WP6: Si Tracker per FCC Piccolo gruppo di Perugia (sub-set di CMS) interessato a studi relativi a Tracciatori a Silicio per FCC (da 6 persone per 0.6 FTE) Forti impegni nella costruzione e commissioning del CMS Pixel detector upgrade di Fase 1 (da installare in Mar. 2017). Forti impegni in RD_Fase2 ed impegni futuri per costruzione Tracciatore a Silicio di CMS per HL-LHC da installare nel 2025. Partecipazione a studi per FCC scientificamente stimolante ma contributo sarà per ora abbastanza limitato.. Possibilità che si aggreghino a questo WP altre persone da altre sedi nei prossimi mesi. 10/11/16 Roma RD_FC G.M. Bilei INFN Perugia

WP6: Si Tracker LHC ha guidato nel passato e sta guidando ora per HL gli R&D più pioneristici nei detector a Silicio. Achievements passati ammirevoli, challenges per HL imponenti ma “almost under control” (TDRs in stesura). Partiamo da solide basi tecnologiche per sviluppi futuri di FCC. Challenges future enormi: Granularità Basso material budget Velocità di lettura e resistenza alla radiazione Numero elevato di eventi di pile up pile Costi 10/11/16 Roma RD_FC G.M. Bilei INFN Perugia

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WP6: Si Tracker contributi Attività proposte fanno leva su nostre competenze ed esperienza accumulata negli ultimi 20 anni di attività in CMS: Simulazioni e TCAD modelling di rivelatori a silicio Contributo determinante nella fase di R&D all’attuale tracciatore di CMS Definizione sensori ongoing per il futuro tracciatore a HL-LHC Presentazione di F. Moscatelli Studi e simulazioni di layout Un software toolkit (tkLayout) è stato sviluppato per studi di CMS TK Upgrade ed utilizzato per studi preliminari per FCC-hh (Z. Drasal) Piano di contribuire a questi studi sviluppando ed ottimizzando un layout dal punto di vista ingegneristico (con servizi e materiale) avendo la possibilità di studiarne le prestazioni. Presentazione di L. Fanò 10/11/16 Roma RD_FC G.M. Bilei INFN Perugia

WP6: Simulazione TCAD rivelatori Silicio Sviluppato un sofisticato modello TCAD di simulazione e modelling di rivelatori a Silicio (strips, macro-pixel e 3D ed anche materiali come SiC e diamante) Simulazione, ottimizzazione dei parametri geometrici (spessore, w/p, overmetal etc.), dei parametri di processo e di resistività del substrato Simulazione della carica raccolta da passaggio di MIP in funzione dei diversi parametri (anche in funzione di VBias) Simulazione del danno (di substrato e di superficie) indotto da radiazione fino a dosi accumulate in HL-LHC (1-2 1016 cm-2 1 MeV neutrons). Modello estendibile a flussi più alti (1-2 1017 neq cm-2) e particolarmente utile per iniziare studi sensori (a FCC-hh o altro). 10/11/16 Roma RD_FC G.M. Bilei INFN Perugia