ASIC per TOF-PET: caratteristiche generali

Slides:



Advertisements
Presentazioni simili
SISTEMA DI ACQUISIZIONE E DISTRIBUZIONE DATI
Advertisements

Introduzione ai circuiti elettronici digitali
UNIVERSITA’ DEGLI STUDI DI TRIESTE FACOLTA’ DI INGEGNERIA CORSO DI LAUREA IN INGEGNERIA ELETTRONICA A.A / 2005 Tesi di Laurea Triennale SVILUPPO.
Digital Data Acquisition
Erbium Doped Fiber Amplifier EDFA
Elettromiografo Gli elementi che compongono un Elettromiografo sono:
Presente e futuro dellelettronica digitale in ambito spaziale Frascati 16/2/05 Dip. Scienze fisiche Università Federico II di Napoli INFN sez. Napoli stefano.
Reti Logiche A Lezione n.1.4 Introduzione alle porte logiche
MAIS WP5 – Architectures Luca Negri Politecnico di Milano Roma – novembre 05.
Corso di Tecniche e Sistemi di trasmissione Fissi e Mobili
CONVERSIONE ANALOGICO-DIGITALE, A/D
INTRODUZIONE AI CONVERTITORI ANALOGICO-DIGITALI (ADC)
Architetture e Tecnologie per Terminali Wireless
Spettro di frequenza dei segnali
L’amplificatore operazionale
Progetto MATISSE MAmmographic and Tomographic Imaging with Silicon detectors and Synchrotron radiation at Elettra Tomografia Digitale per la diagnosi di.
CIRCUITI INTEGRATI PER LA CALIBRAZIONE ED IL CONTROLLO DEL RIVELATORE PER MUONI DELLESPERIMENTO LHCb C. Deplano Dipartimento di Fisica Università di Cagliari.
Introduzione DSP. Trestino Cosmo Università degli studi di Padova Capitolo 1, Slide 2 Obiettivi della lezione Perché elaborare i segnali in digitale ?
Laboratorio di Strumentazione Elettronica
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Circuito Invertitore (1) Implementazione della funzione NOT in logica positiva V(1) = 12 Volts.
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 I Transistori I transistor sono dispositivi con tre terminali sviluppati dal I tre terminali.
Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici Leonello Servoli 1 Retta di carico (1) La retta dipende solo da entità esterne al diodo.
L. Servoli - Corso Fisica dei Dispositivi Elettronici 1 Uno scheduler deve avere implementate almeno le seguenti funzionalità: 1) Inizializzatore: preparazione.
Famiglia IIL (1) Integrated Injection Logic (IIL o I2L )
Convertitore A/D e circuito S/H
Laboratorio di El&Tel Elaborazione numerica dei segnali: analisi delle caratteristiche dei segnali ed operazioni su di essi Mauro Biagi.
Salvatore Loffredo 18 maggio 2007
Roma 28 gennaio 2002 Beam Monitor per il TOP-Linac E. Cisbani, G. Vacca Riunione di lavoro TOP gennaio 2002 Polo Oncologico e Dermatologico I.F.O.
Misure di Tempo Introduzione Discriminatori
Introduzione alla Elettronica Nucleare
Shaping dei segnali analogici da rivelatori di particelle (Parte 2)
Consiglio di sezione INFN, 7 marzo 2006
Esperienze di laboratorio “leggero” in aula
Front-End VLSI CMOS 0.35mm per dispositivi SiPM mirato ad applicazioni TOF con soglia regolabile ed ampio range dinamico. Davide Badoni – INFN Roma Tor.
PROGETTO DI UN FILTRO POLIFASE FIR DECIMATORE PER IMPIEGO IN UN SISTEMA MULTISTANDARD UMTS-WLAN RELATORE: Prof. Carla Vacchi CORRELATORE: Ing. Everest.
UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA
Università di Modena e Reggio Emilia
Sistema elettronico Controllo Idronico 1-2 Livello R&D Engineer SMT – GROUP.
Chiar.mo Prof. Ing. Daniele Caviglia Dott. Ing. Giacomo Pruzzo
Ischia, giugno 2006Riunione Annuale GE 2006 Elettronica di front-end per sensori monolitici a pixel attivi in tecnologia CMOS deep submicron a tripla.
Impatto del XPM in Sistemi Ottici con Compensazione della Dispersione Cromatica Paolo Serena Corso di Comunicazioni Ottiche.
Argomenti di oggi Proprietà di un trasduttore.
CARRY LOOKAHEAD ADDER:
UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI PAVIA
L.S. Ingegneria Elettronica Orientamento “Progettazione Elettronica”
DISPOSITIVI DI AMPLIFICAZIONE
1.
UNIVERSITA' DEGLI STUDI DI PAVIA
Torna allindice Gate array Component array Gate array Component array Standard cell Standard cell PLD PLD Circuiti integrati semi-custom.
F. Ambrosino. Rivelatore inserito nel contesto dell’esperimento NA62 al CERN Resosi necessario da studio dei fondi da interazioni anelastiche del fascio.
WATCHDOG TIMER E’ un oscillatore interno al  C, ma indipendente dal resto dei circuiti, il cui scopo è quello di rilevare eventuali blocchi della CPU.
Opzioni tecnologiche per l’elettronica di front-end del Gigatracker Angelo Rivetti – INFN Sezione di Torino.
Famiglie logiche generalità
Relatore: Prof. Vincenzo Patera Correlatore:Prof. Adalberto Sciubba
ADC – SCHEMA GENERALE I convertitori AD sono disponibili come circuiti integrati in diversi modelli, che differiscono fra loro per prezzo, prestazioni.
Digital Pulse Processing (DPP) in Fisica Nucleare
Sensori di Pressione Integrati
RETI DI SENSORI Le reti WSN (Wireless Sensor Network) offrono la possibilità di distribuire intelligenza nell’ambiente a costi contenuti ed in maniera.
Sistemi embedded per l’auto: ricevitore GPS
DAC A RESISTORI PESATI.
F. Marchetto – INFN- Torino GigaTracKer: status report 25 Maggio Update su infra-structures 2. Stato del cooling 3.Bump-bonding e thinning 4. Stato.
Prof. Bruno Riccò D.E.I.S. Università di Bologna 1 Sistemi elettronici: una panoramica.
Conversione Analogico/Digitale Le grandezze fisiche che vogliamo misurare variano con continuità in un dato intervallo ed in funzione del tempo: sono descrivibili.
NA48 status report Catania 17 Settembre 2002 E. Iacopini.
Mara Martini Università di Ferrara Un Gigatracker per NA48/3 – P326.
Circuiti (Integrati) Analogici Prof. Andrea Irace AA 2011/2012.
PixFEL G. Rizzo 9-Maggio PIXFEL Non ripeto qui tutte le considerazioni fatte da Valerio e Francesco in meeting precendenti. Goal del progetto: sviluppare.
Mu2e Waveform Digitizer Review Franco Spinella – Luca Morescalchi 25/6/2015.
CHIPX65 Sviluppo di un pixel chip innovativo in tecnologia CMOS 65nm per altissimi flussi di particelle e radiazione agli esperimenti di HL_LHC e futuri.
Laboratorio II, modulo Conversione Analogico/Digitale ( cfr.
Transcript della presentazione:

