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PubblicatoNestore Corsini Modificato 10 anni fa
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Circuito Invertitore (1) Implementazione della funzione NOT in logica positiva V(1) = 12 Volts V(0) = 0.2 Volts VR = -12 Volts
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Circuito Invertitore (2) Se lingresso v i è nello stato 0 (V=0 Volts) il transistor è in interdizione Infatti: v i – V E = 0 la giunzione BE è polarizzata inversa Inoltre: v i –I 1 R 1 –I 2 R 2 = V R ; I 1 =I 2 +I B Se I B = 0 I 2 =I 1 = (v i -V R )/(R 1 +R 2 ) = 12/115 A 0.1 A V B = v i -I 1 R 1 = 0-12/115*15 = 180/115 -1.5 Volts V B – V CC = -1.5 – 12 Volts = -13.5 Volts BC è polarizzata inversa I C = 0 v o = V CC = V(1)
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Circuito Invertitore (3) Se lingresso v i è nello stato 1 (V=12 Volts) il transistor è in saturazione Per verificare lipotesi se è vera, I B > I B (min) = I C /h FE In saturazione: V CE = 0.2 Volts,V BE = 0.8 Volts ; I C = (V CC -V CE (sat))/R C = 5.36 mA I B (min) = I C /h FE = 5.36/30 mA = 0.179 mA I 1 = (v i -V BE )/R 1 = 0.747 I 2 = (V BE – V R )/R 2 = 0.128 mA I B = I 1 -I 2 = 0.619 mA > 0.179 mA = I B (min) È verificata la saturazione v o = V CE = 0.2 =V(0)
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Porta NAND DTL Porta NAND realizzata in logica positiva con tecnologia DTL (Diode- Transistor-Logic) V(1) = 12 Volts V(0) = 0.2 Volts V R = -12 Volts
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Problemi tecnici del NAND DTL 1) Il capacitore C 1 necessario per migliorare il tempo di risposta dellinvertitore (aiuta a svuotare la base dai portatori minoritari di carica quando si passa da uno stato logico allaltro, cioè dalla saturazione allinterdizione. 2) È più facile integrare diodi e transistor che resistenze e capacità in un circuito integrato. 3) Sono necessarie due sorgenti di potenziale (+12 V e –12 V oltre al valore di riferimento 0 V) Importante modificare lo schema elettrico.
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 NAND DTL modificata (1) Porta NAND realizzata in logica positiva con tecnologia DTL (Diode- Transistor-Logic) modificata (diodi al posto di resistenza e capacità sullingresso al transistor) V(1) = 5.0 Volts V(0) = 0.2 Volts V CC = 5.0 Volts
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 NAND DTL modificata (2) a) Eliminato il condensatore C 1 a) Ridotti il numero delle resistenze ed il loro valore massimo (max 5 k contro i 100 k di prima c) Una sola sorgente di potenziale +5 V (minore delle precenti minore potenza dissipata)
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Famiglia DCTL La famiglia Direct-Coupled Transistor Logic ha le seguenti caratteristiche: 1) Assenza di diodi e di capacità; 2) Resistenze ridotte al minimo; 3) Necessaria una sola sorgente di potenziale.
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 DCTL NOR
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Vantaggi Famiglia DCTL È necessaria solo una sorgente V CC a basso voltaggio (anche 1.5 Volts possono bastare) Si possono usare transistor con bassi valori di tensione di rottura (Breakdown Voltage) Bassa potenza dissipata
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Problemi Famiglia DCTL (1) Tutte le correnti di saturazione inverse si sommano ed attraversano R C : può verificarsi un calo di tensione ai capi di R C che impedisce ai transistor Q 1, … Q n di entrare in saturazione. La corrente di base è circa uguale a quella di collettore [se V CC >> V CE (sat) e V CC >> V BE (sat) ] tempi lunghi per la rimozione delle cariche dalla regione di svuotamento durante un cambiamento dello stato del segnale.
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Problemi Famiglia DCTL (2) Bassi margini di rumore (0.6 volts tra livello alto e quello basso) Le basi dei transistor di fan out sono collegate assieme e poiché cè sempre una piccola differenza tra transistor anche della stessa famiglia (es. V CE (sat) = 0.74 - 0.76 Volts) la corrente può scegliere preferenzialmente una delle vie di fan-out piuttosto che ripartirsi equamente tra tutte (accaparramento della corrente)
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Famiglia TTL La famiglia TTL (Transistor-Transistor-Logic) cerca di eliminare tutte le componenti che non siano transistor nella realizzazione delle porte logiche. Inoltre vuole aumentare la velocità di funzionamento di una singola porta.
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Porta NAND TTL Diodo
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Limiti delle porte DTL Velocità di funzionamento, cioè velocità di transizione tra livelli logici. Il maggior problema: Se T3 è in saturazione (ingresso V i = V(1)) e V i diventa = V(0), che T3 cerca di andare in interdizione. Tuttavia occorre rimuovere la carica nella base di T3 E questo può avvenire solo attraverso R b o correnti di ricombinazione. tempi di circa 100 ns.
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Funzionamento porte TTL (1) Idea di base: collegare alla base di T3 il transistor T1 rendendo possibile uno svuotamento molto più veloce delle cariche immagazzinate nella base di T3. Il meccanismo prevede che: V i = V(1) base-emettitore di T1 polarizzata inversamente base-collettore di T1 polarizzata direttamente Transistor T3 in saturazione. V i = V(0) base-emettitore di T1 polarizzato direttamente base-collettore di T1 polarizzato direttamente Transistor T3 in interdizione
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Funzionamento porte TTL (2) Porta DTL: se T3 è saturo V BE = 0.75 Volts La corrente di base se il diodo D è interdetto è: I v = V BE /R b = 0,75/2 K = 0,38 mA Porta TTL: se V i = V(0) I b1 = (V CC -V BE (sat))/R = 1,1 mA Inizialmente T1 è in regione attiva V CE1 = 0,75 Volts La corrente I = h FE I b1 = 30*1,1 mA = 33 mA Rapporto tra i tempi: 33/0,38 100 volte più veloce.
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Porta TTL di base
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Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Fabbricazione transistor a emettitore multiplo
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