La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

La presentazione è in caricamento. Aspetta per favore

STAGE c/o STM ARGOMENTO: COPPER THIN FILM CRYSTALLOGRAPHIC TEXTURE LAVORO: Lattivita`prevede lo studio della tessitura cristallografica del Rame in film.

Presentazioni simili


Presentazione sul tema: "STAGE c/o STM ARGOMENTO: COPPER THIN FILM CRYSTALLOGRAPHIC TEXTURE LAVORO: Lattivita`prevede lo studio della tessitura cristallografica del Rame in film."— Transcript della presentazione:

1 STAGE c/o STM ARGOMENTO: COPPER THIN FILM CRYSTALLOGRAPHIC TEXTURE LAVORO: Lattivita`prevede lo studio della tessitura cristallografica del Rame in film sottili e linee di corrente per tecnologie inferiori a 0.13 µm, nellambito dello studio della correlazione tra tessitura, proprieta elettriche ed elettromigrazione. La distribuzione delle orientazioni cristallografiche e levoluzione della ricristallizzazione verranno studiate con Electron BackScattering Diffraction (EBSD), TEM, XRD e misure di resistivita. PERSONA DI RIFERIMENTO: Enrico Varesi tel.: INIZIO: I semestre 2004, DURATA INDICATIVA : non minore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti. Attitudine a lavori sperimentali e conoscenze di base di cristallografia e diffrazione.

2 STAGE c/o STM Agrate – R2 ARGOMENTO: RICOSTRUZIONE DEL PROFILO ATTRAVERSO LANALISI DELLE LINEE DI SCANSIONE SEM DESCRIZIONE DEL LAVORO: La ricostruzione del profilo delle strutture ottenute dallesposizione litografica e` fondamentale per valutare la rispondenza del prodotto ai requisiti e quindi la funzionalita` del dispositivo Lo stage sara`suddiviso in una parte sperimentale di raccolta delle forme donda associate alle diverse condizioni di misurazione SEM ed in una parte analitica che portera` alla costituzione di una libreria di riferimento PERSONA DI RIFERIMENTO: Ermes Severgnini tel.: INIZIO: primo trimestre 2004 DURATA INDICATIVA: Non inferiore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti; attitudine a lavori sperimentali

3 STAGE c/o STM ARGOMENTO Studio degli effetti di difetti di punto e difetti estesi sulle proprietà dei dispositivi. LAVORO: L'attività si inquadra nell'ambito del lavoro sulle proprietà elettriche dei difetti nei dispositivi. Il lavoro è di tipo sperimentale e prevede l'analisi cristallografica di campioni prelevati nel corso del processo di fabbricazione e a fine processo, l'analisi dei risultati di misure elettriche su strutture di test e dispositivi, l'identificazione dei punti di fallimento mediante microscopia di emissione e analisi DLTS volte allidentificazione dei difetti. PERSONE DI RIFERIMENTO: I. Mica (tel , e M.L. Polignano (tel , INIZIO: settembre 2004, DURATA INDICATIVA: non minore di 6 mesi REQUISITI: Attività a tempo pieno

4 STAGE c/o STM ARGOMENTO Effetto di contaminazioni sulla qualità del silicio e della sua interfaccia con l'ossido. LAVORO: Questa attività riguarda il problema della contaminazione nei processi di fabbricazione dei dispositivi, e si propone da un lato di identificare i metodi piú idonei per rilevare le contaminazioni, dallaltro di individuare le contaminazioni responsabili di fallimenti di dispositivi o strutture di test. Il lavoro è di tipo prevalentemente sperimentale. Si prevede di utilizzare tecniche per la misura della lifetime di ricombinazione e della lifetime di generazione dei portatori, tecniche convenzionali e non-contact per la misura della densità di stati di interfaccia, e la tecnica DLTS. L'attività si svolge nell'ambito di un programma di collaborazione europeo (MEDEA+) PERSONE DI RIFERIMENTO: M.L. Polignano (tel , e- mail e I. Mica (tel , INIZIO: febbraio 2004, DURATA INDICATIVA: non minore di 6 mesi REQUISITI: Attività a tempo pieno