ASIC per TOF-PET: caratteristiche generali Elevata densità di integrazione (64-128 canali, eventualmente in grado di servire più sensori). Bassa potenza dissipata (5mW a canale). Elevata flessibilità (esempio: guadagno regolabile canale per canale in modo da compensare le variazioni di guadagno tra le diverse celle del fotosensore. Moderata risoluzione energetica (un ADC ad 8-10 bit è sufficiente per digitalizzare l’informazione sull’ampiezza del segnale). Elevata risoluzione temporale (200ps FWHM o meglio) Minima necessità di componenti esterni (solo condensatori di filtro sulle alimentazioni, no riferimenti analogici critici esterni al chip). Solo uscite digitali (LVDS). ADC e TDC on chip Basso numero di linee di uscita verso il resto del sistema=serializzazione dei dati in uscita

ASIC per TOF-PET: architetture possibili Approcci per la misura accurata del tempo (correzione del time-walk). Constant fraction discriminator Correzione con la misura di ampiezza. Approcci per la misura di ampiezza: Waveform sampling Peak sampling+ADC Time-over-Threshold. Approcci per la misura del tempo Time to Amplitude Converter TDC basato su DLL Occorre tener presente non solo le variazioni in ampiezza, ma anche le variazioni in forma del segnale (possono essere problematiche sia per il ToT che per il CFD).

Esperienza a cui eventualmente attingere: front-end per NA62 ASIC con 1800 canali per chip Data rate 6 Gbit/sec. Potenza max 2mW a canale Risoluzione temporale richiesta: 100 ps rms No misura di ampiezza. Due prototipi sviluppati (collaborazione Torino-CERN) CFD+TAC (multi-hit, 4 livelli di buffer) Leading edge+ToT Risultati attesi a Settembre Tecnologia CMOS 0.13 um.

ASIC per TOF-PET: tecnologia CMOS 0.13 mm appare al momento la scelta più ragionevole dal punto di vista tecnico per: Densità di integrazione. Numero di livelli di interconnessione. Velocità dei transistori. Tipo di dispositivi offerti. Potenza dissipata e densità possibile nei circuiti digitali. Disponibilità del processo negli anni futuri

ASIC per TOF-PET: possibile percorso e costi Definizione dell’architettura e avvio del progetto dei blocchi :t0+12 mesi Sviluppo di un primo prototipo con 4-8 canali: t0+24 mesi Test ed eventuali correzioni: t0+36 mesi. Man power richiesto 3 FTE per la durata del progetto (9-10 anni uomo equivalenti). Costo di un prototipo di area minima in 0.13 mm (10mm2): 55000 USD. Costo per la produzione di un chip full-size: 300000 USD.