Dispositivi unipolari

Slides:



Advertisements
Presentazioni simili
Il sistema MOS (Metallo – Ossido – Semiconduttore)
Advertisements

Reti Logiche A Lezione n.1.4 Introduzione alle porte logiche
Il transistor.
Il transistor.
Fisica dei transistor MOS a canale
Famiglie MOS Ci sono due tipi di MOSFET:
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Trasporto dei portatori (1) Moto di elettroni in un cristallo senza (a) e con (b) campo elettrico.
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 I Transistori I transistor sono dispositivi con tre terminali sviluppati dal I tre terminali.
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Retta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo.
Dispositivi unipolari
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Il diodo come raddrizzatore (1) 220 V rms 50 Hz Come trasformare una tensione alternata in.
Struttura MIS (Metallo-Isolante-Semiconduttore)
1.6 - MOSFET di potenza 36 6.
STAGE INVERNALE DI ELETTROMAGNETISMO E CIRCUITI
LM Fisica A.A.2011/12Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Transistor a effetto di campo FET Ha ormai sostituito il BJT in molte applicazioni.
1 LM Fisica A.A.2013/14Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Transistor a effetto di campo FET Ha ormai sostituito il BJT in molte applicazioni.
Radiotecnica 3 Semiconduttori
Transistor Il transistor (o transistore) è un dispositivo a stato solido formato da semiconduttori. Componente elettronico basato su semiconduttori su.
I FET (Field-effect Transistor)
RIEPILOGO Transistor JFET
1. Transistor e circuiti integrati
Richiami sul transistore MOS
Lezione III Amplificatori a singolo stadio. L'amplificatore ideale  Un amplificatore ideale è un circuito lineare V out =A v V in  Le tensione di ingresso.
Semiconduttori I principali componenti elettronici si basano su semiconduttori (silicio o germanio) che hanno subito il trattamento del drogaggio. In tal.
LA MEMORIA CENTRALE. La memoria nella struttura generale del calcolatore MEMORIA CONTROLLO INGRESSO E USCITA ARITMETICA E LOGICA CPU Dispositivi esterni.
LM Sci&Tecn dei Materiali A.A.2015/16Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Conduttori metallici I metalli costituiscono le interconnessioni.
Capacità elettrica Condensatori. Il condensatore è il sistema più semplice per avere un campo elettrico costante e poter immagazzinare energia elettrostatica.
1 LM Scie&Tecn dei MaterialiA.A.2015/16Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Transistor a effetto di campo FET Ha ormai sostituito il BJT.
Cenni su circuiti con resistenze per esercitazioni in laboratorio Andrea Ventura Scuola Estiva di Fisica 2016 Dipartimento di Matematica e Fisica “E. De.
L’IMPIANTO DI TERRA.
Copertina 1.
Laboratorio II, modulo Transistor (cfr.
Il Rumore nei componenti elettronici
C = e0 er A / d C dipende solo da fattori geometrici (e da cost.diel.)
21 CAPITOLO Elettrochimica Indice L’elettrochimica e i suoi processi
Amplificatori operazionali II
Giunzioni p-n. Diodo Il drogaggio di un semiconduttore altera drasticamente la conducibilità. Ma non basta, è “statico” ... Cambiare secondo le necessità.
Introduzione L’AO può essere definito funzionalmente come un amplificatore differenziale, cioè un dispositivo attivo a tre terminali che genera al terminale.
Dispensa Elettronica Mark Jason Fabros.
CIRCUITO PORTA AND Laura Mura Corso di Laurea in Informatica (ARE1)
Transistor a effetto di campo FET
Limitazioni dell’ “input range”
Laboratorio II, modulo Elettronica digitale (2a parte) (cfr.
Capacità MOS Strato di ossido su di un semiconduttore drogato p
STATO ELETTRICO E CARICHE ELETTRICHE
FETs Anche per queste slides va inteso il loro scopo: NON sono dispense di spiegazione. Sono un aiuto a mettere in chiaro molti passaggi matematici non.
Diodo.
La corrente elettrica La corrente elettrica è determinata da cariche elettriche (elettroni) in movimento. La corrente elettrica è per molti versi simile.
Laboratorio II, modulo Fotodiodo (e LED) (cfr.
La corrente elettrica Si definisce intensità della corrente elettrica il rapporto tra la quantità di carica che attraversa la sezione trasversale di un.
23 CAPITOLO Elettrochimica Indice L’elettrochimica e i suoi processi
ELETTRICITA’ E MAGNETISMO
Generatore di segnali a dente di sega
RESISTENZA ELETTRICA DEI CONDUTTORI
I FET (Field-effect Transistor)
Progettazione di circuiti e sistemi VLSI
Conduttori e semiconduttori Curve caratteristiche
FISICA DEI SEMICONDUTTORI
Giunzioni p-n. Diodo Il drogaggio di un semiconduttore altera drasticamente la conducibilità. Ma non basta, è “statico” ... Cambiare secondo le necessità.
Light Emitting Diode ovvero Diodo emittente luce
CARBONE Francesco IIIF
Simulazione elettronica analogica con Spice progettazione di un Layout
Generatore di impulsi (monostabile)
CONDUZIONE ELETTRICA ESISTONO MATERIALI CHE POSSONO CONDURRE ELETTRICITA’ O MENO. Un conduttore elettrico è un elemento fisico in grado di far scorrere.
Dalla sua creazione a oggi
Per bambini scuola elementare
Capacità elettrica Condensatori.
Cariche in movimento legge di Ohm Circuiti in DC
A CURA DEL PROF. HAJJ ALI’
COMPONENTI ELETTRONICI
Transcript della presentazione:

