Misure di corrente di escape di una JJ

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Misure di corrente di escape di una JJ Misure a 4K DC Squid Nb

Misura di I-V Nb DC SQUID T=4 K Rn =100 W Ic=1.6 mA I R V JJ

Escape Current T=4K Frequenza di risonanza della giunzione Barriera di potenziale Frequenza di escape dovuta all’attivazione termica Preliminare. Vanno studiate correlazioni tra parametri

Prossime misure ai mK =O(100 mK) Programma di Luglio: Montare chip DC Squid Nb su diluizione Misure a diverse T=[30,600] mK Misura di corrente di escape a diverse T Transizione da Thermal Activation a Quantum Tunneling Analisi e caratterizzazione parametri giunzione

Parametri JJ Al Ic=1 micro A Cj=167 fF Lj=0.33 nH Rj= 500 kOhm Zjj=44 Ohm I0=905 nA Iph=72 nA Q=11265 f=14 GHz Absorption rate=1/RjCj= 8 MHz Gamma0=15 kHz (dark count) Gamma1= 14 MHz Sigma_I0<35 pA; 35 pA allarga la riga di 1 MHz Anarmonicità 900 MHz E1-E0=13.1 GHz E2-E1=12.2 GHz (pump frequency) DU=27 GHz

Sample Holder Chip-RF air Z0=50 W 1 cm 10 mm 5 mm 5 mm basetta basetta w0=400 mm S0=1400 mm Z0=50 W w0=12 mm S0=20 mm 1 cm 10 mm 5 mm 5 mm Chip basetta basetta 1 cm

Elettronica JJ Rate dark counts 10 kHz  T=0.1ms t=100 ns n-photons pulse trampa=100 ns 1 Elettronica per generare e reset corrente di bias Rampe veloci BW=1 MHz P=1-exp(-en) n-photons