I FET (Field-effect Transistor)

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Transcript della presentazione:

I FET (Field-effect Transistor) Mauro Mosca - Università di Palermo – A.A. 2018-19

Modello intuitivo I V 3 2 1 FET 3 2 1 I (flusso di corrente) + V (tensione di comando) + 2 V 1

Tipi di FET MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) JFET (junction FET) MESFET (metal-semiconductor FET)

Caratteristiche dei FET il loro funzionamento dipende dal flusso dei soli portatori maggioritari e pertanto sono dei dispositivi unipolari sono più semplici da realizzare rispetto ai transistori bipolari a giunzione (BJT) e nella forma integrata occupano meno spazio 3. presentano una elevata impedenza di ingresso (MW) 4. sono affetti da un “rumore” inferiore a quello presentato dai BJT 5. possono funzionare molto bene come interruttori

MOSFET ad arricchimento (enhancement MOSFET)

MOSFET ad arricchimento: formazione del canale tensione di soglia Vt canale p canale n n+ n+ p

Caratteristiche I-V Se la tensione vGS aumenta (per vDS < 0,1 – 0,2 V) proporzionalmente aumenta la conduttanza del canale

Caratteristiche I-V: strozzamento del canale 6 2 5 4 3 1 2 3 4 5 vDS = vGS - Vt canale in pinch-off

Caratteristiche I-V d’uscita verso convenzionale

Modulazione della lunghezza del canale vDS > vGS - Vt

MOSFET a svuotamento (depletion MOSFET) G D _ + n n n p canale già esistente

MOSFET a svuotamento (depletion MOSFET) G D _ + n n n p se vGS < Vt (negativa) cut-off se vGS > 0 MOSFET ad arricchimento!

MOSFET a svuotamento canale n canale p

MOSFET: limiti di utilizzo e precauzioni per l’uso vDS vGS se vGS > 50 V (circa) se vDS > 20 V (circa) rottura dell’ossido per accumulo di carica elettrostatica punch-through