POLARIZZAZIONI DEL BJT

Presentazione sul tema: "POLARIZZAZIONI DEL BJT"— Transcript della presentazione:

1 POLARIZZAZIONI DEL BJT
Polarizzazione in «corrente» Polarizzazione in «tensione» IC R1 vu RC IB ~ vg VBE ~ 0.7V RE VCC R2 IC RB RC IB VCC ~ VBE ~ 0.7V RB IB =(VCC-0.7V)/RB

2 Polarizzazione della base
VCC IC RC R1 IB C B IC vu RB VBB E R2 IB RE IE RE

3 Polarizzazione del CEE che massimizza la dinamica di uscita per segnali bipolari
VCC IC RC Infatti: R1 IB C B VBE ~ 0.7V E R2 RE Per ottenere questo valore si è trascurato il termine 0.2V

4 Amplificatore a transistor in configurazione Emettitore Comune con resistenza di emettitore (CEE)
VCC IC RC R1 IB C B vu ~ vg VBE ~ 0.7V E R2 RE

5 Circuito equivalente del CEE per piccoli segnali a bassa frequenza
ib iu rp gm vp RC ~ vi e RE

6 Amplificazione, Impedenza di ingresso e impedenza di uscita per configurazione CEE

7 BJT in configurazione CC (Emitter Follower)
VCC Polarizzazione configurazione CC IC R1 IB C B ~ vi VBE ~ 0.7V E R2 RE vu

8 Circuito equivalente per piccoli segnali a bassa frequenza BJT conf. CC
ib rp ~ vi gm vp e RE

9 Disponendo diversamente i componenti ma senza modificare la topologia:
ib iu b e rp gm vp Rg RE vu vb vg ~ c

10 Caratteristiche dell’Emitter-Follewer (continua)

11 Configurazione CB Nella configurazione a base comune (CB) la Base del transistor è in comune tra ingresso e uscita dell’amplificatore VCC gmvp ii iu c RC e E Rg - + C + RE vg rp vp RC vu vi RE vu ~ B + - - b -VEE vi Amplificatore con BJT in configurazione: Base Comune Circuito equivalente per piccoli segnali

12 Impedenza d’Ingresso

13 Amplificazione di corrente

14 Amplificazione di tensione

15 Impedenza d’uscita

16 B E C R1 vu RC Ip vg RE VCC R2 ~ R’E R’2 R’1 CEE CC

17 Amplificatori in «Cascata»
B E C R1 vu RC Ip vg RE VCC R2 ~ R’E R’2 R’1 CEE CC Accoppiamento in AC

18 Amplificatori in «Cascata»
VCC Accoppiamento in «continua» IC RC Ip C R1 IB’ vu B ~ vg R2 E R’E RE CEE CC

19 Esempio ~ B vg IC=1.4mA RC=3.2k Ω VC=5.6V VCE’=5.0V VB=1.55V VE=0.95V
VCC =10 V RC=3.2k Ω IC=1.4mA R1=45k Ω VC=5.6V Ip C VCE’=5.0V Rg=50 Ω VB=1.55V B C=3.3mF ~ VE=0.95V vg VE’=5.0V E R2 IE’=10mA RE=0.68Ω R’E=0.5k Ω RL=10 Ω R2=8.2k Ω Frequenza di taglio per la misura dell’impedenza di uscita

20 Esempio – Transistor a Collettore Comune
IB=200mA 40 Retta di carico (statica): 160mA 30 Punto di Lavoro 120mA Corrente di Collettore ,IC (mA) Retta di carico (dinamica): 20 80mA 10 40mA ICQ 2 4 6 8 10 Tensione Emettitore-Collettore ,VCE (V) VCEQ

21 Esempio 40 30 Corrente di Collettore ,IC (mA) 20 10 ICQ 2 4 6 8 10
IB=200mA 40 160mA 30 120mA Corrente di Collettore ,IC (mA) 20 80mA 10 40mA ICQ 2 4 6 8 10 VCE (V) VCEQ