COME SI MISURA LA MASSA EFFETTIVA Risonanza di ciclotrone Dispositivi a semiconduttore
Risonanza di ciclotrone Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore B=Bz Orbita nel piano xy Campo EM a frequenza c:Assorbimento Eventi di scattering :per avere ris. Definita c >>1 Per aumentare c B grande o lungo : basse temperature Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore B=1T m*=0.067 m0 (GaAs) c=1.6e-19/(.067*9e-31)=3e12rad/s fc=5e11 Hz : microonde c=6µm =mobilità>>1m2/Vs Dispositivi a semiconduttore
Setup for Cyclotron resonance experiments Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Schema semplificato Dispositivi a semiconduttore
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Dispositivi a semiconduttore Potenza assorbita Conducibilità Profilo Lorentziano q pos q neg Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Nel caso non isotropo: Tensore massa effettiva Caso Si, Ge Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore in condizioni di risonanza: c=’= Massa di ciclotrone Dispositivi a semiconduttore
Cyclotron resonance effective mass Si HEAVY LIGHT Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Geometria dell’esperimento Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Spettro Valore di B che produce risonanza, assegnata la frequenza per un e libero Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Bande del Silicio Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Soluzioni con anisotropia Dipende da q e non da f Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Variando direzione di B q=30° f=45° q=40° f=45° 3 2 Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Dati numerici Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Dati numerici Dispositivi a semiconduttore
Dispositivi a semiconduttore Si-electron Si-holes Per =0 misuro mT per =/2 sqrt(mT*mL) Dispositivi a semiconduttore