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Production of 8x8 SiPM matrices
C.Piemonte, M. Melchiorri, A. Piazza, A. Tarolli, N. Zorzi FBK – Fondazione Bruno Kessler, Trento, Italy
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Production: September – December 2008
12 wafers 5 with standard process 7 with different oxide thickness
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layout 1.3cm 1.3cm Our largest area monolithic array. 8x8 array
1.5mm element pitch read-out on one side A B C 1.3cm 1.3cm Our largest area monolithic array.
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A B C Lettura su 1 lato Gap per linee metal: 200um Lettura su 1 lato Gap per linee metal: 300um Lettura su 2 lati
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Misure IV automatiche su tutti gli elementi degli array.
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Risultati 5 con standard process. 7 con diverso ossido. OK
Esempio IV matrice 7 con diverso ossido. Esempio IV matrice OK Corrente post BD elevata
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Risultati Su tutte le fette il difetto piu’ comune e’:
working SiPM. The current can be roughly modeled as I=q*DC*G Vbd SiPM with 1 defective cell. The current can be modeled as I=(V-Vbd)/Rq
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DaSiPM2 Arrays, IV Mappa delle tensioni di breakdown
Rosso=dispositivi a BD basso 8 array totalmente funzionanti
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Altro esempio con resa piu’ bassa 0 array totalmente funzionanti
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Conclusioni Tra le 5 fette a corrente migliore abbiamo estratto:
32 matrici con tutti elementi funzionanti 22 con 1 elemento non funzionante 8 con 2 elementi non funzionanti
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Connessione 3D Deep RIE finalmente OK. Iniziato R&D:
Disegnato maschera per realizzare i fori; Pensato a possibili strategie per la connessione all’interno del foro. Il secondo punto non e’ banale!!
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