Production of 8x8 SiPM matrices C.Piemonte, M. Melchiorri, A. Piazza, A. Tarolli, N. Zorzi FBK – Fondazione Bruno Kessler, Trento, Italy piemonte@fbk.eu
Production: September – December 2008 12 wafers 5 with standard process 7 with different oxide thickness
layout 1.3cm 1.3cm Our largest area monolithic array. 8x8 array 1.5mm element pitch read-out on one side A B C 1.3cm 1.3cm Our largest area monolithic array.
A B C Lettura su 1 lato Gap per linee metal: 200um Lettura su 1 lato Gap per linee metal: 300um Lettura su 2 lati
Misure IV automatiche su tutti gli elementi degli array.
Risultati 5 con standard process. 7 con diverso ossido. OK Esempio IV matrice 7 con diverso ossido. Esempio IV matrice OK Corrente post BD elevata
Risultati Su tutte le fette il difetto piu’ comune e’: working SiPM. The current can be roughly modeled as I=q*DC*G Vbd SiPM with 1 defective cell. The current can be modeled as I=(V-Vbd)/Rq
DaSiPM2 Arrays, IV Mappa delle tensioni di breakdown Rosso=dispositivi a BD basso 8 array totalmente funzionanti
Altro esempio con resa piu’ bassa 0 array totalmente funzionanti
Conclusioni Tra le 5 fette a corrente migliore abbiamo estratto: 32 matrici con tutti elementi funzionanti 22 con 1 elemento non funzionante 8 con 2 elementi non funzionanti
Connessione 3D Deep RIE finalmente OK. Iniziato R&D: Disegnato maschera per realizzare i fori; Pensato a possibili strategie per la connessione all’interno del foro. Il secondo punto non e’ banale!!