I FET (Field-effect Transistor)

Presentazione sul tema: "I FET (Field-effect Transistor)"— Transcript della presentazione:

1 I FET (Field-effect Transistor)
Corso di recupero di Fondamenti di Elettronica – Università di Palermo A.A

2 Modello intuitivo I V 3 2 1 FET 3 2 1 I (flusso di corrente) + V
(tensione di comando) + 2 V 1

3 Tipi di FET MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
JFET (junction FET) MESFET (metal-semiconductor FET)

4 Caratteristiche dei FET
il loro funzionamento dipende dal flusso dei soli portatori maggioritari e pertanto sono dei dispositivi unipolari sono più semplici da realizzare rispetto ai transistori bipolari a giunzione (BJT) e nella forma integrata occupano meno spazio 3. presentano una elevata impedenza di ingresso (MW) 4. sono affetti da un “rumore” inferiore a quello presentato dai BJT 5. possono funzionare molto bene come interruttori

5 MOSFET ad arricchimento (enhancement MOSFET)

6 MOSFET ad arricchimento: formazione del canale
tensione di soglia Vt canale p canale n n+ n+ p

7 Caratteristiche I-V Se la tensione vGS aumenta (per vDS < 0,1 – 0,2 V) proporzionalmente aumenta la conduttanza del canale

8 Caratteristiche I-V: strozzamento del canale
6 2 5 4 3 1 2 3 4 5 vDS = vGS - Vt canale in pinch-off

9 Caratteristiche I-V d’uscita
verso convenzionale

10 Modulazione della lunghezza del canale
vDS > vGS - Vt

11 MOSFET a svuotamento (depletion MOSFET)
G D _ + n n n p canale già esistente

12 MOSFET a svuotamento (depletion MOSFET)
G D _ + n n n p se vGS < Vt (negativa) cut-off se vGS > 0 MOSFET ad arricchimento!

13 MOSFET a svuotamento canale n canale p

14 MOSFET: limiti di utilizzo e precauzioni per l’uso
vGS se vGS > 50 V (circa) rottura dell’ossido per accumulo di carica elettrostatica

15 JFET canale n canale p

16 Dispositivi in GaAs me più grande VANTAGGI SVANTAGGI
enormi investimenti spesi dalle industrie per consolidare la tecnologia del silicio me più grande v più elevata tecnologia non ancora matura per quanto riguarda affidabilità e produzione I più elevate carica e scarica di C più rapida mobilità delle lacune molto bassa no FET a canale p (… e no CMOS)

17 Dispositivi in GaAs: il MESFET
MESFET a svuotamento (…come un n-JFET)