Bibliografia: J. Singh “Semiconductor Devices

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1 Bibliografia: J. Singh “Semiconductor Devices
Bibliografia: J. Singh “Semiconductor Devices. Basic Principles”, John Wiley & Sons C. Kittel “Introduzione alla Fisica dello Stato Solido” Ed. Boringhieri Ashcroft N.W., Mermin N.D. – “Solid State Physics” B.G. Streetman, S.K. Banerjee “Solid State Electronic Devices” Pearson International Edition B. S.M. Sze “Semiconductor Devices: Phyisics and Technology” Ed. Wiley (cap1-5) E.F. Schubert “Physical Foundations of Solid State Devices”, New York 2005 Per approfondire: R. F. Pierret ”Semiconductor Device Fundamentals”, Ed. Addison Wesley Sapoval, C. Hermann, “Physics of Semiconductors”, Ed Springer Verlag J. Singh “Semiconductor Optoelectronics Physics and Technology”, Mac Graw Hill E.F. Schubert “Physical Foundation of Solid State Devices” (cap ) dei Dispositivi a Stato solido/ LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

2 Crisi della descrizione classica del mondo fisico
Radiazione in cavità (Catastrofe UV) + Effetto fotoelettrico  Fotoni hn (h=6.626 x 10-34J s n=1015Hz) Radioattività Superconduttività a bassa temperatura Spettri atomici discreti  bande nei solidi LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

3 Spettri atomici Spettri atomici (assorb e emiss) raggruppati in serie di linee spettrali Per l’idrogeno le serie prendono il nome da Lyman, Balmer, Paschen ecc. Differenze tra livelli energetici discreti (L m=1n, B m=2n, P m=3n e viceversa) {hkl} Rydberg LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

4 Ipotesi di de Broglie Dualismo onda particella. Elettrone è descritto anche da onda. Relazione tra lunghezza d’onda e impulso = h/p Dipende dalla scala dell’oggetto con cui interagisce l’onda/particella Se molto più grande descrizione particella altrimenti onda L’energia cinetica può allora essere scritta come In presenza di energia potenziale l’energia totale della particella sarà la somma dell’energia cinetica e di quella potenziale E=K+U LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

5 Operatori quantistici
In meccanica quantistica gli osservabili sono operatori che agiscono sulla funzione d'onda Calcoliamo la lunghezza d'onda associata ad una energia di 1 eV nel caso di: a) fotone; b) elettrone; c) neutrone a) b) c) LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

6 Equazione di Schrödinger
Particella libera non soggetta a potenziale Onda piana Hamiltoniana nella forma più generale LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

7 Equazione di Schrödinger
Particella libera non soggetta a potenziale Onda piana Eq. Schrödinger LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

8 Elettroni liberi di muoversi in un potenziale uniforme (zero).
Gli elettroni in un solido possono essere considerati come se fossero “liberi” sotto alcune condizioni addizionali Relazione di dispersione Normalizzazione LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

9 Banda di energia Le energie permesse per l'elettrone libero formano una banda continua che parte da V0 in su k= V0 Relazione E-k o di dispersione Intervallo di energie permesso Intervallo di energie proibito LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

10 Densità degli stati DOS
Densità degli stati N(E) è il numero di stati elettronici disponibile per unità di energia per unità di volume. Il numero di stati in un intervallo dE intorno al valore E è N(E)dE Condizioni periodiche al contorno, cubo di lato L L3 Volume del solido m0 massa dell'elettrone DOS nulla V0 E DOS (J-1 m-3) LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

11 Densità degli stati DOS
La periodicità impone che gli stati stazionari siano a valori di k discreti I valori di k sono quindi equispaziati ed ogni stato elettronico occupa un volume nello spazio k pari a Il numero di stati in un intervallo d3k intorno a k per unità di volume è N(k) d3k duplicità di spin La relazione di dispersione è isotropa rispetto a tutte le direzioni e quindi ci interessa conoscere la densità degli stati in funzione del modulo |k|. Il numero di stati in un intervallo dE intorno al valore E è N(E)dE. LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

12 Densità degli stati DOS
Calcoliamo la densità degli stati di elettroni che si muovono in un potenziale nullo con una energia di 0.1 eV. La densità degli stati in un sistema 3D è: Convertendo i valori di energia in eV otteniamo che per E=0.1 eV vale N(E)=2.15 x 1021 eV-1 cm-3 Valore indicativo, non ha vero senso. Bisognerebbe integrarlo su un intervallo di energie LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

13 Elettroni nell'atomo Gli elettroni in un atomo sono soggetti al potenziale coulombiano del nucleo ed eventualmente degli altri elettroni. Ci sono due intervalli di energie di interesse. Stati liberi Quando l'elettrone possiede un'energia cinetica sufficiente per superare l'attrazione del nucleo. Tutti i valori di energia sono permessi. Stati legati Sono gli stati stazionari dell'atomo che abbiamo visto danno origine alle transizioni atomiche caso dell'idrogeno Generalmente si assume l'energia del vuoto come zero dell'energia Gli stati legati hanno energia negativa, quelli liberi positiva LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

14 Elettroni in un solido cristallino
Gli stati a energia più bassa, stati di core, rimangono abbastanza imperturbati e simili agli stati di core dell'atomo Gli elettroni di valenza sono quelli coinvolti nel legame molecolare. Nell’esempio del diamante ogni atomo di carbonio ha quattro legami covalenti con 4 altri posti ai vertici di un tetraedro equilatero A bassa temperatura gli elettroni sono legati nei loro legami tetraedrici. Aumentando la temperatura questi legami possono delocalizzarsi e gli elettroni contribuire alla conduzione. LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