Dispositivi unipolari Il contatto metallo-semiconduttore Il transistor JFET Il transistor MESFET Il diodo MOS Il transistor MOSFET Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Generatore ideale controllato in Tensione (1) È un dispositivo con tre terminali (1,2,3) che genera una corrente i2 controllata da una tensione v1, isolando la parte in uscita da quella in ingresso. La corrente gmv1 che si ottiene dipende dal parametro gm = transconduttanza + v1 gmv1 v2 - Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Generatore ideale controllato in Tensione (2) Segnale di controllo Circuito di output Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

JFET (1) JFET = Junction Field Effect Transistor Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

JFET (2) Il principio di funzionamento è paragonabile al caso di un tubo per l'acqua dove fluisce una corrente che possa venire “strozzato” in un punto da un controllo esterno. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

JFET (3) Un canale conduttore tra sorgente (source) e collettore (drain). Un elettrodo di controllo (porta o gate) In funzionamento normale VD > 0 e VG = 0 o negativa la giunzione gate-canale conduttore è polarizzata inversa.  fluiscono cariche attraverso il canale, e sono elettroni (semiconduttore di tipo n) Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Esempio di cella di memoria EPROM (1) Applicando una tensione elevata tra G e D (~25 V), si ha un elevato campo elettrico nella regione di svuotamento pn  Elettroni veloci  penetrano e giungono al gate fluttuante. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Esempio di cella di memoria EPROM (2) Allora il gate fluttuante si carica negativamente. Quando si rimuove la polarizzazione le cariche rimangono intrappolate perché l’ossido è un isolante  Se si applica a G una tensione di 5 V, la carica presente sul gate fluttuante controbilancia il campo,  che il canale tra source e drain rimane chiuso  ho sempre lo stesso stato Cioè ho memorizzato un bit di informazione. Il 70% della carica si mantiene anche per 10 anni. Può essere cancellata se esposta per breve periodo a luce UV. Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Componenti integrati (1) Schema di resistenza integrata Si usa la resistenza di volume del silicio drogato R = 20  – 30 k Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Componenti integrati (2) Cmax = 4x10-4pF/m2 J2 = giunzione polarizzata inversa da cui si ricava la capacità C2 Modello di Capacità integrata Circuito equivalente Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Diodo MOS Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli Il diodo MOS (Metal-Oxide- Semiconductor) è un dispositivo fondamentale per la maggior parte delle applicazioni VLSI. Si ottiene interponendo uno strato di ossido isolante (Si02) tra il semiconduttore ed il metallo Il semiconduttore può essere drogato tipo p (a) o n (b). p+ n- Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Transistor MOSFET (1) Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Transistor MOSFET (2) 1) Se si applica un differenza di potenziale tra Source e Drain non scorre corrente tra le regioni di tipo n perché il potenziale del substrato p viene reso negativo  due giunzioni n-p polarizzate inversamente. 2) Se si applica una tensione positiva al gate metallico  gli elettroni delle regioni n saranno attirati nella regione sottostante che diventerà anche essa di tipo n  si crea un canale di tipo n tra Source e Drain  passa una corrente. Questa tecnica si chiama FET ad arricchimento Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

Tipi di MOSFET NMOS NMOS PMOS PMOS Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

A che serve un MOSFET? Amplificatore; Condensatore; Resistenza; Interruttore  un circuito integrato complesso può essere realizzato quasi soltanto con MOSFET! Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli

IL MOSFET come resistenza VGS = VDS Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli