Scaricare la presentazione
La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore
1
Dispositivi a semiconduttore
Giunzione MS Problema: Il contatto M-S è sempre presente in un circuito. Come si comporta ? Dispositivi a semiconduttore
2
Dispositivi a semiconduttore
Giunzione MS (n doping) Evac Walter Schottky ( ) em=workfunction metallo es=workfunction semiconduttore es=affinità elettronica semiconduttore Dispositivi a semiconduttore
3
Dispositivi a semiconduttore
4
Dispositivi a semiconduttore
Giunzione MS : caso n Electron Affinity Model (EAM) m>S e(s-s) Dispositivi a semiconduttore
5
Dispositivi a semiconduttore
Al momento del contatto Dopo il contatto Dispositivi a semiconduttore
6
Dispositivi a semiconduttore
Giunzione MS Dispositivi a semiconduttore
7
Dispositivi a semiconduttore
VA=potenziale esterno applicato Dispositivi a semiconduttore
8
Dispositivi a semiconduttore
Capacità Spettroscopia C-V Dispositivi a semiconduttore
9
Dispositivi a semiconduttore
Se ND=cost 1/C2 cresce linearmente con V Intercetta per 1/C2 a zero dà VBI Dispositivi a semiconduttore
10
Dispositivi a semiconduttore
Calcolo barriera potenziale Dispositivi a semiconduttore
11
Dispositivi a semiconduttore
Vari metalli Dispositivi a semiconduttore
12
Dispositivi a semiconduttore
Capacità variabile Varactor Dispositivi a semiconduttore
13
Dispositivi a semiconduttore
Caso p m<S Dispositivi a semiconduttore
14
Dispositivi a semiconduttore
Indice di superficie S Dispositivi a semiconduttore
15
Dispositivi a semiconduttore
Superficie Dispositivi a semiconduttore
16
Dispositivi a semiconduttore
Stati di superficie Bulk state Surface state Dispositivi a semiconduttore
17
Dispositivi a semiconduttore
Superficie Dispositivi a semiconduttore
18
Dispositivi a semiconduttore
Stati di superficie e band bending Dispositivi a semiconduttore
19
Dispositivi a semiconduttore
Stati di superficie e band bending Dispositivi a semiconduttore
20
Dispositivi a semiconduttore
Nel realizzare la barriera conta anche la superficie Dispositivi a semiconduttore
21
Dispositivi a semiconduttore
Limiti validità EAM: Effetti di superficie: Fermi-Level Pinning (III-As, III-P) . Il livello di Fermi alla superficie è ad energia fissata a prescindere dal metallo con cui realizzo il diodo Dispositivi a semiconduttore
22
Dispositivi a semiconduttore
Giunzione MS : caso n con bias Dispositivi a semiconduttore
23
Dispositivi a semiconduttore
Corrente di maggioritari: Emissione termoionica 2) Tunneling: conta per barriere sottili ad alti drogaggi Per emissione di campo si intende il tunneling di elettroni vicini al livello di Fermi Per doping conta emissione termoionica Dispositivi a semiconduttore
24
Dispositivi a semiconduttore
Corrente termoionica Dispositivi a semiconduttore
25
Dispositivi a semiconduttore
Corrente termoionica Dispositivi a semiconduttore
26
Dispositivi a semiconduttore
Calcolo emissione termoionica A*=Costante di Richardson 120m*/m0 A/(Kcm)2 Dispositivi a semiconduttore
27
Dispositivi a semiconduttore
J=JS-M-JM-S=JS(exp(qV/kBT)-1) JS: corrente di saturazione, cresce con T Caratteristica diodo Schottky ideale Dispositivi a semiconduttore
28
Dispositivi a semiconduttore
Caratteristiche generali: Tensione ginocchio inferiore Maggiore corrente di perdita Dispositivi a semiconduttore
29
Dispositivi a semiconduttore
Effetto Schottky: Riduzione potenziale contatto dovuto ad effetto cariche immagine Effetto trascurabile per contatti con semiconduttori con costante dielettrica ≈10 Gli elettroni nel semiconduttore “ vedono” una superficie metallica equipotenziale. Un elettrone -e nel punto x del SC_ Una carica immagine +e nel punto -x Dipende dal bias Aumento emissione termoionica Dispositivi a semiconduttore
30
Dispositivi a semiconduttore
31
Dispositivi a semiconduttore
Caratteristiche generali: Tensione ginocchio inferiore Maggiore corrente di perdita Dispositivi a semiconduttore
32
Dispositivi a semiconduttore
33
Dispositivi a semiconduttore
Cat whisker radio Contatto meccanico metallo-semiconduttore (galena PbS): nella radio azione rettificatrice Dispositivi a semiconduttore
34
Dispositivi a semiconduttore
Contatto ohmico: Resistenza contatto “ piccola” Per la corrente termoionica Piccole barriere Dispositivi a semiconduttore
35
Dispositivi a semiconduttore
36
Dispositivi a semiconduttore
37
Dispositivi a semiconduttore
Contatto Ohmico Dispositivi a semiconduttore
38
Dispositivi a semiconduttore
Contatti Ohmici OK se cresce doping: W diminuisce: tunneling Dispositivi a semiconduttore
39
Dispositivi a semiconduttore
Contatti Ohmici: deposizione eutettica Nella lega per formare il contatto c’è un elemento drogante per il SC Una miscela eutettica (dal greco eu = buono, facile; tettico = da fondere) è una miscela di sostanze il cui punto di fusione è più basso di quello delle singole sostanze che la compongono (da cui il nome "facile da fondere"). Dispositivi a semiconduttore
40
Contatti Ohmici Material Contact materials Si
Al, Al-Si, TiSi2, TiN, W, MoSi2, PtSi, CoSi2, WSi2 Ge In, AuGa, AuSb GaAs AuGe, PdGe, Ti/Pt/Au GaN Ti/Al/Ti/Au, Pd/Au InSb In ZnO InSnO2, Al CuIn1-xGaxSe2 Mo, InSnO2 HgCdTe Dispositivi a semiconduttore
41
Dispositivi a semiconduttore
Con alto doping piccola regione svuotamento e tunneling Dispositivi a semiconduttore
42
Dispositivi a semiconduttore
43
Dispositivi a semiconduttore
44
Dispositivi a semiconduttore
Presentazioni simili
© 2024 SlidePlayer.it Inc.
All rights reserved.