15 Elettroni in un solido cristallino
I livelli energetici più alti, elettroni di valenza, si allargano in bande di energie permesse. Le bande permesse possono essere separate da intervalli energetici proibiti. Gap di energia In un atomo, se applichiamo un campo elettrico l'elettrone non si muoverà perché soggetto al potenziale del nucleo. E' come se avesse una massa molto grande In un cristallo l'elettrone obbedirà ad una relazione di dispersione E-k anche se questa sarà più complicata. All'interno di ogni banda permessa l'elettrone si comporta come se fosse libero salvo che risponde con una massa inerziale differente. Massa efficace m* LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

16 Distribuzione degli elettroni negli stati
Come si distribuiscono gli elettroni nei vari stati permessi? Gli elettroni si dispongono in accordo al principio di esclusione di Pauli (al massimo un elettrone in ogni stato disponibile) Funzione di distribuzione di Fermi-Dirac Probabilità che uno stato permesso a energia E sia occupato (all'equilibrio termico) f(E) ≤ 1 e monotono decrescente. EF è l'energia di Fermi e rappresenta l'energia del livello per cui si ha probabilità di occupazione ½. (E=EF → f(E)= ½ ) Il livello di Fermi è determinato conoscendo la densità degli stati N(E) e la densità degli elettroni. Quando (E-EF)»kBT si ricade nella distribuzione di Boltzmann LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

17 Metalli Semiconduttori Isolanti
Quali stati permessi sono occupati da elettroni e quali no? Gli elettroni si dispongono in accordo al principio di esclusione di Pauli (al massimo un elettrone in ogni stato disponibile) e seguendo la funzione di distribuzione di Fermi-Dirac. A T=0 gli elettroni disporranno nelle bande via via a maggiore energia. L'energia che separa gli stati occupati da quelli non occupati è l'energia EF(T=0). Due casi sono possibili: Una banda permessa è completamente piena di elettroni mentre la seguente banda permessa è separata da un gap di energia Eg ed è vuota. La più alta banda occupata è solo parzialmente occupata. LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

18 Conduzione Quando una banda è occupata completamente, gli elettroni nella banda non possono condurre alcuna corrente Gli elettroni sono fermioni e le bande sono simmetriche per inversione spaziale. Per ogni stato k (2m0v=hk) ce ne è un altro a - k. In assenza di forza esterna, per un elettrone che si muove in un verso ce ne è un altro che si muove nel verso opposto. In presenza di una forza esterna, se non ci sono stati disponibili in cui un elettrone può spostarsi rompendo la simmetria tra +k e -k, non può esserci corrente netta. Questo spiega la distinzione tra metalli (banda semipiena) e isolanti (banda piena). Un semiconduttore è un isolante con energia di gap Eg<3eV LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

19 Conduzione La banda che a 0 K normalmente è piena di elettroni nei semiconduttori è detta banda di valenza mentre la banda vuota superiore è detta banda di conduzione. I metalli hanno una conducibilità molto alta a causa del numero molto alto di elettroni che possono partecipare alla corrente di trasporto. E' difficile alterare la conducibilità dei metalli. I semiconduttori, invece, hanno conducibilità nulla a 0 K e cmq bassa a temperatura normale, ma è possibile alterare la loro conducibilità di ordini di grandezza. Per questo i semiconduttori possono essere usati come dispositivi attivi mentre i metalli sono relegati ad essere usati come componenti passivi come interconnessioni, contatti, etc. LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

20 Conduzione La differenza di energia tra il livello energetico di vuoto (quando l'elettrone è libero di uscire dal solido) e il livello di Fermi è detta Funzione di lavoro (Work Function ee ) La differenza di energia tra il livello energetico di vuoto (quando l'elettrone è libero di uscire dal solido) e il fondo della banda di conduzione è detta Affinità elettronica (Electron Affinity ee ) e e e e LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

21 Livello di Fermi Quanti elettroni ci sono nella banda di conduzione ?
Semiconduttore T=0 K Banda di valenza piena Banda di conduzione vuota Non c'è conduzione Semiconduttore T>0 K Banda di valenza con qualche vuoto Banda di conduzione con qualche elettrone Sia la banda di valenza che quella di conduzione possono concorrere al trasporto Quanti elettroni ci sono nella banda di conduzione ? N(E) densità degli stati n numero di elettroni nella banda per unità di volume Valido solo per i metalli (EF>E0) A T=0 LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

22 Livello di Fermi T>0 La situazione è più complicata
Per i metalli dove il numero di portatori è alto l'espressione è ancora valida n è la densità di elettroni di conduzione calcolata precedentemente. Questo determina l'energia di Fermi Per i semiconduttori il numero di portatori è molto più basso f(E) può essere rappresentato dalla funzione di Boltzmann Caso non-degenere LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis

23 Livello di Fermi Caso non-degenere Caso degenere
Per i semiconduttori il numero di portatori è molto più basso f(E) può essere rappresentato dalla funzione di Boltzmann Caso non-degenere Caso degenere Se il numero di portatori è alto una buona approssimazione è quella di Joyce-Dixon LM Fisica A.A.2013/14 Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis