Impiantazione ionica
Rp projected range Rp standard deviation N’ implanted dose [cm-2]
Implant dose monitor
Projected standard deviation vs energy
Projected range vs. energy
Projected range vs. energy
Profilo dopo impiantazione: profilo dopo redistribuzione:
Profilo di drogaggio impiantato (teorico)
Profili delle impurezze impiantate (teorici e reali) vs. energia
Dispositivo: resistore diffuso o impiantato dG(x) =qp(x)p(x)W/Ldx
R = n. quadrati X resistenza per quadro Resistore diffuso o impiantato R = L/W 1/(qN’pp) R = n. quadrati X resistenza per quadro
Diffusione laterale
Tecniche di crescita epitassiale Crescita di materiale sopra (epi-) la superficie del semiconduttore, con lo stesso ordine (taxis) cristallografico del materiale sottostante servono per crescere materiale meno drogato del substrato, o materiale con drogaggio assolutamente uniforme omoepitassia e eteroepitassia
Tecniche di epitassia VPE LPE - crescita lenta, strati sottili 0.2 um MBE - controllo a livello atomico, crescita lenta 0.001 um/min - 0.3 um/min MOCVD - deposizione chimica in fase vapore da composti metallo-organici (es trimetilgallio Ga(CH3)3; basse temperature di crescita, ottimo controllo degli strati cresciuti, rapida velocità di crescita)
Epitassia da fase liquida (LPE)
Epitassia da fascio molecolare (MBE)
Epitassia da fase vapore (VPE)