Presentazione Proposte di Tesi

Presentazione sul tema: "Presentazione Proposte di Tesi"— Transcript della presentazione:

1 Presentazione Proposte di Tesi
Giugno 2008 A. Paccagnella et al.

2 Chi siamo … Prof. Alessandro Paccagnella
Assegnisti di ricerca: Giorgio Cellere, Simone Gerardin Dottorandi: Marta Bagatin, Alberto Gasperin, Alessio Griffoni, Andrea Manuzzato, Paolo Rech, Marco Silvestri

3 riproduce in maniera accelerata l’invecchiamento dei chip
… e cosa facciamo Stress elettrico: riproduce in maniera accelerata l’invecchiamento dei chip Irraggiamento: emula pioggia continua di particelle che colpiscono i chip causando danni permanenti e non

4 Interesse Industriale
“Soft errors have become a huge concern in advanced computer chips because, uncorrected, they produce a failure rate that is higher than all the other reliability mechanisms combined!” R. Baumann, Fellow, IEEE

5 Ricerca internazionale
Conferenze a cui abbiamo partecipato negli ultimi 3-4 anni Facility attualmente utilizzate From Jyvaskyla, Finland to Honolulu, Hawaii

6 Collaborazioni

7 Strumenti e dispositivi avanzati
Acceleratori di particelle (TANDEM, ISIS, CN, AN2000) Microscopia a forza atomica (C-AFM, SCM, KFPM) Strumenti capaci di misurare correnti di qualche fA (HP4156C) Transistor: FinFETs, high-k, strain engineering Non volatili: SONOS, PCM, RRAM, nXTL

8 SIRAD (Legnaro)

9 SIRAD (2)

10 ISIS (Oxford, UK)

11 ISIS (2)

12 ISIS (3)

13 HIF (Belgium)

14 HIF (2)

15 Argomenti di tesi Affidabilità ed effetti di radiazione
dal componente elementare al circuito complesso: MOSFET Celle di memoria non volatili Circuiti Memorie Microprocessori/microcontrollori FPGA MISURE NANOELETTRO-NICHE, FISICA DEI DISPOSITIVI IRRAGGIAMENTI, TEST DI VITA ACCELERATI SPICE, VHDL, ASSEMBLY, C/C++

16 CMOS avanzato Analisi degli effetti delle scariche elettrostatiche su ossidi di gate ultra sottili tramite misure di rumore in bassa frequenza Prove accelerate di vita in temperatura su dispositivi FinFET Analisi delle interazioni tra il danno indotto dalla radiazione ionizzante e i fenomeni di usura dovuti a elettroni caldi e negative bias temperature instability

17 Celle di memoria non-volatili
Caratterizzazione elettrica e affidabilistica di celle SONOS (basate sull’intrappolamento di carica in uno strato dielettrico) Caratterizzazione elettrica e affidabilistica di celle Resistive RAM (basate sul cambio di resisitività di film sottili) Caratterizzazione elettrica e affidabilistica di celle Phase Change Memories (basate sull’amorfizzazione/cristallizazione di un elemento di memoria)

18 Affidabilità di circuiti
Studio dell’impatto circuitale delle degradazione dei transistor dovuta a fenomeni di elettroni caldi, NBTI e breakdown dell’ossido di gate Studio dell’impatto circuitale della degradazione dei transistor indotta dalla radiazione ionizzante Studio dell’impatto circuitale di transitori indotti da particelle ionizzanti

19 Memorie Analisi del tasso di errore indotto da particelle alfa in funzione della dose ricevuta in memorie SRAM commerciali Dipendenza del tasso di errore indotto da particelle alfa in funzione dell’invecchiamento in memorie SRAM commerciali

20 Microprocessori Valutazione della sensibilità a soft error indotti da particelle alfa su core di microprocessore ARM Valutazione della sensibilità a soft error indotti da particelle alfa su core di microcontrollori

21 FPGA Realizzazione di una piattaforma di fault injection per le FPGA della famiglia Virtex-4 di Xilinx Realizzazione di un setup sperimentale per esperimenti di irraggiamento su FPGA Xilinx

22 Possibilmente specificando
Contattateci Possibilmente specificando l’area di interesse: MOSFET Celle di memoria non volatili Circuiti Memorie Microprocessori FPGA