PRIN 2005-linea Si-strip attività di simulazione numerica Tipi di rivelatori: strip FZ singola e doppia faccia Epitaxial Thinned (backside etch) 3D FZ/CZ,

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1 PRIN 2005-linea Si-strip attività di simulazione numerica Tipi di rivelatori: strip FZ singola e doppia faccia Epitaxial Thinned (backside etch) 3D FZ/CZ, p-sub o n-sub ??? Singola o doppia colonna (n e p) ??? Buchi passanti vs buchi parziali ??? Active edge ???

2 Attività strip: Simulazione di Vdep, altezza di segnale, tempo di raccolta, CCE e risoluzione per MIP: impatto dello spessore per i diversi tipi di rivelatori con geometrie standard ottimizzazione geometrie: quali parametri? dipendenza dellenergy loss dallo spessore? Simulazioni mixed-mode detector + preamplificatore: front-end standard ibrido front-end integrato: Jfet? Bjt?? Simulazione del danno da radiazione: quali particelle e quali fluenze? quali meccanismi?: oxide charges? type inversion? donor generation in epi-detectors? effetti su Vdep, leakage current, carrier mean free path e CCE, isolamento lato ohmico, …

3 Attività 3d: Simulazioni parametri elettrici (Vdep, campi elettrici, capacita parassite) al variare della tipologia, delle geometrie e del drogaggio (Spessori sottili ???) Simulazioni dinamiche con MIP: altezza di segnale, tempo di raccolta, CCE, risoluzione spaziale ??? Active edge: simulazione dead-area ??? Simulazioni mixed-mode detector + preamplificatore: front-end standard ibrido Simulazione del danno da radiazione: quali particelle e quali fluenze? quali meccanismi?: oxide charges? type inversion? effetti su Vdep, leakage current, carrier mean free path e CCE, isolamento lato ohmico ???

4 PRIN 2005-linea Si-strips attività di fabbricazione IRST + caratterizzazione elettrica Fabbricazione: quanti batch (1 o 2 ?) Per quali tipologie di rivelatori ?? strips FZ singola e doppia faccia ??? Epitaxial ??? Thinned (backside etch) ??? 3D ??? Caratterizzazione elettrica : test manuale + scan automatico

5 PRIN 2005-linea Si-strips attività di progetto e caratterizzazione elettro-ottica Layout: Strips 3D ??? Caratterizzazione elettro-ottica: - test dinamico in risposta ad impulsi LASER veloci (980nm, 1ns) (per singolo canale)

6 Composizione gruppi UniTN: -1 PA -1 dottorando (dedicato) -1 tecnico laureato (2 mesi uomo) -1 persona a contratto sul progetto + personale IRST UniMO: -2 PA -1 persona a contratto sul progetto