Laboratorio II, modulo 2 2016-2017 Elettronica digitale (2a parte) (cfr. http://physics.ucsd.edu/~tmurphy/phys121/phys121.html)

Slides:



Advertisements
Presentazioni simili
Elementi circuitali lineari: resistori  legge di Ohm  corrente
Advertisements

Circuiti logici dedicati
Reti Logiche A Lezione n.1.4 Introduzione alle porte logiche
Il transistor.
Conduttori: Rame, ferro, alluminio
CIRCUITI ELETTRONICI ANALOGICI E DIGITALI
Transistor MOSFET Dispositivo a semiconduttore con tre terminali
L’amplificatore operazionale
Porte Logiche Open Collector e Connessione Wired-OR
PORTE LOGICHE - i parametri dei fogli tecnici
1 PORTE LOGICHE - i parametri dei fogli tecnici Valori Massimi Assoluti Vcc max, Vin max, T max Condizioni Operative Consigliate Vcc Vin Tstg Vout (tf,
Famiglie MOS Ci sono due tipi di MOSFET:
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Circuito Invertitore (1) Implementazione della funzione NOT in logica positiva V(1) = 12 Volts.
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 I Transistori I transistor sono dispositivi con tre terminali sviluppati dal I tre terminali.
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Retta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo.
Dispositivi unipolari
Famiglia IIL (1) Integrated Injection Logic (IIL o I2L )
PRESENTAZIONE DEGLI ARGOMENTI: SIMBOLI GRAFICI E RELATIVE OPERAZIONI LOGICHE TABELLE DI VERITA INTEGRATI DIGITALI DELLE FAMIGLIE TTL E CMOS E LORO RICONOSCIMENTO.
Esperienze di laboratorio “leggero” in aula
LM Fisica A.A.2011/12Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Transistor a effetto di campo FET Ha ormai sostituito il BJT in molte applicazioni.
1 LM Fisica A.A.2013/14Fisica dei Dispositivi a Stato Solido - F. De Matteis Transistor a effetto di campo FET Ha ormai sostituito il BJT in molte applicazioni.
Circuiti Integrati Digitali L’ottica del progettista
L’invertitore Circuiti Integrati Digitali L’ottica del progettista
Famiglie logiche generalità
Consumo di potenza.
ADC – SCHEMA GENERALE I convertitori AD sono disponibili come circuiti integrati in diversi modelli, che differiscono fra loro per prezzo, prestazioni.
I FET (Field-effect Transistor)
DISPOSITIVI E CIRCUITI INTEGRATI
Tempo di ritardo.
Dispositivi e sistemi logici
DAC A RESISTORI PESATI.
Circuiti digitali Architettura © Roberto Bisiani, 2000,2001
CIRCUITI ELETTRONICI ANALOGICI E DIGITALI
Algebra di Boole.
FAMIGLIE LOGICHE.
Elettronica digitale Giovanni Ambrosi Matteo Duranti
Laboratorio II, modulo Elettronica digitale ( cfr. )
Richiami sul transistore MOS
Amplificatori operazionali
Lezione XV Bandgap references (II). Generazione di bandgap.
Lezione III Amplificatori a singolo stadio. L'amplificatore ideale  Un amplificatore ideale è un circuito lineare V out =A v V in  Le tensione di ingresso.
Laboratorio di Architettura Degli Elaboratori1 PSPICE – Circuiti sequenziali.
Astabile e monostabile con NE555
Laboratorio II, modulo Transistor (cfr.
Amplificatori operazionali II
Comparatore e FlashADC con l’Op.Amp. “TDC” con l’FPGA LM35
GPIO: General Purpose Input Output I parte
Laboratorio II, modulo Elettronica digitale (cfr.
Introduzione L’AO può essere definito funzionalmente come un amplificatore differenziale, cioè un dispositivo attivo a tre terminali che genera al terminale.
Microcontrollori e microprocessori
Laboratorio II, modulo Amplificatori operazionali (cfr.
Limitazioni dell’ “input range”
Riferimenti di corrente (e tensione)
Capacità MOS Strato di ossido su di un semiconduttore drogato p
Diodo.
Laboratorio II, modulo Amplificatori operazionali (cfr.
Dispositivi unipolari
Alimentazione esterna
Modulistica per l’elettronica nucleare
Alimentazione esterna
Circuiti integrati Costruzione di circuiti (logici e non) su un substrato di silicio. Non solo la parte attiva ma anche le connessioni tra le porte. Incredibile.
Generatore di segnali a dente di sega
I FET (Field-effect Transistor)
Architettura degli Elaboratori
Circuiti digitali Architettura © Roberto Bisiani, 2000
Progettazione di circuiti e sistemi VLSI
Elementi di base per lo studio dei circuiti digitali
I BJT (Bipolar Junction Transistor)
Unità 5 Segnali analogici.
Transcript della presentazione:

Laboratorio II, modulo 2 2016-2017 Elettronica digitale (2a parte) (cfr. http://physics.ucsd.edu/~tmurphy/phys121/phys121.html)

Esempio (reale) di comparatore +5 V V +  R Vout Vin 5 V Vout Vin Vref Vref tempo quando Vin < Vref, Vout è “pulled-up” (attraverso il resistore di “pull-up”, usualmente 1 k o più) questa configurazione è chiamata a “collettore aperto”: l’uscita è il collettore di un transistor npn. In saturazione è tirata verso l’emettitore (ground), ma se non c’è corrente di base il collettore è tirato al voltaggio di pull-up l’uscita è una versione “digitale” del segnale i valori “alto” e “basso” sono configurabili (ground e 5V, nell’esempio) possono essere utili anche per convertire un segnale “lento” in uno “veloce” se è necessaria una maggiore precisione di “timing”

