PROPRIETÀ ELETTRICHE DELLA MEMBRANA NEURONALE E CANALI IONICI
LA MEMBRANA NEURONALE: PROPRIETÀ CAPACITIVE E PROPRIETÀ RESISTIVE
La membrana plasmatica dal punto di vista elettrico
Il potenziale transmembranario dipende da una separazione di cariche
La membrana neuronale: circuito equivalente
CORRENTI TRANSMEMBRANARIE PASSIVE E POTENZIALE DI MEMBRANA DI RIPOSO
L’equazione di Goldman cn(i) cn(o)·e(zn·F/RT)·Vm Jn = (zn2·F2/RT)·Pn·Vm· —————————— 1 e(zn·F/RT)· Vm
Relazioni corrente-voltaggio secondo Goldman
L’equazione di Goldman-Hodgkin-Katz (GHK) PNa·[Na+]o + PK·[K+]o + PCl·[Cl]i Vm = (RT / F) · ln —————————————— PNa·[Na+]i + PK·[K+]i + PCl·[Cl]o
La legge di Ohm estesa In = Gn · (V Vn) Gn = In / (V Vn)
Una nuova versione del circuito equivalente di membrana (I)
Relazioni corrente-voltaggio secondo Ohm (legge estesa)
CORRENTI VOLTAGGIO-DIPENDENTI (ATTIVE)
Rettificazioni su base attiva Rettificazione uscente Rettificazioni su base attiva Rettificazione entrante
Una nuova versione del circuito equivalente di membrana (II)
La legge di Boltzmann p2 u2 u1 — = exp ———— p1 kB·T ( )
La relazione di Boltzmann per transizioni voltaggio-dipendenti (I) C O (open) (closed) O w zg·e+·Vm — = exp ——————— (zg: valenza della carica di gating) C kB·T ( ) O 1 ——— = ————————————— O + C 1 + exp[(w zg·e+·Vm)/kB·T]
La relazione di Boltzmann per transizioni voltaggio-dipendenti (II) O 1 w/zg·e+ = V½ ——— = ————————— O + C 1 + exp[(V½ Vm)/k] k = kB·T/(zg·e+)
La relazione di Boltzmann per transizioni voltaggio-dipendenti (III)
Rettificazioni su base attiva