Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- 3 - ossidazione superficiale 4 - mascheratura, attacco acido strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- 3 - ossidazione superficiale 4 - mascheratura, attacco acido 5 - diffusione P+ di isolamento strato epitassiale di tipo N - P+ substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- 3 - ossidazione superficiale 4 - mascheratura, esposizione ai raggi UV, sviluppo, attacco acido 5 - diffusione P+ di isolamento 6 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 7 - diffusione P di Base strato epitassiale di tipo N - diffusione di Base P+ P+ substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 9 - diffusione N+ di Emettitore strato epitassiale di tipo N - diffusione N+ di Em. N+ P+ P+ diffusione P di Base substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 9 - diffusione N+ di Emettitore 10 - ossidazione, mascheratura, attacco acido strato epitassiale di tipo N - diffusione N+ di Em. N+ P+ P+ diffusione P di Base substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 9 - diffusione N+ di Emettitore 10 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 11 - metallizzazione superficiale con Alluminio 12 - mascheratura, attacco acido alluminio strato epitassiale di tipo N - diffusione N+ di Em. N+ P+ P+ diffusione P di Base substrato di tipo P
Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica 13 - contatti di Base, Collettore ed Emettitore Lo strato sepolto va realizzato prima della crescita epitassiale B E C strato epi N- Emettitore N+ sinker N+ P+ P+ Base P strato sepolto di tipo N+ substrato P Gnd, Vss, -Vcc