fotone o dalleccitazione termica. Nel silicio puro il numero di elettroni nella banda di conduzione è uguale al numero di lacune nella banda di valenza poiché le coppie elettrone- lacuna sono create o dallassorbimento di un fotone o dalleccitazione termica.

35 35 Effetto della temperatura (2) N C, N V : effettive densità di stato per le bande di conduzione e valenza N C, N V : effettive densità di stato per le bande di conduzione e valenza n i la concentrazione dei portatori intrinseci, n i la concentrazione dei portatori intrinseci, E g il gap energetico E g il gap energetico k la costante di Boltzmann k la costante di Boltzmann La concentrazione di portatori intrinseci n aumenta allaumentare della temperatura secondo la relazione La concentrazione di portatori intrinseci n aumenta allaumentare della temperatura secondo la relazione

36 36 Effetto della temperatura (3) La concentrazione di portatori intrinseci è data anche da: La concentrazione di portatori intrinseci è data anche da: –m de e m dh sono le densità di massa di stato effettiva di elettroni e lacune –m 0 è la massa dellelettrone libero

37 37 Effetto della temperatura (4) Il gap energetico, in prossimità della temperatura ambiente, è con buona approssimazione lineare con la temperatura Il gap energetico, in prossimità della temperatura ambiente, è con buona approssimazione lineare con la temperatura Silicio Silicio –dE g /dT = -2.8·10 -4 eV/K – E g (300 K)=1.12 eV

38 38 Effetto della temperatura (5) Al crescere della temperatura aumenta lo spettro utile di energia radiante incidente poiché diminuisce E g ed anche fotoni con lunghezze donda più alte sono in grado di generare coppie lacuna-elettrone. Come esempio laumento di temperatura da 300 a 380 K porta ad un aumento della lunghezza donda utile di 19 nm: Al crescere della temperatura aumenta lo spettro utile di energia radiante incidente poiché diminuisce E g ed anche fotoni con lunghezze donda più alte sono in grado di generare coppie lacuna-elettrone. Come esempio laumento di temperatura da 300 a 380 K porta ad un aumento della lunghezza donda utile di 19 nm:

39 39 Effetto della temperatura (6) Il coefficiente di temperatura TC per un generico parametro Z è definito Il coefficiente di temperatura TC per un generico parametro Z è definito La temperatura di riferimento T n è pari a 25 ° La temperatura di riferimento T n è pari a 25 °

40 40 Effetto della temperatura: I ph La corrente fotogenerata è data da La corrente fotogenerata è data da N è la quantità di fotoni con lunghezza donda che colpiscono la cella nellunità di tempo N è la quantità di fotoni con lunghezza donda che colpiscono la cella nellunità di tempo è la risposta spettrale è la risposta spettrale q è la carica dellelettrone q è la carica dellelettrone

41 41 Effetto della temperatura: I ph (1) La potenza incidente spettrale è data da La potenza incidente spettrale è data da La corrente fotogenerata è data quindi da La corrente fotogenerata è data quindi da l è la lunghezza donda utile limite l è la lunghezza donda utile limite

42 42 Effetto della temperatura: I ph (2) Il maggior numero di portatori generato dallaumento della lunghezza donda limite utile al crescere della temperatura si traduce in un aumento della corrente di corto circuito : Il maggior numero di portatori generato dallaumento della lunghezza donda limite utile al crescere della temperatura si traduce in un aumento della corrente di corto circuito :

43 43 Effetto della temperatura: I 0 La diminuzione del gap di energia tra la banda di valenza e quella di conduzione con laumento della temperatura rende possibile lattivazione di un numero maggiore di elettroni per eccitazione termica. La diminuzione del gap di energia tra la banda di valenza e quella di conduzione con laumento della temperatura rende possibile lattivazione di un numero maggiore di elettroni per eccitazione termica. Questi portatori addizionali causano un incremento della corrente inversa I 0 e, di conseguenza, una diminuzione della tensione a circuito aperto V oc Questi portatori addizionali causano un incremento della corrente inversa I 0 e, di conseguenza, una diminuzione della tensione a circuito aperto V oc

44 44 Effetto della temperatura: I 0 (1) Il coefficiente di temperatura della corrente inversa in una giunzione ideale di silicio alla temperatura di 300 K e con E g = 1.12 eV è quindi pari a : Il coefficiente di temperatura della corrente inversa in una giunzione ideale di silicio alla temperatura di 300 K e con E g = 1.12 eV è quindi pari a : (%/K)

45 45 Effetto della temperatura: V oc Nellipotesi in cui R sh >>R s e R sh >>V si ha: Nellipotesi in cui R sh >>R s e R sh >>V si ha: Per I =0 si ottiene Per I =0 si ottiene Al crescere della temperatura, la corrente di saturazione aumenta più velocemente della corrente fotogenerata e questo si traduce in rapido calo della tensione a circuito aperto Al crescere della temperatura, la corrente di saturazione aumenta più velocemente della corrente fotogenerata e questo si traduce in rapido calo della tensione a circuito aperto