5 STAGE c/o STM ARGOMENTO: Identificazione di punti caldi in dispositivi e strutture di test mediante microscopia di emissione. LAVORO: Questa attività si svolge nel contesto di un programma di collaborazione europeo (MICROTHERM) per la misura della temperatura nei dispositivi in funzionamento. I risultati ottenuti con microscopia di emissione saranno confrontati con quelli di altre tecniche sviluppate nel corso del progetto al fine di evidenziare punti di forza e di debolezza dei vari approcci. Il lavoro è di tipo prevalentemente sperimentale e prevede da un lato la caratterizazione elettrica e con microscopia di emissione di varie strutture, dallaltro il confronto critico dei risultati delle varie tecniche. PERSONE DI RIFERIMENTO: M.L. Polignano (tel , e I. Mica (tel , INIZIO: febbraio 2004, DURATA INDICATIVA: non minore di 6 mesi REQUISITI: Attività a tempo pieno

6 STAGE c/o STM Agrate – R2 ARGOMENTO: INTEGRAZIONE NEL PROCESSO MANUFATTURIERO DI MISURE DIMENSIONALI MEDIANTE SCATTEROMETRIA DESCRIZIONE DEL LAVORO: La scatterometria si e` rivelata un valido sostituto della tecnologia SEM per misure dimensionali nella fabbricazione dei semiconduttori, sia in termini di prestazioni metrologiche che per la ridotta interazione col misurando; il principio di funzionamento stesso tuttavia pone dei limiti alle applicazioni in ambito industriale che devono essere studiate e comprese a fondo Lo stage avra` quale obiettivo lintegrazione dello scatterometro nei flussi di processo di fotolitografia PERSONA DI RIFERIMENTO: Mauro Vasconi tel.: INIZIO: Secondo trimestre 2004 DURATA INDICATIVA: Non inferiore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti; attitudine a lavori sperimentali

7 STAGE c/o STM ARGOMENTO: ATTACCHI AL PLASMA DI OSSIDI DI SILICIO PER MEMORIE FLASH IN TECNOLOGIA 90nm LAVORO: Lattivita` consiste nello sviluppo e caratterizzazione di attacchi chimico-fisici realizzati in reattori al plasma per la definizione di geometrie submicrometriche in ossidi di silicio, drogati e non. Il lavoro sara prettamente di tipo sperimentale: le caratterizzazioni riguarderanno le proprieta macroscopiche (etch rate, uniformita, selettivita,…) e microscopiche (morfologia, misure dimensionali, microloading,…) dei vari processi sviluppati. Verranno anche valutate le performance di diversi tipi di reattori al plasma. Lattivita sperimentale prevede lutilizzo di tecniche rifrattometriche, ellissometriche, SEM e TEM. PERSONA DI RIFERIMENTO: Simone ALBA tel.: INIZIO: giugno 2004, DURATA INDICATIVA: non inferiore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti. Attitudine a lavori sperimentali.

8 STAGE c/o STM ARGOMENTO: ANALISI PLANARITA`ISOLAMENTO DI MEMORIE FLASH IN TECNOLOGIA 90nm LAVORO: Lattivita`sulla planarita`dellisolamento, in tecnologia Shallow Trench Isolation (STI),consiste in una caratterizzazione dei dielettrici che compongono lisolamento stesso a diversi livelli del flusso di processo per la fabbricazione di un I.C.e nel contempo prevede lanalisi dellimpatto strutturale sul dielettrico dato da trattamenti termici e impiantazioni ioniche diverse. Lo stage sara`suddiviso in una parte sperimentale di preparativa dei campioni, una parte analitica di misure ellissometriche, AFM, SEM TEM e SIMS del dielettrico in esame ed uno studio elettrico delle proprieta`di isolamento del dielettrico stesso. PERSONA DI RIFERIMENTO: Lorena Beghin tel.: INIZIO: I semestre 2004, DURATA INDICATIVA: non minore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti. Attitudine a lavori sperimentali.

9 STAGE c/o STM ARGOMENTO: DESIGN OF EXPERIMENT for µm DEVICES LAVORO: Lattivita`prevede una vasta caratterizzazione dimensionale, per gate di tecnologie Flash Stand alone ed Embedded da 0.1µm-0.13µm rispettivamente.Tale caratterizzazione e`indispensabile per la messa a punto di un processi a bassa dispersione ed alta ripetibilita`di funzionalita`elettriche. Lo stage prevede una parte teorica di strutturazione dellesperimento, una parte sperimentale di preparativa dei campioni, una parte di analisi dimensionali SEM, TEM ed uno studio dellimpatto elettrico sulle prestazioni dei transistori. PERSONA DI RIFERIMENTO: Lorena Beghin tel.: INIZIO: I semestre 2004, DURATA INDICATIVA : non minore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti. Attitudine a lavori sperimentali

