SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio 2005 SHARPS Self-resetting High-gain Active Radiation Pixel Sensors E.C. anno 2006 (2/3) (3) Dipartimento di Ingegneria dellInformazione Università di Parma - Italy Università di Parma - Italy (1) Istituto Nazionale di Fisica Nucleare Sezione di Perugia – Italy Sezione di Perugia – Italy (2) Dipartimento di Ingegneria Elettronica e dellInformazione Università degli Studi di Perugia - Italy

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Messa a punto del banco ottico laser. Messa a punto del banco ottico laser. Caratterizzazione di sorgenti di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggi-x). Caratterizzazione di sorgenti di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggi-x). Test dei sensori RAPS01 in differenti condizioni di irraggiamento (alfa, gamma, raggi-x). Test dei sensori RAPS01 in differenti condizioni di irraggiamento (alfa, gamma, raggi-x). Caratterizzazione elettrica e funzionale (luce visibile, laser IR) dei sensori RAPS02. Caratterizzazione elettrica e funzionale (luce visibile, laser IR) dei sensori RAPS02. Risultati raggiunti (2005)

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Messa a punto del banco ottico

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Test RAPS01 Risposta a raggi gamma (Europio 122 KeV – 1.4 MeV) Risposta a raggi x (E max = 10KeV, i = 25mA)

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Test RAPS02 G1P1 G1P0 G1P0large dark light WIPS Uniformità di risposta (matrice di test 3x3) Risposta alla luce (strutture APS e WIPS)

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Analisi dei risultati del test del chip RAPS01 con sorgenti radioattive di diversa natura (gamma e raggix in particolare); Analisi dei risultati del test del chip RAPS01 con sorgenti radioattive di diversa natura (gamma e raggix in particolare); completamento della caratterizzazione del chip RAPS01; completamento della caratterizzazione del chip RAPS01; completamento della caratterizzazione elettrica e funzionale del chip RAPS02, in particolare delle diverse modalità operative (lettura singolo pixel, fullframe, opzioni di self reset); completamento della caratterizzazione elettrica e funzionale del chip RAPS02, in particolare delle diverse modalità operative (lettura singolo pixel, fullframe, opzioni di self reset); caratterizzazione del chip RAPS02 con sorgenti radioattive di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggix). caratterizzazione del chip RAPS02 con sorgenti radioattive di diversa natura (alfa, beta, gamma, raggix). caratterizzazione della resistenza alla radiazione dei chip RAPS01 e RAPS02. caratterizzazione della resistenza alla radiazione dei chip RAPS01 e RAPS02. Attività prevista (2005)

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Identificazione e definizione completa delle specifiche dei sensori prototipo già disponibili. Definizione dell'ambito applicativo e delle specifiche di un nuovo sensore CMOS VLSI (SHARPS01): pianificazione e progetto dei pixel attivi; pianificazione e progetto dei pixel attivi; progetto sottosistemi di lettura e controllo; progetto sottosistemi di lettura e controllo; progetto strutture di test; progetto strutture di test; integrazione del layout completo. integrazione del layout completo. Attività prevista (2006)

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Composizione del gruppo di ricerca. Composizione del gruppo di ricerca.Composizione RICERCATORI Bilei Gian MarioI Ric20 Borio RitaP.A.30 Ciampolini PaoloP.O.70 Delfanti PaoloDott.100 Marras AlessandroDott.100 Matrella GuidoAs.Ric.100 Passeri DanieleR.U.70 Placidi PisanaR.U.70 Salvadori PaoloP.O.20 Servoli LeonelloRic.20 TECNOLOGI Forini NevioR.U.30 TECNICI Rongoni Alba20 Piero Degli Esposti30 Daniela Maria Stefania Saetta FTE

SHARPS – INFN Sez. di Perugia Gr. V – 12 Luglio /9 Preventivo di spesa. Preventivo di spesa. Preventivo di spesa M.I. 8 k M.E.12 k Mat. Consumo25 k Mat. Inventariabile: 8 k 53 k