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Radiografia digitale
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Radiografia digitale Sistema ideale: Acquisizione istantanea di una immagine in forma digitale con il minimo numero di raggi X
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Computed Radiology (Storage Phosphorous Radiology)
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Computed Radiology (Storage Phosphorous Radiology)
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Radiografia analogica vs digitale
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Radiografia digitale Specifiche
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Necessità di larga area
Soluzioni accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD” matrici attive in selenio/silicio amorfo
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Necessità di larga area
Soluzioni accoppiamento ottico “fosfori+lenti+Fotomoltiplicatore/CCD” matrici attive in selenio/silicio amorfo Conversione diretta Conversione indiretta
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Matrice di sensori attivi a conversione diretta
Fotoconduttori
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Requisiti per fotoconduttori
Alto coefficiente di assorbimento: d<<L Alta sensibilità No ricombinazione No trappole: mtE>> L Bassa corrente dark: no iniezione dagli elettrodi, no generazione termica No degradazione Facilità di deposizione
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Profondità di penetrazione
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Energia di ionizzazione
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Sensibilità
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Materiali per fotoconduttori
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Matrice di sensori in selenio amorfo
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Sensore in selenio amorfo
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Polarizzazione negativa
Substrato Gate Gate insulator Source Drain i a-Si:H n a-Si:H
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Polarizzazione positiva
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Polarizzazione positiva
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Matrice di sensori in silicio amorfo
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Matrice di sensori in silicio amorfo
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Matrici di sensori in a-Si:H: Scintillatori
Sono scintillatori inorganici: NaI, CsI, Bi4Ge3O12 (noto come BGO), PbWO4, BaF2... Il meccanismo di scintillazione negli scintillatori inorganici è caratteristico della struttura a bande elettroniche che si trovano nei cristalli. Spesso si hanno 2 costanti di tempo: ricombinazione rapida dai centri di attivazione (ns-μs) ricombinazione ritardata (trappole) (~100 ms)
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Matrice di sensori in silicio amorfo
Scintillatori X-ray Reflector Segnale dipende da: coefficiente di conversione efficienza quantica self-absorption S S=sensibilizzatore A=attivatore S -> A trasferimentoeccitonico (coppie e-h) SCATTERING SELF ABSORPTION
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Matrice di sensori in silicio amorfo
CsI:Tl Spessori 550µm Buon assorbimento dei raggi X (65000 ph/MeV) Struttura colonnare: guide d’onde 1 lp/mm Emissione luce nel verde
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Matrice di sensori in silicio amorfo
Substrato Metal/ITO p a-Si:H n a-Si:H i a-Si:H ITO/Metal
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Matrice di sensori in silicio amorfo
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Matrice di sensori in silicio amorfo
Row Driver PD Vbias Switch Substrato Gate Gate insulator Source Drain i a-Si:H n a-Si:H
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Matrice di sensori in silicio amorfo
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Tecnologia planare Limited Fill-factor limitato (<75%) TOP VIEW
CROSS SECTION
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Tecnologia Multi-livello
Fill-factor >90% TOP VIEW CROSS SECTION
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Differenti prodotti
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Prestazioni FPD
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Prestazioni FPD
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Sistemi statici Large size (43cm x 43cm / 17" x 17") for high projection flexibility even with large patients Resolution up to 3.5 lp/mm, 143 μm pixel size
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Sistemi dinamici Amplificatore di brillanza Pesante
Sensibile ai campi magnetici Schermo curvo
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Sistemi dinamici Flat detector Leggero Assenza di distorsione
Miglior contrasto Miglior uso della dose
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