Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica

Presentazione sul tema: "Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica"— Transcript della presentazione:

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2 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P

3 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- 3 - ossidazione superficiale 4 - mascheratura, attacco acido strato epitassiale di tipo N - substrato di tipo P

4 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- 3 - ossidazione superficiale 4 - mascheratura, attacco acido 5 - diffusione P+ di isolamento strato epitassiale di tipo N - P+ substrato di tipo P

5 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
1 - substrato P 2 - crescita epitassiale N- 3 - ossidazione superficiale 4 - mascheratura, esposizione ai raggi UV, sviluppo, attacco acido 5 - diffusione P+ di isolamento 6 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 7 - diffusione P di Base strato epitassiale di tipo N - diffusione di Base P+ P+ substrato di tipo P

6 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 9 - diffusione N+ di Emettitore strato epitassiale di tipo N - diffusione N+ di Em. N+ P+ P+ diffusione P di Base substrato di tipo P

7 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 9 - diffusione N+ di Emettitore 10 - ossidazione, mascheratura, attacco acido strato epitassiale di tipo N - diffusione N+ di Em. N+ P+ P+ diffusione P di Base substrato di tipo P

8 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
8 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 9 - diffusione N+ di Emettitore 10 - ossidazione, mascheratura, attacco acido 11 - metallizzazione superficiale con Alluminio 12 - mascheratura, attacco acido alluminio strato epitassiale di tipo N - diffusione N+ di Em. N+ P+ P+ diffusione P di Base substrato di tipo P

9 Realizzazione di un bjt NPN nell’integrazione monolitica
13 - contatti di Base, Collettore ed Emettitore Lo strato sepolto va realizzato prima della crescita epitassiale B E C strato epi N- Emettitore N+ sinker N+ P+ P+ Base P strato sepolto di tipo N+ substrato P Gnd, Vss, -Vcc