Test 3DSS n-holes
Drogaggio e riempimento p-holes: fatti… + + + + + + + + + + + + + + + + supporto Litho p+ Dry etch (fronte/retro) del poly-silicio SPLITTING: definizione del poly o solo «pulizia» della superficie del silicio Immagine superficie dopo rimozione poly-Si S.Ronchin
Reggeranno all’attacco DRIE? supporto Immagine superficie dopo litografia n-holes (allineamento impreciso perché fetta di test non aveva mask 0) Deposizione TEOS Litho fori giunzione DRIE Il test precedente era stato fatto con maschera diversa e 4 µm di poly: ho verificato che anche 2 µm fossero sufficienti…. S.Ronchin
Ha retto l’attacco!!!! Reggeranno all’attacco DRIE? supporto Immagine superficie dopo attacco DRIE 32’ SDE+7’ HER (per ottenere fori profondi 110µm) Litho fori giunzione DRIE Ha retto l’attacco!!!! S.Ronchin
doping, litho e rimozione 3DSS p-holes poly: doping, litho e rimozione
supporto B B 1)Poly dep 500 nm 2)B-doping (foro da 3-4 um) + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + supporto + + + + + + + + 1)Poly dep 500 nm 2)B-doping (foro da 3-4 um) 3)P-glass e BHF su poly S.Ronchin
supporto 3) Poly dep 2000 nm (riempimento) + + + + + + + + + + + + S.Ronchin
Attacco 2’40 sec Attacco 2’40 sec+20 sec Attacco 2’40 sec+20 sec