Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale

Presentazione sul tema: "Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale"— Transcript della presentazione:

1 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
Emettitore (GeP) Collettore (GeP) supporto in plexiglass Base (GeN) Ie Ic 1948: nei Bell Labs Schockley, Brattain e Bardeen inventano il transistor E C Ib B

2 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= strato epitassiale N = substrato N+

3 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= 3 - ossidazione superficiale 4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido strato epitassiale N = substrato N+

4 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
1 - substrato N+ 2 - crescita epitassiale N= 3 - ossidazione superficiale 4 - deposiz. Resist, mascheratura, esposiz. UV, sviluppo, attacco acido 5 - diffusione P di Boro per la Base strato epitassiale N = diffusione di Base P substrato N+

5 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
6 - ossidazione superficiale 7 - attacco acido selettivo 8 - diffusione N+ di Emettitore strato epitassiale N = diffusione N+ di Em. diffusione di Base P substrato N+

6 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
9 - ossidazione superficiale 10 - attacco acido selettivo strato epitassiale N = diffusione N+ di Em. diffusione di Base P substrato N+

7 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
9 - ossidazione superficiale 10 - attacco acido selettivo 11 - metallizzazione superficiale 12 - attacco acido selettivo strato epitassiale N = diffusione N+ di Em. diffusione di Base P substrato N+

8 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
9 - ossidazione superficiale 10 - attacco acido selettivo 11 - metallizzazione superficiale E B 12 - attacco acido selettivo strato epitassiale N = diffusione N+ di Em. diffusione di Base P E B substrato N+ COLLETTORE

9 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
13 - separazione dei chip 14 - saldatura nel package 15 - saldatura dei contatti

10 Realizzazione di un bjt NPN planare-epitassiale
struttura interdigitata