Opzioni tecnologiche per l’elettronica di front-end del Gigatracker Angelo Rivetti – INFN Sezione di Torino.

Presentazione sul tema: "Opzioni tecnologiche per l’elettronica di front-end del Gigatracker Angelo Rivetti – INFN Sezione di Torino."— Transcript della presentazione:

1 Opzioni tecnologiche per l’elettronica di front-end del Gigatracker Angelo Rivetti – INFN Sezione di Torino

2 Specifiche principali Rate massimo: 1.9 MHz/mm 2 (56 MHz/cm 2 medio) Risoluzione temporale: < 150ps rms Input dynamic range: 0.8 fC to 8 fC Livelli di radiazione: richiedono un chip radiation tolerant Dimensioni del pixel: 300  m x 300  m Potenza < 1W/cm 2 (target) Punti particolarmente critici: risoluzione temporale e larghezza di banda.

3 Possibili architetture Pixel matrix Global TDC Data & control logic Preamp Comparator Logic Pixel matrix Data & control logic Preamp Comparator Local TDC Logic I/0 pads

4 Blocchi critici e possibili opzioni Comparatore: 1.Constant fraction discriminator (CFD). 2.“Multiple-over-threshold” per correzione del time walk. TDC 1.Time to Amplitude Converter. 2.TDC basato su anelli ad aggancio di fase e linee di ritardo digitali. Logica di selezione/trasmissione dati: 1. Trigger matching on chip. 2. Trasmissione off-chip dei dati raw. Le diverse opzioni vengono esplorate in parallelo. Lo studio di sistema e le simulazioni permetteranno eventualmente di escludere alcune architetture.

5 CMOS 0.25  m Tecnologia usata con molto successo per l’elettronica dei rivelatori di LHC. Vantaggi: Processo molto ben conosciuto. Radiation-hard se si disegnano i transistori con speciali geometrie (enclosed layout transistors). Esiste una libreria di celle digitali con layout rad-hard. Costi di produzione relativamente bassi (150 k$ per un engineering run). Possibili fonti di problemi: Tecnologia matura (ma dovrebbe essere disponibile almeno fino al 2009.) Il design kit e la libreria digitali non vengono più aggiornati e sono legati ad una versione obsoleta del software.

6 CMOS 0.13  m Tecnologia “stato dell’arte” dell’industria microelettronica, in piena produzione in ambito industriale. Vantaggi: Maggiore densità di componenti. Maggiore velocità. Processo più recente, quindi sar à disponibile pi ù a lungo. Radiation-hard se si disegnano i transistori con speciali geometrie (enclosed layout transistors). Svantaggi: Non esiste al momento una libreria digitale rad-hard e un design kit per layout enclosed. Tecnologia non ancora completamente caratterizzata per applicazioni analogiche o mixed-mode. Costo (600 k$ per un engineering run).

7 Costi a confronto CMOS 0.25  m Area minima 10 mm 2 : 21500 $. Da 10 a 25 mm 2 : 3500 $+ 1800 $/mm 2. Oltre 25mm 2 : 17250 $ + 1250 $/mm 2. Engineering run: costo indicativo: 150000 $. Esempio: Prototipo di 25 mm 2 in 0.25  m: 48500 $ (40500 €). Prototipo di 25 mm 2 in 0.13  m: 136375 $ (113000 €). CMOS 0.13  m Area minima 10 mm 2 : 58000 $. Da 10 a 25 mm 2 : 5750 $ + 5225 $/mm 2. Da 25 a 50 mm 2 : 20125 $ + 5225 $/mm 2. Da 50 a 75 mm 2 : 48875 $ + 4075 $/mm 2 Engineering run: costo indicativo: 600000 $. I costi sono basati sui prezzi di MOSIS. MPW organizzati dal CERN sono meno costosi ma non è garantita la frequenza.

8 Prototipi e costi per il 2006 La scelta di partenza più appropriata è la CMOS 0.25  m. La scelta è motivata da: Costi Esperienza maturata nell’uso della tecnologia Lo studio di sistema e la simulazione dei blocchi fondamentali (front-end, comparatori, TDC) inizia quindi in 0.25  m. Simulazioni approfondite permetteranno di selezionare alcune opzioni, che verranno prototipate su silicio. L’obiettivo è di sottomettere un prototipo di 25 mm 2 (40 k€) nel secondo quarto del 2006. Viste le specifiche molto stringenti, il ricorso alla 0.13  m potrebbe essere necessario.