SORGENTI a SEMICONDUTTORE Diodi emettitori di luce (LED) Diodi laser (LD)

Presentazione sul tema: "SORGENTI a SEMICONDUTTORE Diodi emettitori di luce (LED) Diodi laser (LD)"— Transcript della presentazione:

1 SORGENTI a SEMICONDUTTORE Diodi emettitori di luce (LED) Diodi laser (LD)

2 Modello dellatomo J.J. Thomson (fine 800) Sfera di carica positiva nella quale stanno immersi i grumi di carica negativa (elettroni) Ernest Rutherford (1911) La carica positiva è concentrata in un nucleo (10 5 volte più piccolo dellatomo) Orbita dellelettrone qualsiasi purchè: Niels Bohr (1913): Livelli discreti Transizioni accompagnate da assorbimento o emissione di quanti di energia h = E 1 - E 2

3 Livelli e Bande di energia Banda di valenza : banda riempita di energia più alta (T = 0 K) Banda di conduzione: banda vuota superiore (T = 0 K) Rappresentazione schematica di come i livelli di energia di atomi interagenti formino bande di energia al decrescere della distanza interatomica

4 Diagramma a bande di energia E banda di valenza banda di conduzione coordinata locale E isolanti conduttori EgEg EcEc EvEv

5 Funzione di Fermi-Dirac Considerando che gli elettroni obbediscono al Principio di esclusione di Pauli, la probabilità che un particolare livello di energia sia occupato, alla temperatura T, è data dalla statistica di Fermi-Dirac. La distribuzione di Fermi-Dirac è data da: per E = E F F(E) = 1/2 qualsiasi sia T E F = livello di Fermi

6 Semiconduttori intrinseci (T= 0°K) vuota piena Diagramma a bande di energia Funzione di Fermi-Dirac probab. 0% [(f(E)=0] che i livelli di energia siano occupati da un elettrone probab. 100% [(f(E)=1] che i livelli di energia siano occupati da un elettrone

7 Semiconduttori intrinseci (T> 0°K) f(E) = probabilità che un certo stato di energia sia riempito da un elettrone 1-f(E) = probabilità che sia vuoto f(E) = funzione di Fermi-Dirac

8 Semiconduttori drogati n

9 Semiconduttori drogati p

10 E Fp o o o o o o...... E Fn b. di conduzione b. di valenza Semiconduttori drogati

11 Giunzione p-n non polarizzata (allequilibrio termico) V 0 = potenziale di contatto n p = concentrazione di elettroni nella b. di conduzione del tipo p n e = concentrazione di elettroni nella b. di conduzione del tipo n o o.... EFEF eV 0 EgEg la barriera di potenziale impedisce il flusso di cariche livello di Fermi

12 E Fn e(V 0 -V) EgEg eV + V - V Giunzione p-n polarizzata direttamente LED (Light Emitting Diode) = E g / h o o.... EFpEFp la polarizzazione diretta fa diminuire la barriera di potenziale. Si ha un flusso di cariche (corrente) di energia sufficiente a superare la barriera. Per effetto dell inversione di popolazione che si crea fra b. di conduzione e b. di valenza, alcune coppie si ricombinano dando luogo allemissione di fotoni

13 Se i semiconduttori sono fortemente drogati, il livello di Fermi (quasi Fermi level) va a trovarsi allinterno della banda di conduzione per i semiconduttori di tipo n (n + ) e allinterno della banda di valenza per i semiconduttori di tipo p (p + ). Si usano alti drogaggi per aumentare la probabilità di ricombinazione radiativa delle coppie elettrone-lacuna. La figura sottostante mostra il diagramma di energia di una giunzione p + -n +, polarizzata in modo diretto. Giunzione p-n fortemente drogata da: B.E.A. Saleh, M.C.Teich, Fundamental of Photonics, p.601

14 - V + V o o o... EFEF e(V 0 + V) EgEg eV E Fn EFpEFp Giunzione p-n polarizzata inversamente la polarizzazione inversa aumenta la barriera di potenziale

15 da: S.O.Kasap, Optoelectronics and Photonics, Prentice Hall, 2001

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22 Diodi Emettitori di Luce (LED) Giunzione p-n polarizzata direttamente La luce è generata per emissione spontanea Tipica configurazione di un LED:

23 Tipica curva caratteristica di un LED : andamento della intensità luminosa vs. corrente diretta Tipico spettro di un LED (GaAsP, emissione nel rosso) : intensità luminosa vs. lunghezza donda

24 Riduzione delle perdite per riflessione nei LED da: S.O.Kasap, Optoelectronics and Photonics, Prentice Hall, 2001

25 Vari tipi di LED

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27 LEDs per comunicazioni ottiche SLED emittenti dalla superficie (tipo Burrus) ELED emittenti dal bordo fascio ellittico

28 Accoppiamento con fibre ottiche nei SLED

29 Accoppiamento con fibre ottiche nei ELED

30 La lunghezza donda di emissione di un LED dipende dal tipo di materiali costituenti la giunzione, cioè dal gap di energia E g fra banda di conduzione e banda di valenza h c / E g es: GaAs (E g = 1.443 eV) 0.86 m InGaAs (E g 1 eV) 1.25 m GaP (E g 2.26 eV) 549 nm h = 6.63 ·10 -34 J ·s = 4.1 ·10 -15 eV ·s h c = 1.24 ·10 -6 eV · m Lunghezza donda di emissione dei LED

