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Test 3DSS n-holes
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Drogaggio e riempimento p-holes: fatti…
supporto Litho p+ Dry etch (fronte/retro) del poly-silicio SPLITTING: definizione del poly o solo «pulizia» della superficie del silicio Immagine superficie dopo rimozione poly-Si S.Ronchin
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Reggeranno all’attacco DRIE?
supporto Immagine superficie dopo litografia n-holes (allineamento impreciso perché fetta di test non aveva mask 0) Deposizione TEOS Litho fori giunzione DRIE Il test precedente era stato fatto con maschera diversa e 4 µm di poly: ho verificato che anche 2 µm fossero sufficienti…. S.Ronchin
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Ha retto l’attacco!!!! Reggeranno all’attacco DRIE? supporto
Immagine superficie dopo attacco DRIE 32’ SDE+7’ HER (per ottenere fori profondi 110µm) Litho fori giunzione DRIE Ha retto l’attacco!!!! S.Ronchin
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doping, litho e rimozione
3DSS p-holes poly: doping, litho e rimozione
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supporto B B 1)Poly dep 500 nm 2)B-doping (foro da 3-4 um)
supporto 1)Poly dep 500 nm 2)B-doping (foro da 3-4 um) 3)P-glass e BHF su poly S.Ronchin
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supporto 3) Poly dep 2000 nm (riempimento) + + + + + + + + + + + +
S.Ronchin
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Attacco 2’40 sec Attacco 2’40 sec+20 sec Attacco 2’40 sec+20 sec
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