Memorie.

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Transcript della presentazione:

Memorie

Gerarchia delle memorie CPU Cache Centrale Massa Distanza Capacità Costo Tempi di accesso

Le memorie centrali Nella macchina di Von Neumann, le istruzioni e i dati sono contenute in una memoria di accesso immediato detta: MEMORIA CENTRALE o main memory Memoria Centrale Memorie Massa CPU

Le memorie di massa Poiché le memorie centrali sono: Volatili perché elettroniche Limitate perché costose Si affiancano ad esse memorie più economiche MEMORIA DI MASSA Non volatili (in grado cioè di mantenere una gran quantità di informazioni in modo permanente) e di costo minore.

MEMORIE DI TRANSITO (cache e buffer) Le memorie Oltre alle due citate categorie di memorie, si può aggiungere la categoria delle : MEMORIE DI TRANSITO (cache e buffer) usate, in genere, per aumentare la velocità di trasferimento tra dispositivi con proprietà diverse Magazzino Consumatore Produttore

Memoria CENTRALE Permette l’accesso alle informazioni in modo diretto ed in tempi brevi È divisa in celle adiacenti Ogni cella ha un suo indirizzo ed un suo contenuto (informazione) 01001000 3010 3011 3012 10001001 01000101

Memoria CENTRALE Celle adiacenti hanno indirizzi consecutivi Un processore ha m bit per definire un indirizzo (ad es. 16, 32 o 64), quindi 2m indirizzi diversi che prendono il nome di spazio di indirizzamento È essenzialmente costituita dalle RAM

RAM Random Access Memory, memoria ad accesso casuale Ad ogni indirizzo è possibile scrivere o leggere un valore in binario I computer ne possono contenere da 32 Mb ai Gb con costi sempre in diminuzione 1K 1024 1M 1K*1K 1G 1K*1M

RAM E’ volatile Il tempo di accesso (tempo necessario per l’operazione di lettura di una qualsiasi locazione di memoria) è tra i 20 e 60 ns. Costruite e vendute in aggregati da 32Mb a 512 Mb ciascuno

Le simm 30 piedini 72 piedini

DRAM Dynamic RAM, RAM dinamiche tecnologicamente più semplici, hanno il vantaggio di costare meno, ma lo svantaggio di perdere l’informazione se non si rinfresca (refresh) il chip ogni 2 ms con un passaggio di corrente Durante il refresh la CPU non può ne leggere ne scrivere in memoria, tale tempo morto è detto wait state Un ciclo di accesso in memoria inteso come tempo tra una lettura ed una successiva varia tra gli 80 ed i 125 ns

SRAM Static RAM, Ram statiche Non hanno bisogno del refresh, quindi più veloci nel ciclo di accesso (pochi ns) Costitutivamente più complesse e quindi più costose e più difficili da integrare

ROM: Read Only Memory Memorie a sola lettura Sono molto veloci (come le SRAM) Non volatili Vengono scritte un’unica volta, all’atto della loro costruzione e non possono essere più riscritte o cancellate

ROM Sono impiegate quando è necessario disporre di dati e programmi in memoria centrale già all’accensione dell’elaboratore (firmware) i programmi di diagnostica alla partenza del sistema i programmi che comandano all’atto dell’accensione (bootstrap) la copia da memoria di massa del software di base in memoria centrale

PROM: Programmable ROM ROM programmabili Si possono programmare una sola volta con speciali apparecchiature che fondono, con impulsi elettrici, i collegamenti delle celle interne generando i due stati possibili: cella fusa o cella non fusa

EPROM: Erasable PROM PROM cancellabile e riprogrammabile Il bit è memorizzato sotto forma di presenza o no di una carica elettrostatica Una finestrella sul chip permette di azzerare le cariche elettrostatiche se si espone la memoria per 20 minuti sotto l’azione di raggi ultravioletti Si possono programmare più volte Hanno impiego analogo alle ROM ma si usano in casi dove è necessario aggiornare il software Hanno un costo maggiore delle semplici ROM

EEPROM: Electrically Erasable PROM PROM cancellabili elettricamente Si cancellano senza rimuoverle dal circuito stampato dove sono alloggiate e sullo stesso possono essere riprogrammate come comuni RAM Sono molto costose Si impiegano dove pochi dati devono permanere anche senza alimentazione (i parametri di configurazione del PC, i canali sintonizzati nei videoregistratori, televisori)

Flash EPROM Combinano le caratteristiche delle memorie a semiconduttori a quelle delle memorie magnetiche L’operazione di scrittura deve essere preceduta da una di cancellazione e questo non le rende particolarmente veloci come memorie centrali Si pensava che potessero sostituire i dischi magnetici ma gli alti costi e la limitata capacità ne ha ridotto l’uso come dischi statici per computer portatili (poco spazio e ridotti peso e consumo)