Spettroscopia infrarossa IR

IL NUCLEO ATOMICO E L’ENERGIA NUCLEARE
26 Marzo 2003 slide n. 1 Presentazione della bozza di proposta Satellite Didattico fase 2 Claudio PortelliASI h
nelle situazioni seguenti:
COMPONENTI ELETTRONICI
M. Citterio INFN, Sezione di Milano
Strumenti di misura della radiazione
Parametri fisici e normative tecniche per l’uso
Il transistor.
Transistor MOSFET Dispositivo a semiconduttore con tre terminali
INFN-Laboratori Nazionali del Sud
Presentazione Proposte di Tesi
Laboratorio di Strumentazione Elettronica
Parametri di dipendenza della caratteristica
1 Parametri di dipendenza della caratteristica In generale la caratteristica di una cella fotovoltaica è funzione di tre variabili fondamentali: In generale.
Danni da radiazione su prototipi al silicio di tipo innovativo
CARATTERIZZAZIONE DOSIMETRICA DI FILM RADIOCROMICI MD-55-2
Esame di Dosimetria II – Prof. A. Piermattei
Seminario di Elettronica
Luca Indovina Scuola di Specializzazione in Fisica Sanitaria
Linee guida per la garanzia di qualità in radioterapia intraoperatoria
Adroterapia. Le particelle cariche (protoni o ioni più pesanti anche di energia relativamente elevata) perdono energia durante linterazione con la materia.
Famiglie MOS Ci sono due tipi di MOSFET:
Dispositivi unipolari
Lucia Di Masso Laboratorio SERMS.- Polo Scientifico Didattico di Terni
Spettrofotometri a doppio raggio
GENERATORE FOTOVOLTAICO
CARATTERISTICHE TECNICHE CELLA FOTOVOLTAICA
INTERAZIONE RADIAZIONE MATERIA
PROPRIETA' DOSIMETRICHE ED ELETTRICHE DELLA CORRENTE FOTOINDOTTA IN DIAMANTI SINTETICI CVD Cirrone G.A.P. (1,2) Bruzzi M. (3) Bucciolini M. (4), Cuttone.
Utilizzo di rivelatori a TermoLuminescenza DISOMOGENEITA’ TESSUTALI
INFN-Laboratori Nazionali del Sud, Via S. Sofia 44, Catania
Studio della risposta di TLD-100 in fasci di protoni da 62 MeV
Studio della Risposta TL e TSC con Fasci di Protoni
Esperienze di laboratorio “leggero” in aula
PROGETTAZIONE DI SCHERMATURE
Status progetto al 27/05/2005 Processi di deposizione Processo STD (SiH 4 +C 2 H 4 ) Processo con HCl (SiH 4 +C 2 H 4 +HCl) Processo con TCS (TCS +C 2.
Scheda Ente Ente Privato Ente Pubblico. 2ROL - Richieste On Line.
GLI ACCELERATORI NUCLEARI NELLA TERAPIA DEI TUMORI
1.6 - MOSFET di potenza 36 6.
RADIAZIONI Le radiazioni ionizzanti sono quelle onde elettromagnetiche in grado di produrre coppie di ioni al loro passaggio nella materia (raggi X, raggi.
UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PARMA Dipartimento di Ingegneria dellInformazione DEAS Devices, Electronic Applications and Sensors A NALISI N UMERICA E S ETUP.
Dosimetria a gel per BNCT
Workshop Apollo Milano, 18 dicembre 2012 Agenda: 10:30 - Stato del Main Converter, aspetti tecnici e organizzazione del lavoro per il 2013 (30 Milano);
Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CASSINO INFLUENZA DELLE VARIAZIONI TECNOLOGICHE SULLA ROBUSTEZZA DEI MOSFET.
Estratto per la relazione del Dott. Trevisanato 30 maggio 2008.
Università degli studi di Padova Dipartimento di ingegneria elettrica
STRUMENTAZIONE PER SPETTROFOTOMETRIA
Outline Chuck Karl Suss: problematiche sperimentali e loro soluzione.
Risultati preliminari diodi Schottky F. La Via, G. Galvagno, A. Firrincieli, F. Roccaforte, S. Di Franco.
LM Fisica A.A.2011/12Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Transistor a effetto di campo FET Ha ormai sostituito il BJT in molte applicazioni.
1 LM Fisica A.A.2013/14Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Transistor a effetto di campo FET Ha ormai sostituito il BJT in molte applicazioni.
La dose al paziente in radiologia
Acceleratori e Reattori Nucleari
I FET (Field-effect Transistor)
Laboratorio di Biofisica delle Radiazioni
Malattie professioinali e Marchi di qualità
C. De Angelis, A. Ampollini, G. Bazzano, F. Marracino, C. Ronsivalle, M. Vadrucci, M. Balduzzi, C. Patrono, C. Snels, A.Testa, P. Anello, G. Esposito,
Apollo Sommario scientifico e finanziario dei tre anni di attivita’ 2011 – 2013, difficolta’ incontrate, criticita’ non risolte, proseguimento del lavoro.
Lezione XIII Common-Mode feedback (CMFB). Introduzione  In tutte le applicazioni degli amplificatori operazionali un anello di retroazione differenziale.
Incontro “Sviluppo di Bioconiugati per Terapia a Cattura di Neutroni” Trieste - 30 Marzo 2010 Utilizzo del Gd-157 G. Gambarini Dipartimento di Fisica dell’Università.
Richiami sul transistore MOS
Specchio cascode low-voltage  Per limitare la caduta di tensione sullo specchio, ovvero eliminare il compromesso tra accuratezza e output swing, abbiamo.
- Raggi cosmici (p, Nuclei,..) - Vento solare (p,e) - Solar flare Il ciclo solare dura circa 11 anni ( 7 di minimo e 4 di massimo). - Particelle intrappolate.
Lea Di Noto INFN Sez. Genova IFAE Contenuti Le motivazioni L’esperimento L’apparato Le sorgenti Il detector di Borexino Il calorimetro I possibili.
Lezione III Amplificatori a singolo stadio. L'amplificatore ideale  Un amplificatore ideale è un circuito lineare V out =A v V in  Le tensione di ingresso.
Effetti da Evento Singolo in componenti elettronici di potenza
Irradiation tests on SiC Power Devices
Dispositivi unipolari
I FET (Field-effect Transistor)