Luciano Bosisio, Irina Rashevskaya

Presentazione sul tema: "Luciano Bosisio, Irina Rashevskaya"— Transcript della presentazione:

1 Luciano Bosisio, Irina Rashevskaya
Diodi Apsel 5T. Irraggiamenti con Neutroni. Luciano Bosisio, Irina Rashevskaya

2 Apsel5T 4 diodi NW-sub-interno, NW-pepi per test di radiation hardness. 3 geometrie differenti: 20, 40, 80um. M1: matrice 3x3 con tutti gli shaper accessibili + latch centrale. Cinj=30fF sul centrale, sensore dei pixel versione 1. M2: matrice 3x3 con tutti gli shaper accessibili + latch centrale. Cinj=30fF sul centrale, sensore dei pixel: versione 2. Al pixel 11 può essere connessa una CL=3.8pF M3: matrice 8x8 con readout sequenziale riga per riga. Cinj=30fF sul pixel 17 e uscita analogica accessibile. Sensore 1 nella metà sinistra, sensore 2 nella metà destra. DAC a 5 bit connesso ad un pixel nel quale è possibile regolare AVDD e AGND 2 2

3 Layout diodi (con i principali layer in evidenza)
Dimensioni C p+_ext Le dimensioni sono espresse in micron. D DNW A B C, D Lpext1 111,5 72 34 Lpext2 92 53 27 Lnext 83 47 23 Lnint 67 33,5 16 Lpint 60 30 13 B p+_int Lpint Lnint A Lnext Lpext2 Lpext1

4 Sezione verticale diodi
15 A26 14 A24 p_int 13 A22 12 p_ext A20 11 A18 9 Diodo NW – p_int – p “PI” Diodo NW – p_ext – p “PE” A16 7 A14 5 A12 A9 A7 A5 A3 A1 D1 D3 D5 D7 D10 DAC 3 A11 A10 A8 A6 A4 A2 D2 D4 D6 D8 D9 1 2

5 Misure C-V Diodo DA V,V C,pF Nd, cm E16 E17

6 Irraggiamenti BOX MAPS APSEL 3T1 Chip # 51 BOX MAPS APSEL 3T1 Chip # 52 APSEL 5T Chip # 2 (AP5T.2) Standart test structures: AI 616 TF2, AS228 TF , AS228 TF-N AI601 TF2 POKET APSEL 5T Chip # 1 (AP5T.1) Standart test structures: AI 616 TF1 AS336 TF , AS336 TF-N AE TF AI601 TF1 IRR x10E11 n/cm^ Spediti Misure IRR x10E11 n/cm^ Spediti Misure IRR x10E12 n/cm^ Spediti Misure

7 AP5T Diodi DA Misure I – V

8 AP5T.1 Diodi DA DB Misure I – V

9 AP5T DC DD Misure I – V

10 AP5T.2 Diodi DA DB Misure I – V

11 AP5T.2 Diodi DC DD Misure I – V

12 AP5T.1 AP5T.2 Correnti Diodi Interni (PI)
VBias = 2V V Bias = 8V

13 AP5T.1 AP5T.2 Correnti Diodi Esterni (PE)
VBias = 2V V Bias = 8V

14 Standard Test structures