31 efficienza quantica interna se in una giunzione polarizzata direttamente si considera il numero totale di coppie elettrone-lacuna che si ricombinano, int indica quale frazione di tali coppie dà luogo allemissione di un fotone. (Non tutte le ricombinazioni danno luogo ad emissione di fotoni, ad es. alcune danno luogo ad emissione di fononi, cioè a vibrazioni del reticolo) int = [(n° ricombinazioni radiative) / (n° ricombinazioni totali)] ·100 Efficienza quantica di un LED efficienza quantica esterna ex t esprime lefficienza nella conversione dellenergia elettrica in energia ottica emessa. (Comprende lefficienza interna e lefficienza di estrazione dei fotoni dal dispositivo). (Tiene conto del fatto che alcuni fotoni emessi vengono riassorbiti e, inoltre, del fatto che esistono varie riflessioni alle interfacce) ext = [(Potenza ottica) / (Potenza elettrica)] ·100 dove: Potenza elettrica V ·I

32 da: B.E.A. Saleh, M.C.Teich, Fundamental of Photonics, p.605

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34 da: J. Wilson, J. Hawkes, Optoelectronics, Prentice Hall Europe, 1998

35 LED a luce bianca La luce bianca è ottenuta con 3 differenti metodi: combinando nelle opportune proporzioni la luce di 3 LEDs RGB (rosso, verde, blu) combinando un LED UV(ultravioletto) con fosfori RGB combinando un LED blu GaN (nitruro di gallio) emittente a 450-470 nm, con fosfori

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38 Schema semplificato per il pilotaggio di un LED

39 Schemi semplificati per la modulazione di un LED

40 modulazione digitale modulazione analogica

41 Laser a semiconduttore (LD) Per aumentare linversione di popolazione (e favorire lemissione stimolata) la giunzione è formata di solito da materiali p e n molto drogati. In un materiale di tipo n molto drogato (n + ) il livello di Fermi si trova nella banda di conduzione; per un materiale di tipo p molto drogato (p + ) il livello di Fermi si trova nella banda di valenza Principio di funzionamento simile a quello dei LED La giunzione p-n costituisce il mezzo attivo. Per ottenere leffetto laser occorrono: inversione di popolazione e feedback ottico (emissione stimolata)

42 Feedback ottico nei diodi laser La cavità risonante dei diodi laser (necessaria per ottenere un feedback ottico positivo) viene realizzata senza inserire specchi, ma semplicemente lavorando otticamente le superfici del cristallo. Lindice di rifrazione elevato dei semiconduttori (es. n=3.6 per il GaAs) fa in modo che la riflessione allinterfaccia con laria sia sufficientemente elevata ( 32%) Dallequaz. di Fresnel, la riflettanza è: R = (n 2 - n 1 ) 2 / (n 2 + n 1 ) 2 Nel caso di GaAs n 2 = 3.6 quindi: R = (3.6 -1) 2 / (3.6 + 1) 2 = 0.32

43 Caratteristica intensità luminosa - corrente di un diodo laser sensibilità alla temperatura della caratteristica di un diodo laser

44 Diodo Laser vs.LED confronto fra lo spettro di emissione dei un LD e quello di un LED confronto fra la potenza ottica di uscita vs. corrente di un LD e di un LED da: Tinge Li, Topics in lightwave transmission systems, Academic Press, 1991

45 Leffetto laser si ha solo quando il guadagno ottico del mezzo supera la perdita di fotoni dalla cavità. Ciò richiede che la corrente del diodo sia maggiore della corrente di soglia I th. Al di sotto di I th si ha emissione spontanea. La luce, in questo caso, è composta da fotoni incoerenti emessi in modo casuale (il dispositivo si comporta come un LED). Laser: potenza ottica vs. corrente

46 Singola giunzione (homojunction) La concentrazione delle cariche iniettate diminuisce secondo una legge esponenziale, determinando una diffusione al di fuori della regione di ricombinazione. Quindi, una frazione considerevole delle cariche minoritarie, non contribuisce allemissione stimolata. Ciò determina la necessità di alte correnti per raggiungere la soglia di emissione stimolata I materiali costituenti la giunzione hanno lo stesso gap di energia E g

47 Laser a singola giunzione (homojunction laser) corrente di soglia troppo alta (alta temperatura della giunzione)

48 Eterogiunzioni- Confinamento delle cariche

49 Confinamento elettrico e ottico

50 Doppia eterogiunzione corrente di soglia bassa Confinamento elettrico ottico notare!

51 Struttura interna di un modulo laser per comunicazioni ottiche diodo laser (LD) + fotodiodo (PD) LD polarizzato direttamente PD polarizzato inversamente Una parte dellemissione del LD è raccolta dal PD, che fornisce un segnale di feedback utile per regolare la potenza emessa dal LD LDC = Laser Diode Cathode PDA = Photo Diode Anode COM+ = Common Positive Terminal Poichè la risposta dei LD è sensibile alla temperatura, di solito questi moduli includono anche un sistema di termostatizzazione della giunzione del LD, realizzato con celle Peltier. Un tale sistema è detto Termo Electic Cooler (TEC) optical fiber or

52 Modulo laser DIL-14 package

53 Termo Electric Cooler

54 modulo laser butterfly package

55 Schema semplificato di alimentatore per moduli laser

56 Esempio di semplice sistema di trasmissione digitale in fibra ottica