46 46 Effetto della temperatura: V oc (1) La dipendenza della tensione di corto circuito con la temperatura è data anche da: La dipendenza della tensione di corto circuito con la temperatura è data anche da: Per una variazione della temperatura della cella da T 0 = 300 K a 260 K si ha il termine (3kT/q) ln(T/T 0 ) 9.6 mV risulta trascurabile per cui la tensione a circuito aperto è approssimativamente una funzione lineare con la temperatura: Per una variazione della temperatura della cella da T 0 = 300 K a 260 K si ha il termine (3kT/q) ln(T/T 0 ) 9.6 mV risulta trascurabile per cui la tensione a circuito aperto è approssimativamente una funzione lineare con la temperatura:

47 47 Effetto della temperatura: V oc (2) La dipendenza della tensione di corto circuito con la temperatura è data anche da: La dipendenza della tensione di corto circuito con la temperatura è data anche da:

48 48 Effetto della temperatura: V oc (3) Nellintervallo 260K < T 0 < 300K il termine (3kT/q)ln(T/T 0 ) risulta trascurabile per cui la tensione a circuito aperto è approssimativamente una funzione lineare con la temperatura: Nellintervallo 260K < T 0 < 300K il termine (3kT/q)ln(T/T 0 ) risulta trascurabile per cui la tensione a circuito aperto è approssimativamente una funzione lineare con la temperatura: Nel caso in cui T 0 = 300K, E g0 = 1.21 eV, e V oc (T 0 ) = 0.55 V, tipico delle celle al silicio, si ottiene dV oc /dT = (mV/K). Nel caso in cui T 0 = 300K, E g0 = 1.21 eV, e V oc (T 0 ) = 0.55 V, tipico delle celle al silicio, si ottiene dV oc /dT = (mV/K).

49 49 Effetto della temperatura: efficienza Laumento della temperatura della cella produce come principale effetto una riduzione della potenza massima in uscita (P MPP ). Laumento della temperatura della cella produce come principale effetto una riduzione della potenza massima in uscita (P MPP ). La diminuzione della tensione a circuito aperto V oc, dovuta alla variazione esponenziale con la temperatura della corrente inversa di saturazione, è compensata solo in piccola parte dal piccolo aumento della corrente di corto circuito I sc. La diminuzione della tensione a circuito aperto V oc, dovuta alla variazione esponenziale con la temperatura della corrente inversa di saturazione, è compensata solo in piccola parte dal piccolo aumento della corrente di corto circuito I sc.

50 50 Effetto della temperatura: efficienza La corrente di corto circuito e la tensione a circuito aperto presentano una proporzionalità diretta allirraggiamento solare, ma la corrente di corto circuito cresce di poco allaumentare della radiazione incidente. La corrente di corto circuito e la tensione a circuito aperto presentano una proporzionalità diretta allirraggiamento solare, ma la corrente di corto circuito cresce di poco allaumentare della radiazione incidente. Risulta molto più evidente il ribasso di V oc dovuto allinnalzamento della temperatura della cella. Risulta molto più evidente il ribasso di V oc dovuto allinnalzamento della temperatura della cella.

51 51 Effetto della temperatura: efficienza Lefficienza di una cella solare o di un pannello è una funzione della propria temperatura T cell e dellirraggiamento secondo la relazione: Lefficienza di una cella solare o di un pannello è una funzione della propria temperatura T cell e dellirraggiamento secondo la relazione: 0 è lefficienza in condizioni di prova normalizzate STC (Standard Test Condition): 0 è lefficienza in condizioni di prova normalizzate STC (Standard Test Condition):

52 52 STC (Standard Test Conditions) Irraggiamento utilizzato per le prove, misurato con un dispositivo di riferimento: Irraggiamento utilizzato per le prove, misurato con un dispositivo di riferimento: –Temperatura della cella T 0 = 25°C ± 2 °C –Potenza irraggiata = 1000 W/m 2 –Spettro solare AM 1.5.

53 53 Effetto della temperatura: efficienza Spesso nellequazione precedente è omesso il termine di dipendenza dalla radiazione incidente e lequazione Spesso nellequazione precedente è omesso il termine di dipendenza dalla radiazione incidente e lequazione valori forniti dai costruttori presentano valori di compresi tra 0.3 e 0.5 %K -1 valori forniti dai costruttori presentano valori di compresi tra 0.3 e 0.5 %K -1

54 54 Effetto della temperatura: efficienza

55 55


Scaricare ppt "1 FONTI RINNOVABILI ENERGIA SOLARE TERMICA ENERGIA SOLARE FOTOVOLTAICA ENERGIA GEOTERMICA ENERGIA EOLICA Reggio Emilia, 26/01/2008."

Presentazioni simili


Annunci Google