CONFRONTO 340e - 382. Mappe a –200 V Yield: 74 % 340e 21 % Yield: 21 % 382.

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1 CONFRONTO 340e - 382

2 Mappe a –200 V Yield: 74 % 340e 21 % Yield: 21 % 382

3 Mappe a -600V Yield 68%Yield 16%

4 Caratteristiche dirette

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6 Electron mobility

7 Correnti inverse a –200V 10 Reverse leakage current at -200V (A) 10 Reverse leakage current at -200V (A)

8 Correnti inverse a -600V 10 Reverse leakage current at -600V (A) 10 Reverse leakage current at -600V (A)

9 Caratteristiche inverse

10 Disuniformità 382

11 Non si apprezzano differenze significative nelle caratteristiche dirette al variare della concentrazione di drogante

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14 Correlazione tra intensità di corrente e difetti

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19 Non si notano correlazioni evidenti tra le caratteristiche dirette e le concentrazioni di drogante

20 Breakdown

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23 Barrier height vs ideality factor

24 Richardson plot

25 Dopant concentration

26 Diode area forward characteristics

27 Diode area reverse characteristics

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29 382 diode n. 307

30 382 diode n. 343

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