Impiantazione ionica. Impiantazione ionica Rp projected range Rp standard deviation N’ implanted dose [cm-2]

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STRUTTURA DEI MATERIALI METALLICI
Transcript della presentazione:

Impiantazione ionica

Rp projected range Rp standard deviation N’ implanted dose [cm-2]

Implant dose monitor

Projected standard deviation vs energy

Projected range vs. energy

Projected range vs. energy

Profilo dopo impiantazione: profilo dopo redistribuzione:

Profilo di drogaggio impiantato (teorico)

Profili delle impurezze impiantate (teorici e reali) vs. energia

Dispositivo: resistore diffuso o impiantato dG(x) =qp(x)p(x)W/Ldx

R = n. quadrati X resistenza per quadro Resistore diffuso o impiantato R = L/W 1/(qN’pp) R = n. quadrati X resistenza per quadro

Diffusione laterale

Tecniche di crescita epitassiale Crescita di materiale sopra (epi-) la superficie del semiconduttore, con lo stesso ordine (taxis) cristallografico del materiale sottostante servono per crescere materiale meno drogato del substrato, o materiale con drogaggio assolutamente uniforme omoepitassia e eteroepitassia

Tecniche di epitassia VPE LPE - crescita lenta, strati sottili 0.2 um MBE - controllo a livello atomico, crescita lenta 0.001 um/min - 0.3 um/min MOCVD - deposizione chimica in fase vapore da composti metallo-organici (es trimetilgallio Ga(CH3)3; basse temperature di crescita, ottimo controllo degli strati cresciuti, rapida velocità di crescita)

Epitassia da fase liquida (LPE)

Epitassia da fascio molecolare (MBE)

Epitassia da fase vapore (VPE)