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Ischia, 21-23 giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO INFLUENZA DELLE VARIAZIONI TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI MOSFET.

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1 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO INFLUENZA DELLE VARIAZIONI TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI MOSFET DI POTENZA IN AMBIENTE SPAZIALE (A9) G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi

2 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO OUTLINE Introduzione Introduzione Gli effetti da singolo evento nei MOSFET: Gli effetti da singolo evento nei MOSFET: il SEB ed il SEGR il SEB ed il SEGR Il Set-Up sperimentale Il Set-Up sperimentale I risultati sperimentali I risultati sperimentali

3 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO Altitude Flux Factor >10Mev flux (cm -2 h -1 ) Sea level m (Denver) m (Leadville) m J.F. Ziegler – Terrestrial cosmic rays – IBM J. RES. DEVELOP. VOL. 40 NO. 1 JANUARY 1996 INTRODUZIONE

4 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO In un power MOSFET loccorrenza di un SEB distruttivo è legata allattivazione del transistore bipolare parassita nascosto nella struttura SINGLE EVENT BURNOUT (SEB)

5 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO Electric Field In un power MOSFET loccorrenza di un SEGR è legata alla contemporanea presenza di un elevato campo elettrico nellossido di gate e di unelevata concentrazione di lacune nella struttura SINGLE EVENT GATE RUPTURE (SEGR)

6 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO IL SET-UP SPERIMENTALE

7 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO NUOVE GENERAZIONI DI MOSFET DA 200V

8 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO I RISULTATI SPERIMENTALI

9 Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO


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