10 STAGE c/o STM ARGOMENTO: ISOLATION OXIDES CHARACTERIZATION IN 0.1µm DEVICE LAVORO: Lattivita`prevede la messa a punto del migliore schema di isoalmento per tecnologie da 0.1µm in termini di ossidi sottili da forno e da RTO (Rapid Thermal Oxidation). Lo stage e`articolato in una parte sperimentale di preparativa dei campioni, una parte di analisi dimensionali SEM, TEM ed uno studio dellimpatto elettrico sulle prestazioni dellossido di tunnel e degli ossidi di gate del dispositivo. PERSONA DI RIFERIMENTO: Lorena Beghin tel.: INIZIO: I semestre 2004, DURATA INDICATIVA : non minore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti. Attitudine a lavori sperimentali

11 STAGE c/o STM ARGOMENTO: VALUTAZIONE DI SISTEMI SINGLE LAYER CONVENZIONALI E SI- CONTAIN PER TECNOLOGIA FLASH 65nm LAVORO: Studio comparativo sulle performance litografiche e della compatibilita industriale di materiali fotosensibili standard single layer e Si-containg per lestensione della tecnologia 193nm. Valutazione di campioni di resine per la definizione di linee e spazi da 65 nm con pitch variabile da 160nm a 180nm. La stage prevede la preparazione di campioni litografici comparativi su maschere test utilizzando attrezzature di esposizione a 193nm e lanalisi comparativa dei campioni attraverso suluso di SEM metrologici. PERSONA DI RIFERIMENTO:Anna Lisa Pepe tel: INIZIO: I trimestre 2004, DURATA INDICATIVA: non minore a 6 mesi REQUISITI: Massimo due esamo mancanti. Attitudine al lavoro sperimentale.

12 STAGE c/o STM ARGOMENTO: STUDIO E CARATTERIZZAZIONE DI MATERIALI FOTOSENSIBILI E TRATTAMENTI SUPERFICIALI PER LAPPLICAZIONE IN STEP DI ATTACCO IN UMIDO Studio delle performance di adesione di materiali fotoposensibili 248nm e 193nm per step di wet etch. Analisi dei meccanismi di adesione su differenti substrati inorganici, applicazione e valutazione di idoneta di trattamenti supeficiali per promuovere ladesione della resina fotosensibile. La stage prevede la preparazione di campioni litografici comparativi su maschere test utilizzando attrezzature di esposizione a 248nm e 193nm e lanalisi dei campioni attraverso suluso di SEM metrologici ed analisi spettroscopiche superficiali. PERSONA DI RIFERIMENTO:Anna Lisa Pepe tel: INIZIO: settembre 2003, DURATA INDICATIVA: non minore a 1 anno REQUISITI: Massimo due esamo mancanti. Attitudine al lavoro sperimentale.

13 STAGE c/o STM Studio delle tecniche di risoluzione litografica per la definizione del nodo tecnologico 65nm nella realizzazione di memorie non volatili. Compatibilmente con le regole di disegno e larchitettura delle memorie non volatili, lo stage si prefigge di analizzare le tecniche di risoluzione litografica, i parametri e le attrezzature di esposizione, per ottenere dal sistema illuminazione-reticolo-resist la risoluzione necessaria allo sviluppo della tecnologia e allo stesso tempo la finestra di lavoro più ampia possibile. Lo stage prevede una parte di studio teorico dedicato ai livelli più critici di un dispositivo (aree attive, gate, contatti e metallizzazioni) mediante simulatore litografico e una parte sperimentale di verifica dei risultati ottenuti mediante maschere di test e attrezzature a sorgente 248nm/193nm. PERSONA DI RIFERIMENTO: Gianfranco Capetti tel.: INIZIO: I trimestre 2004 DURATA INDICATIVA: non minore di 6 mesi REQUISITI: Massimo due esami mancanti; elementi di ottica geometrica e familiarità con programmi in ambiente Windows/Unix.


Scaricare ppt "STAGE c/o STM ARGOMENTO: COPPER THIN FILM CRYSTALLOGRAPHIC TEXTURE LAVORO: Lattivita`prevede lo studio della tessitura cristallografica del Rame in film."

Presentazioni simili


Annunci Google