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I BJT (Bipolar Junction Transistor)
Mauro Mosca - Università di Palermo – A.A
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Prime considerazioni sui BJT
collettore IB (corrente di controllo) FET I (flusso di corrente) S G D V (tensione di controllo) + BJT I (flusso di corrente) E B C V (tensione di controllo) + IC IB IB ≈ 0,01 IC base emettitore BIPOLARE
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Struttura fisica di un BJT
Regione di svuotamento n+ zona attiva
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Correnti nel BJT a a a = 100 – 200 IC proporzionale a IB IC = bIB E B
_ n p + E B a _ IB n p + = 100 – 200 a p B IC proporzionale a IB IC = bIB
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Correnti nel BJT IE = IC + IB = IC + IC/b IC = a IE ≈ 1 IE npn pnp C B
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Caratteristiche del BJT
effetto Early rapporto IC / IB costante (≈b) VBE 0,6 – 0,7 V aumento VCE = aumento VCB IC (quasi) costante con VCE aumento larghezza zona svuotamento BC
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Regioni di funzionamento
saturazione zona attiva VBE + VCB + VBE + VCB – IB = 0 VCE(sat) ≈ 0 VBE – VCB – interdizione
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