Famiglie logiche Famiglie logiche più diffuse e usate CMOS (Complementary MOS) NMOS (MOSFET a canale n) TTL (Transistor-Transistor Logic) ECL (Emitter Coupled Logic) transistor FET transistor BJT Le porte logiche possono essere fabbricate con le varie tecnologie in un singolo chip con stesse funzioni, compatibili SSI small scale integration (1-10 gates) MSI medium scale integration (10-100 gates) LSI large scale integration (~ 103) VLSI very large scale integration (~ 106) ULSI ultra large scale integration (> 106) numero di porte

Comparators, FETs, Logic Famiglie logiche TTL: Transistor-Transistor Logic, basato sul BJT output: ‘1’ logico: VOH > 3.3 V; ‘0’ logico: VOL < 0.35 V input: ‘1’ logico: VIH > 2.0 V; ‘0’ logico: VIL < 0.8 V zona “morta” fra 0.8V e 2.0 V CMOS: Complimentary MOSFET output: ‘1’ logico: VOH > 4.7 V; ‘0’ logico: VOL < 0.2 V input: ‘1’ logico: VIH > 3.7 V; ‘0’ logico: VIL < 1.3 V zona “morta” fra 1.3V e 3.7 V L’uscita di un CMOS è TTL-compatibile Lecture 10

Confronto famiglie logiche TTL CMOS ECL tensione massima di alimentazione 5 -5.2 valore massimo Vin identificato come 0 0.8 1.3 -1.4 valore minimo Vin identificato come 1 2.0 3.7 -1.2 valore massimo Vout 0.35 0.2 -1.7 valore minimo Vout 3.3 4.7 -0.9

Realizzazione: è di fatto un interruttore Invertitore (NOT) Realizzazione: è di fatto un interruttore logica TTL (BJT) quando Vs è ~ 0 il transitor è in cut-off  IB~0  IC~0  Vout è “pulled up” verso VCC quando Vs è “grande” il transitor va in saturazione  IC è massima  Vout~0 (dato che VCC-Vout = RC * IC) VCC Vout vs RC IB IC RB

Comparators, FETs, Logic Interruttori MOSFET i MOSFET, utilizzati nei circuiti di logica, agiscono come interruttori controllati con un voltaggio n-channel MOSFET è chiuso (conduce) quando è applicato un voltaggio positivo (+5V), aperto quando il voltaggio è nullo p-channel MOSFET è aperto quando è applicato un voltaggio positivo (+5V), chiuso (conduce) quando il voltaggio è nullo drain source n-channel MOSFET p-channel MOSFET gate gate source drain 0 V 5 V 0 V 5 V Lecture 10

Realizzazione: è di fatto un interruttore Invertitore (NOT) Realizzazione: è di fatto un interruttore logica TTL (BJT) logica NMOS (MOSFET) + - vin vout +VDD VCC Vout vs RC IB IC RB

Invertitore (NOT) MOSFET: Comparators, FETs, Logic Invertitore (NOT) MOSFET: A A C 0 1 1 0 NOT 5 V 0 V input output 5 V 0 V 5 V 0 V p-channel n-channel 0V come input “apre” il FET in basso (n-channel) ma “chiude” quello in alto (p-channel)  l’output è a +5V 5V come input “chiude”” il FET in basso (n-channel) ma “apre” quello in alto (p-channel)  l’output è a 0V  l’effetto netto è l’inversione logica: 0  5; 5  0 Lecture 10

Comparators, FETs, Logic NAND MOSFET: Entrambe gli input a 0V: i due FET in basso OFF, i due in alto ON  uscita “alta” Entrambe gli input a 5V: i due FET in basso ON, i due in alto OFF  uscita “bassa” IN A a 5V, IN B a 0V: alto a sinistra OFF, più basso ON alto a destra ON, in mezzo OFF IN A a 0V, IN B a 5V: opposto rispetto a prima 5 V p-channel p-channel IN A OUT C n-channel IN B A B C 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 NAND n-channel 0 V 0 V A B C Lecture 10

Comparators, FETs, Logic NOR MOSFET: Entrambe gli input a 0V: i due FET in basso OFF, i due in alto ON output “alto” Entrambe gli input a 5V: i due FET in basso ON, i due in alto OFF  output “basso” IN A a 5V, IN B a 0V: basso a sinistra OFF, basso destra ON più alto ON, in mezzo OFF IN A a 0V, IN B a 5V: opposto rispetto a prima la NAND sottosopra… 5 V 5 V IN A OUT C A B C 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 NOR IN B 0 V A B C Lecture 10

Nomenclatura circuiti AA 74 AAA XXX P due lettere indicano la casa costruttrice 74, sempre uguale tre lettere che indicano la sottofamiglia numeri indicano la funzione del circuito lettere che identificano il contenitore (packaging) SN74ALS245N significa che è fatto dalla Texas Instruments (SN), è un TTL con range di temperatura commerciale (74), è della famiglia “Advanced Low-power Schottky” (ALS), ed è un buffer bi-direzionale a 8 bit, in un package plastico di tipo through-hole DIP (N).

TTL Sottofamiglie TTL STD standard LS low power Schottky S Schottky veloci basso consumo ALS advanced low power Schottky AS advanced Schottky