Tecniche di deposizione Deposizione chimica da fase vapore (Chemical Vapor Deposition, CVD) - epitassia (Si su Si) - deposizione di materiali dielettrici (SiO2, Si3N4, ...) - deposizione di silicio policristallino (drogato = pista conduttiva)
Chemical vapor deposition struttura del film depositato - substrato (amorfo o cristallino) - temperatura dell’ambiente e del substrato] - velocita’ di deposizione - pressione del gas - presenza di campi elettromagnetici (plasma a radiofrequenza)
Epitassia pirolisi del silano: SiH4 Si (s) + 2H2 (gas) reazione del tetracloruro di silicio con idrogeno: SiCl4 (gas) + 2 H2 (gas) Si (s) + 4HCl (gas) crescita epitassiale: substrato a 900ºC- 1250ºC gas droganti: arsina (AsH3, fosfina PH3, diborano B2H6)
Silicio policristallino (gate dei transistor MOS) - substrato a 600ºC - 700 ºC Silicio amorfo (celle solari, dispositivi particolari) - substrato a < 600ºC
Deposizione di isolanti biossido di silicio, SiO2: isolante tra diversi livelli di metallizzazione, “passivazione” contro la contaminazione esterna sulla superficie del chip finito SiH4 (gas) + O2 (gas) SiO2 (s) + 2H2 (gas) nitruro di silicio, Si3N4: “maschera” l’ossidazione, essendo impermeabile alle specie ossidanti; utilizzato per l’isolamento tramite “ossidazione locale” e come “passivazione”
Local Oxidation Of Silicon (LOCOS)
zona isolata tramite “ossido di campo” zona attiva con ossido sottile substrato di silicio
Deposizione a fase vapore assistita da plasma (Plasma enhanced CVD, PE-CVD)