1 Obiettivi WG1 connessi al WG6 1.Sottosistemi fotonici su silicio/silice per l'elaborazione ottica dei segnali 2.Sottosistemi fotonici ibridi InP silicio/silice 3.Silicon photonics su tecnologia CMOS compatibile 4.Sottosistemi fotonici in InP Partendo da tecnologie consolidate creare uninfrastruttura che offra come servizio il progetto e la realizzazione integrata di sottosistemi per lelaborazione ottica dei segnali sfruttando il know-how già esistente attingendo ai risultati della ricerca di centri esterni offrendo un livello di realizzazione prototipale per prodotti di interesse industriale ed accademico temi strategici Stato attuale (adesione di Corecom): capacità di progettazione e fabbricazione dispositivi passivi in silicio e silice Fase 1: completamento delle attrezzature per la linea di lavorazione dei dispositivi passivi su silicio e silice e per il packaging (obiettivo 1) Fase 2: integrazione ibrida con dispositivi InP da acquistare (acquisizione attrezzatura per molecular bonding) (obiettivo 2) Fase 3: silicon optics (acquisizione macchine per CMOS e la deposizione di germanio) (Obiettivo 3) (risultati: integrazione con lelettronica) Fase 4: realizzazione dispositivi InP (acquisizione e sviluppo competenze, acquisizione di attrezzature per la linea di produzione) (obiettivo 4) evoluzione

2 organizzazione Pirelli IR CNIT requirements technology Italian research centers Technologies/ requirements Industry requirements Integrated prototypes

3 individuazione delle infrastrutture necessarie (Active) Compound Growth Deposition Litography Characterization Molecoular Beam Epitaxy (MBE) Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) Packaging Thermal/Electron Beam Evaporation Sputtering Plasma Enanched Chemical Vapor Deposition (PECVD) Low Ppressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD) Thermal Oxidation … Spinning/Baking Patterning Optical/Direct Litography … Scribing /Breaking Wire/Die Bonding Lapping Pig-tailing … Scanning Electron Microscopy (SEM) Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) Measurment of Dynamical Properties Spectrum analysis … Attack Reactive Ion Etching (RIE) Dry (Plasma) Etching Wet Etching Processes: Clean room facilities GROWTH: MBE reactors Degassing Station DEPOSITION: Plasma enhanced chemical vapour deposition machine (PECVD) Oxidation oven Electron beam evaporators for metal/dielectring coatings Wafer substrate bonding unit with pump LITOGRAPHY/ATTACK/POST-PROCESSING: Mask aligners with UV nano-imprint station. Reactive ion etching (RIE) Rapid thermal annealing system PACKAGING: Scriber / Breaker Lapping / polishing machine Wire and die bonders CHARAXTERIZATION: Light emitter burn-in station Laser diode test station Automated laser measurement station …… EQUIPMENTS: an example list A good european example: International Service Centre for Industry ( (Tampere-Finland)

4 thank you!