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1 Dottorando Andrea Micelli University of Udine ATLAS Pixel Upgrade UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI UDINE Facoltà di Ingegneria Dipartimento di Ingegneria Elettrica,

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Presentazione sul tema: "1 Dottorando Andrea Micelli University of Udine ATLAS Pixel Upgrade UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI UDINE Facoltà di Ingegneria Dipartimento di Ingegneria Elettrica,"— Transcript della presentazione:

1 1 Dottorando Andrea Micelli University of Udine ATLAS Pixel Upgrade UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI UDINE Facoltà di Ingegneria Dipartimento di Ingegneria Elettrica, Gestionale e Meccanica Primo anno 2009 Relatori prof. Luca Selmi Dott.ssa Marina Cobal N Caratterizzazione di sensori al silicio per il progetto IBL (Insertable B-Layer) per lesperimento ATLAS a LHC

2 3 Dottorando Andrea Micelli University of Udine ATLAS Pixel Upgrade ATLAS 3 Layers:3 Layers: B-Layer, 286 moduli Layer-1, 494 moduli Layer moduli 6 disk:6 disk: 144 moduli Pixel detector module 46 m 25 m 7000 t 1,3 m 35 cm Pixel detector ATLAS detector

3 4 Dottorando Andrea Micelli University of Udine ATLAS Pixel Upgrade Rivelatori al silicio: principi base Pixel detector module Gounzione p-n: applicando una tensione inversa alla giunzione si crea una zona priva di cariche: zona sensibile del rivelatore al passaggio di una particella si produce una coppia e -, h + il segnale viene raccolto agli elettrodi Generazione di coppie elettrone-lacuna

4 5 Dottorando Andrea Micelli University of Udine ATLAS Pixel Upgrade Introduzione – L upgrade dellLHC (Fase 1 in ) ed il progetto sLHC (Fase 2) richiederanno un nuovo rilevatore a pixel di Silicio. Un Layer addizionale, resistente alla aumentata radiazione, da aggiungere al rivelatore esistente (Insertable B-Layer o IBL), è in fase di sviluppo e sarà posizionato nelle vicinanze del fascio di particelle. Tale layer dovrà avere: - una ridotta tensione di svuotamento - un ridotto tempo di cattura delle cariche - un aumento della velocità - una minore regione a charge sharing, per minimizzare la possibile riduzione del segnale Tre tipi di sensori sono stati presi in considerazione: - Full-3D active edge (Colonne passanti - 3D Stanford) - Double Sided 3D sensors – prodotti dallistituto FBK (Fondazione Bruno Kessler) di Trento: dove gli elettrodi n e p sono perpendicolari alla superficie e penetrano attraverso il substrato - Sensori planari IBL


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