PRIN 2008 SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN 4H-SiC: DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA Sottomesso 16feb2009 Valutazione entro.

Presentazione sul tema: "PRIN 2008 SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN 4H-SiC: DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA Sottomesso 16feb2009 Valutazione entro."— Transcript della presentazione:

1 PRIN 2008 SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN 4H-SiC: DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA Sottomesso 16feb2009 Valutazione entro fine anno? ERC – Advanced Grants A NOVEL ULTRA-FAST MICROWAVE PROCESSING FOR MAKING HIGH PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICES (UMFP) Sottomesso 25mar2009 Valutazione entro fine anno Italia-Brasile 2008-2010 SVILUPPO DEL MATERIALE DIELETTRICO SiO 2 PER UN POTENZIALE USO IN UNA MICRO-ELETTRONICA E NANO-ELETTRONICA A BASE DI SiC Sottomesso 30lug2008 Valutazione 15mag2009 Roberta Nipoti Richieste di finanziamento in corso

2 PRIN 2008 SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN 4H-SiC: DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA

3 UNIPOLAR BIPOLAR PRIN 2008 SVILUPPO DI TRANSISTORI DI POTENZA BIPOLARI (BMFET) IN 4H-SiC: DESIGN, CARATTERIZZAZIONE E TECNOLOGIA

4 PRIN 2008 Attività IMM-Bologna massimizzare attivazione elettrica imp. ionico perP + 10 20 cm -2 Al + 10 20 cm -2 valutare la concentrazione di portatori rispetto alla concentrazione di drogante sostituzionale ( Scaburri ) simulare il profilo 2D del drogante impiantato a bordo maschera ( Lulli ) disegnare maschere BMFET ( Moscatelli ) fabbricare i dispositivi BMFET caratterizare i dipositivi su wafer ( Moscatelli ) 2 anni di attività Costo IMM-Bo 142 k chiesti 95 k Gli altri partecipanti al progetto: Università di Salerno, Prof. Salvatore Bellone (coordinatore) Università Mediterranea di Reggio Calabria, Prof. Francesco Della Corte

5 ERC – Advanced Grants A NOVEL ULTRA-FAST MICROWAVE PROCESSING FOR MAKING HIGH PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICES (UMFP) Al + impiantato in 4H-SiC Attività: Studiare lattivazione elettrica e la ricostruzione del danno reticolare in funzione della concentrazione dimpianto per droganti sia di tipo p che di tipo n nei seguenti semiconduttori: SiC, GaN, ZnO e Si Per alcuni materiali fabbricare dispositivi che dimostrino i vantaggi dellUFMP rispetto a trattamenti termici convenzionali: Diodi su SiC, GaN BMFET su SiC 4 anni di attività costo del progetto 1294 k contributo richiesto 782 k Grant al PI Host Institution IMM-Bo

6 Italia-Brasile 2008-2010 SVILUPPO DEL MATERIALE DIELETTRICO SiO 2 PER UN POTENZIALE USO IN UNA MICRO-ELETTRONICA E NANO-ELETTRONICA A BASE DI SiC SiO 2 SiC N 15 O 18 N 15 D it Partner : Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Prof.ssa Fernanda Chiarello Stedile 3 anni di attività Finanziate 2 visite per anno e per laboratorio