Realizzazione di impedenze

Presentazione sul tema: "Realizzazione di impedenze"— Transcript della presentazione:

1 Realizzazione di impedenze
Impedenze distribuite Impedenze concentrate

2 Impedenze distribuite

3 Parametri primari e secondari di una linea di trasmissione

4 Linea chiusa su carico Se ZL= 0 Z(-l) = jZ0tanl
Se ZL=  Y(-l) = jY0tanl Z(-l) = -jZ0cotanl Se ZL= Z0 Z(-l) = Z0

5 Induttanza Se l << /10 il circuito è assimilabile ad un’induttanza Z(-l) = jZ0tanl  jZ0 l = jZ0 ( / c) l = j  Leq Leq = Z0l /  = Z0l / c = L'l

6 Capacità Se l << /10 il circuito è assimilabile ad una capacità
Y(-l) = jY0tanl  jY0 l = jY0 ( / c) l = j  Ceq Ceq = Y0l /  = Y0l / c = C'l

7 Induttanza + carico Se l << /10 e Z0 >> mod( ZL)
il circuito è assimilabile ad un’induttanza in serie al carico

8 Induttanza + carico (segue)
Se l << /10 e Z0 >> mod( ZL ) Z(-l)  ZL + jZ0l = ZL + jZ0 ( / c) l = ZL + j  Leq Leq = Z0l / c = L'l

9 Capacità + carico Se l << /10 e Z0 << mod( ZL)
il circuito è assimilabile ad una capacità in parallelo al carico CEQ = Y0 l / c = C' l

10 Realizzazione su microstriscia di impedenze distribuite
Induttanza serie e parallelo Capacità parallelo e serie Circuito risonante serie Circuito risonante parallelo

11 Induttanza serie e parallelo
L < 2-3 nH Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

12 Capacità parallelo e serie
C < 0.2 pF Nei modelli trascuro i parassiti delle discontinuità

13 Circuiti risonanti e antirisonanti in parallelo alla linea

14 Impedenze concentrate

15 Impedenze concentrate
Con questa dizione si intendono componenti le cui dimensioni sono piccole rispetto alle lunghezze d’onda in gioco. Grazie all’uso di tecniche fotolitografiche è oggi possibile realizzare elementi concentrati a frequenze fino a 60 GHz Vantaggi sono le ridotte dimensioni e un comportamento abbastanza costante su ampie bande Svantaggi sono i Q più bassi rispetto a quelli ottenibili con elementi distribuiti

16 Linea corta Per linee corte l < /10 ( =  l)

17 Rete a pi-greco

18 Analogia Affinché le due matrici si riferiscano
allo stesso componente deve essere: operando su B operando su A

19 Conclusioni Un tratto di linea breve può essere rappresentato tramite
una rete a pi greco in cui L2 e C1 sono legati ai parametri primari del tratto di linea

20 Induttanza a loop LTOT < 1 nH

21 Induttanza a spirale Lunghezza totale < /20 LTOT < 20 nH
Rispetto al caso precedente si evidenzia la non simmetria del circuito Cp1  Cp2 e la presenza di una capacità di shunt legata al ponte in aria.

22 Capacità interdigitata
C < 1 pF

23 Capacità MIM C < 25 pF

24 Circuito antirisonante e risonante

25 Resistenza a film metallico
Tipicamente si usano Nichel Cromo o Tantalio l t l R = l/S = l/lt =  / t non dipende dal lato del quadrato Si misura in ·

26 Resistenza a film semiconduttore
Si realizza una piazzola di semiconduttore su di un substrato semi-isolante