Università degli Studi di Pavia Impact of Parasitic Elements on CMOS Charge Pumps: a Numerical Analysis Laura Gobbi, Alessandro Cabrini, and Guido Torelli e-mail: [laura.gobbi, alessandro.cabrini, guido.torelli]@unipv.it Università degli Studi di Pavia
Pompe di carica In questo schema di principio, trascurando le predite dovute a diodi di trasferimento (sostituiti in soluzioni integrate da interruttori), per ogni condensatore usato è possibile avere una guadagno di tensione di VDD, con una capacità di erogare corrente, modellizzata tramite una resistenza equivalente di uscita, che dipende dalla frequenza f delle fasi di controllo F and –F e dalla dimensione dei condensatori C.
Elementi Parassiti
Cosa è importante conoscere possibile struttura è indispensabile conoscere, in funzione degli elementi parassiti, come variano: il guadagno di tensione la resistenza equivalente di uscita l’efficienza di potenza
Dickson: nC = 4; Heap: nC = 4; Makowski: nC = 3 Un esempio Dickson: nC = 4; Heap: nC = 4; Makowski: nC = 3 CSTAGE = 20 pF, COUT = 200 pF, VDD = 1.8 V, f = 20 MHz = = 0 = = 0.1