Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 1 Figure 2.1. Typical range of conductivities for insulators, semiconductors, and conductors.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 2

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 3 30 II 4s 2 Se 34 VI 4s 2 4p 4 Composti II-VI: CdTe, CdSe, ZnTe, ….. GaAs: costante reticolare nm AlAs: costante reticolare nm Miscele solide o composti ternari: Ga x Al 1-x As, In x Ga 1-x As Composti quaternari: Ga x In 1-x As y P 1-y Applicazioni in optoelettronica ed elettronica veloce C: costante reticolare nm Si: costante reticolare nm Ge: costante reticolare nm

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 4 IBRIDIZZAZIONE DEGLI ORBITALI ATOMICI Sp3: simmetria tetraedrica Esempio: Carbonio ORBITALI ATOMICI Esempio: Carbonio-atomo isolato

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 5 SIGMA BOND

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 6 Diamond lattice Zincblende lattice COORDINATE DEI NODI IN UNA CELLA DI DIAMANTE (0,0,0) (0,1,0) (1,0,0) (0,0,1) (1,1,0) (1,0,1) (0,1,1) (1,1,1) (½, ½,0) (½,0 ½) (0, ½, ½) (½, ½,1) (½,1, ½) (1, ½, ½) (1/4,1/4,1/4) (3/4,3/4,1/4) (3/4,1/4,3/4) (1/4,3/4,3/4) 8 NODI PROPRIAMENTE CONTENUTI IN UNA CELLA

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 7 Figure (a) A tetrahedron bond. (b) Schematic two-dimensional representation of a tetrahedron bond. Legame tetraedrico Rappresentazione bidimensionale di un legame tetraedrico

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 8 Figure 2.3. Three cubic-crystal unit cells. (a) Simple cubic (only Po). (b) Body-centered cubic (e.g. Na, W). (c) Face-centered cubic (e.g. Al, Cu, Au, Pt). Figure 2.2. A generalized primitive unit cell.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 9 Trovare le intercette in termini di numeri interi di piani reticolari Prendere i reciproci e ridurli ai più piccoli dei tre interi aventi lo stesso rapporto Miller index per un singolo piano (hkl) Per piani di equivalente simmetria [hkl] Figure 2.5. A (623)-crystal plane. Figure 2.6. Miller indices of some important planes in a cubic crystal.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 10 Densità del silicio = 2.33 g/cm 3 Massa atomica = g Densità atomica del silicio = 5·10 22 atomi/cm 3 Costante reticolare del silicio = nm Distanza fra primi vicini nel silicio = nm Densità superficiale di atomi nel silicio nei piani (100) : 6.78 atomi/nm 2 (110) : 9.59 atomi/nm 2

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 11 Figure Schematic representation of an isolated silicon atom.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 12 Figure The splitting of a degenerate state into a band of allowed energies.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 13 Figure Formation of energy bands as a diamond lattice crystal is formed by bringing isolated silicon atoms together.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 14 Figure The parabolic energy (E) vs. momentum (p) curve for a free electron. Figure A schematic energy-momentum diagram for a special semiconductor with m n = 0.25 m 0 and m p = m 0.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 15 Figure Energy band structures of Si and GaAs. Circles (º) indicate holes in the valence bands and dots () indicate electrons in the conduction bands (GaAs m*=0.063 m; Si m*=0.19 m). Silicon E g = 1.12 eV GaAs E g = 1.42 eV

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 16 Figure Schematic energy band representations of (a) a conductor with two possibilities (either the partially filled conduction band shown at the upper portion or the overlapping bands shown at the lower portion), (b) a semiconductor, and (c) an insulator.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 17 Figure 2.1. Typical range of conductivities for insulators, semiconductors, and conductors.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 18 Figure The basic bond representation of intrinsic silicon. (a) A broken bond at Position A, resulting in a conduction electron and a hole. (b) A broken bond at position B.

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 19 Fonte: Dispense del corso di Dispositivi Elettronici, Prof. Carlo Naldi, Ed. CELID, 1996

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 20

Ettore Vittone: Dip. Fisica Sperimentale, Università di Torino; A.A Fisica dei Dispositivi Elettronici e Sensori; Laurea in Fisica; Fisica Stato Solido II, Laurea in Scienza dei Materiali Lectio II 21 Fonte: Dispense del corso di Dispositivi Elettronici, Prof. Carlo Naldi, Ed. CELID, 1996