? Teoria degli Orbitali Molecolari Molecole paramagnetiche Comportamento di specie radicaliche Risonanza Teoria degli Orbitali Molecolari ? con E simili e Giusta simmetria/ sovrapposizione in fase Da combinazione lineare di due orbitali atomici ψ1sA e ψ1sB > due orbitali molecolari: σ1s = C1 [ψ1sA + ψ1sB] σ1s# = C2 [ψ1sA - ψ1sB] con distribuzione di probabilità elettronica: (σ1s)2 = C12 [(ψ1sA)2 + (ψ1sB)2 + 2 ψ1sA ψ1sB] legante (σ1s #)2 = C22 [(ψ1sA)2 + (ψ1sB)2 - 2 ψ1sA ψ1sB] antilegante Split di E H2+
X O2 N2 Diagrammi di correlazione H2+ H2 He2+ He2 O.L. = 2 O.L. = 3 Da O.A. → O.M. ordinati per E crescenti Da ns: σns e σns* Da np: σnpz e σnpz* ; πnpx/y e πnpx/y* Riempimento O.M. regole Aufbau X He2+ He2 Ordine di legame = ½ (ne-L - ne-AL ) la condivisione deve avvenire su un orbitale molecolare legante O2 N2 O.L. = 2 O.L. = 3
per molecole biatomiche con elementi del II periodo sequenza degli o.m. per molecole biatomiche con elementi del II periodo da Li2 a N2 da O2 a Ne2 molecole biatomiche eteronucleari HF B più elettronegativo di A: legante più vicino a B antilegante più vicino a A
Molecole polielettroniche Come descrivere il legame? CO3-- con O.M. localizzati ↓ legami σ geometria 1 2 con O.M. delocalizzati ↓ legami π Sistemi coniugati Benzene C6H6
¾ degli elementi sono metalli: 1° e 2° gruppo, gli elementi di transizione e qualche altro. Il legame metallico - Elevata conducibilità elettrica e termica (flusso di e- se ddp o T) - Effetto fotoelettrico e termoionico (estrazione di e- con luce o per T) - Duttilità e malleabilità (riducibili in fili e lamine) - Lucentezza (assorbono tutte le radiazioni e riemettono in tutte le direzioni) - Elettropositività (bassi valori di EI) caratteristiche dei metalli: elevata mobilità degli elettroni Teoria OM Sistema a bande di energia nel litio metallico Cristallo metallico Li2 Li6 Cristallo ionico Effetto dello slittamento dei piani reticolari
Per i solidi in generale Numero crescente di atomi del metallo Conducibilità Per i solidi in generale conduttori semiconduttori tipo n isolanti ≤ kT tipo p