- Ing. Dario Monnati - Napoli, 16 novembre 2012

“Il Consorzio ha per oggetto lo sviluppo delle tecnologie per l’opto, la microelettronica ed i microsistemi finalizzate all’applicazione nei settori industriali interessati, quali – ad esempio ma non esclusivamente – le telecomunicazioni, la multimedialità, le applicazioni ambientali, i trasporti, il biomedicale, l’aeronautico, l’aerospaziale. Il Consorzio si propone, inoltre, di sviluppare nuovi prodotti derivanti dalle tecnologie di cui sopra. ” Pertanto il Consorzio è impegnato nel: sostenere la competitività dei partner industriali su tematiche relative al loro core business fornire supporto allo sviluppo di tecnologie industriali nuove ed altamente innovative sviluppare nuovi prodotti derivanti dalle tecnologie risultanti dalle attività di ricerca

50 sqm clean room (class 100) 200 sqm clean room (class 10000) 600 sqm laboratories 500 sqm offices Camera pulita classe 100 Area deposizioni film sottili Area deposizioni film spessi Area plasmi chimici

Principali Risultati di Progetti precedenti Tecnologie InP per l’Optoelettronica PIN diodes array and package Microstrip passive components (resistors, MIM capacitors, trasmission lines) SiC Micromachining a hole Via-hole SiC Micromachining bulk and GaN–HEMT back side a plated hole Processo di Backside brevettato (Brevetto n.1363498;06/07/2009) “Metodo per realizzare scavi in substrato di carburo di silicio di un dispositivo a semiconduttore”

Principali Risultati di Progetti precedenti RF MEMS 2. Realizzazione 3. Testing e Misura 1. Progettazione 4. Packaging Domanda di Brevetto n. BO2010A000738 presentata il 15 dicembre 2010 “Metodo per realizzare un dispositivo microelettromeccanico a membrana metallica sospesa”

Le Attività del Progetto Progetto Tecnologie Abilitanti per Sistemi di nuova generazione di trasmissione e ricezione a Microonde Ex art.6 DM 593/2000 Sviluppo di tecnologie finalizzate alla realizzazione di un veicolo di prova di un modulo Trasmetti/Ricevi digitale compatto per applicazione in sistemi radar avanzati. I Numeri del Progetto Costo complessivo: € 19.808.360 Finanziamento: € 13.964.060 Le Attività del Progetto OR1- Tecnologie per trasmettitori/ricevitori digitali compatti modulari OR2 - Studio di materiali a funzionalità innovative e per il packaging OR3 - Sviluppo di tecnologie di backside per dispositivi GaN–HEMT ad alta potenza e frequenza OR4 - Sviluppo di tecnologie innovative per la realizzazione di MEMS Finmeccanica ha ritenuto Optel una best practice nella sinergia tra aziende del Gruppo ai fini dello sviluppo di attività di R&D all’avanguardia.

... al Progetto TASMA – PON01_02876 Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876). Sviluppo di tecnologie per la realizzazione di componenti microelettronici e microelettromeccanici e dei relativi packaging sistemi radar multifunzione di nuova concezione (MPAR = Multifunction Phased Array Radar). TASM Salto Tecnologico TASMA 1. Back side SiC AlGaN GaN Cap 1 nm 70 μm Wafer GaN/SiC 3" Dispositivo Via-Hole Source Gate Drain 4 W/mm² AlGaN GaN Cap 1 nm Wafer GaN/SiC 4" Dispositivo Via-Hole Source Gate Drain 6 W/mm² SiC 100 μm

... al Progetto TASMA – PON01_02876 Multistrati ceramici HTCC Progetto TASMA - Tecnologie Abilitanti per Sistemi di Monitoraggio Aeroportuale (PON01_02876). TASM Salto Tecnologico TASMA 2. Packaging Multistrati ceramici HTCC Package AlN Bulk 3. MEMS Switch MEMS Phase Shifter

I numeri del progetto TASMA Costo complessivo: € 12.394.150 Finanziamento: € 10.153.200 Durata: 36 mesi

Progettazione di switch RF MEMS orientata al power handling Messa a punto delle tecniche di Incollaggio dei wafer di SiC Messa a punto delle tecniche di Lappatura e lucidatura dei wafer di SiC Sviluppo di processi fotolitografici per lo scavo di via hole in SiC di profondità di circa 100 micron Progettazione di switch RF MEMS orientata al power handling In corso la messa a punto degli step tecnologici per la realizzazione di switch RF MEMS Completamento analisi termiche per ponti termici in substrati di AlN da utilizzare come PCB Messa a punto dei processi di via filling Progettazione di un package LCP a basso costo per l’integrazione di componenti RF passivi I risultati ad oggi conseguiti sul progetto sono in linea con gli obiettivi di Capitolato.

Circuiti Integrati Monolitici a Microonde (MMIC) con funzione di Amplificatori di potenza (HPA, ciascuno di 50 W di potenza) basati su GaN HEMT su substrato SiC Capacità di packaging: ceramico in AlN (bulk) per moduli di trasmissione in grado di dissipare l’altissima densità di potenza derivante dai circuiti di cui sopra LCP a bassissimo costo, basato su materiali innovativi come Liquid Crystal Polimer, per i moduli con bassa richiesta di dissipazione di potenza e per i dispositivi passivi e digitali Dispositivi MEMS per la gestione dei segnali a RF (Switch e Phase Shifter basati su MEMS) Ogni tecnologia sviluppata nel progetto ha come primo End User le aziende del gruppo Finmeccanica sulle quali sono state tarate le specifiche tecniche dei dimostratori. Inoltre tali tecnologie avranno ricadute nel mercato interno al Distretto Tecnologico Aerospaziale ed in settori più vasti.

Le tecnologie sviluppate sul progetto sono allo stato dell’arte internazionale: Gli HEMT di potenza ad alto guadagno lineare per la realizzazione del MMIC HPA (dispositivi di altissima densità di potenza - 6 W/mm - non comparabili con i dispositivi oggi realizzati in GaAs -0,7 W/mm) Il substrato ceramico AlN a bassissima resistenza termica Il Phase Shifter per il controllo della fase del segnale RF

Follow-up del Progetto TASMA (1/2) Optel ha presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi come strumento per l’industrializzazione di uno dei risultati del progetto Linea di Back side per wafer 4”: Investimenti: 1.500.000,00 € a hole Via-hole a plated hole MMIC GaN

Optel ha altresì presentato alla Regione Puglia un Contratto di Programma per la realizzazione di investimenti produttivi finalizzati al completamento della filiera relativa alla tecnologia GaN Realizzazione di una Foundry Italiana per la produzione di wafer di GaN/SiC epitassiale 4", materiale di base necessario alla produzione di componentistica ad alta potenza di nuova generazione. Strategico per garantire all’industria nazionale del settore la technology non dependence dagli USA e da altri fornitori extra-europei. 4” GaN/SiC wafer

Il Consorzio Optel persegue la creazione di valore seguendo il processo tecnologico a partire da progetti di ricerca altamente focalizzati sul core-business dei propri consorziati industriali, procedendo all’industrializzazione dei risultati ed infine producendo e commercializzando tali prodotti innovativi per il mercato di riferimento ed in prospettiva per un mercato più vasto.

- Ing. Dario Monnati - Napoli, 16 novembre 2012